
- •Схемотехника
- •Аналоговых
- •Электронных
- •Устройств
- •Лекция №1 Введение в дисциплину «Схемотехника аналоговых электронных устройств»
- •1.1. Общие сведения об аналоговых электронных устройствах
- •1.2.Программа дисциплины
- •1.3.Балльно-рейтинговая система оценки знаний.
- •1.4.Рекомендуемая литература.
- •Качественные показатели и характеристики аналоговых электронных устройств.
- •2.1. Основные определения
- •2.2. Входные и выходные показатели.
- •Коэффициент усиления.
- •2.4. Амплитудно-частотная характеристика.
- •2.5.Фазовая характеристика.
- •2.6. Амплитудная характеристика.
- •2.7. Нелинейные искажения.
- •2.8. Переходная характеристика.
- •Лекция №3 Основы построения электронных усилителей
- •3.1. Принципы построения усилительных устройств.
- •3.2. Построение усилительного каскада на электронной лампе.
- •3.3. Построение усилительных каскадов на полевых транзисторах.
- •3.4. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме аэу.
- •3.5. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
- •3.6. Работа биполярного транзистора в усилительном каскаде.
- •3.7. Схемы межкаскадной связи.
- •Лекция №4 Обеспечение и стабилизация режима работы усилительного элемента по постоянному току.
- •4.1. Режим работы усилительного элемента.
- •4.2. Цепи подачи смещения.
- •4.3. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов.
- •Лекция №5 Предварительные усилители напряжения
- •5.1. Общие сведения о предварительных усилителях.
- •5.2. Принципиальные схемы предварительных усилителей.
- •5.3. Эквивалентная схема усилителя.
- •5.4. Методика анализа резисторного каскада предварительного усилителя.
- •Лекция №6 Анализ каскада предварительного усиления.
- •6.1. Анализ резисторного каскада в области средних частот.
- •6.2. Анализ резисторного усилителя на высоких частотах.
- •6.3. Анализ резисторного каскада в области нижних частот.
- •Лекция №7 Импульсные и широкополосные усилители.
- •7.1. Общие сведения и принципы построения импульсных усилителей.
- •7.2. Анализ импульсного усилителя в области малых времен
- •7.3. Анализ импульсного усилителя в области больших времен
- •Лекция №8 Цепи коррекций в импульсных и широкополосных усилителях
- •8.1. Назначение корректирующих цепей
- •8.2. Простая индуктивная высокочастотная коррекция
- •8.3. Эмиттерная высокочастотная коррекция
- •8.4. Низкочастотная коррекция
- •Лекция №9 Выходные каскады усилителей
- •9.1. Общие сведения о выходных каскадах
- •9.2. Способы построения однотактных выходных каскадов
- •9.3. Эквивалентная схема трансформаторного каскада
- •9.4. Выходные динамические характеристики
- •9.5. Построение вдх для каскада с емкостной связью
- •9.6. Построение вдх для трансформаторного каскада
- •9.7. Анализ однотактного выходного каскада в режиме а
- •9.8. Анализ однотактного трансформаторного усилителя мощности в режиме а.
- •Лекция №10 Двухтактные выходные каскады
- •10.1. Резисторные двухтактные усилители напряжения
- •10.2. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности
- •10.3. Работа двухтактного каскада в режиме в.
- •10.4. Анализ двухтактного трансформатора усилителя мощности
- •10.5. Фазоинверсные схемы
- •Лекция №11 Бестрансформаторные двухтактные усилители мощности
- •11.1 Общие сведения
- •11.2. Принцип построения бестрансформаторного усилителя мощности
- •11.3. Бестрансформаторный усилитель мощности с дополнительной симметрией
- •11.4. Бестрансформаторный усилитель мощности на составных транзисторах
- •Лекция №12 Курсовое проектирование
- •12.1. Цель курсового проектирования
- •12.2 Содержание и тематика проекта
- •12.3. Правила выполнения и оформления курсового проекта
- •12.4. Организация работ и последовательность проектирования
- •Лекция №13 Обратная связь в аналоговых электронных устройствах
- •13.1. Классификация видов обратной связи
- •13.2. Влияние обратной связи на качественные показатели аэу
- •13.3. Влияние оос на входное и выходное сопротивления.
- •13.4. Влияние оос на амплитудно-частотную характеристику
- •Лекция №14 Усилительные каскады с различными видами обратной связи
- •14.1. Усилительные каскады с последовательной оос по току
- •14.2. Влияние элементов автоматического смещения и эммитерной стабилизации на ачх
- •14.4 Усилительный каскад с паралелльной оос по напряжению
- •14.5. Усилитель с глубокой обратной связью
- •14.6. Истоковые и эмиттерные повторители
- •Лекция №15 Усилители постоянного тока
- •15.1. Назначение и особенности построения
- •15.2. Упт с непосредственной связью
- •15.3. Схемы сдвига уровня постоянного напряжения
- •15.4. Дрейф нуля и способы его уменьшения
- •15.5. Балансные усилители постоянного тока
- •Лекция №16 Специальные каскады упт
- •16.1. Дифференциальные усилители
- •16.2. Усилители постоянного тока с преобразованиями сигнала
- •16.3. Упт с использованием оптрона
- •Лекция №17 Аналоговые электронные устройства на интегральных микросхемах
- •17.1. Общие сведения об интегральных микросхемах
- •17.2. Особенности интегральной схемотехники
- •17.3. Усилители низкой частоты на интегральных микросхемах.
- •17.4. Усилитель мощности на интегральных микросхемах
- •Лекция №18 Операционные усилители
- •18.1. Общие сведения об операционных усилителях
- •18.2. Принципиальные схемы операционных усилителей
- •18.3. Свойства и характеристики оу
- •18.3.1. Входные и выходные параметры оу
- •18.3.2. Усилительные параметры и характеристики
- •Лекция №19 Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя. Коррекция оу
- •19.1. Диаграмма Боде
- •19.2. Обеспечение устойчивости оу
- •19.3. Коррекция частотной характеристики оу
- •Лекция №20 Применение оу в устройствах аналоговой обработки сигналов
- •20.1. Неинвертирующий усилитель
- •20.2. Суммирующее устройство
- •20. 3. Повторитель напряжения
- •20.4. Инвертирующий усилитель
- •20.5. Вычитающее устройство
- •20.6. Интегрирующее устройство
- •20.7. Дифференцирующее устройство
- •20.8. Логарифмирующее устройство
- •Лекция №21 Активные фильтры
- •21.1. Общие сведения об активных фильтрах
- •21.2. Пассивные rс – фильтры
- •21.3. Реализация активных фильтров
- •21.4. Активные фильтры высокого порядка
- •21.5. Полосовые и заграждающие аф
- •21.6. Общие сведения о регулировках тембра
- •21.7 Принцип регулировки тембра на основе аф
- •21.8. Регулятор тембра на основе аф
- •Лекция №22 Регулировка усиления
- •22.1. Общие сведения о регулировках усиления
- •22.2. Регулировка усиления изменением входного сигнала
- •22.3. Тонкомпенсирующие регуляторы усиления
- •22.4. Регулировка усиления изминением режима работы усилительного элемента
- •22.5. Регулировка изменением глубины обратной связи.
- •При перемещении движка потенциометра меняется номинал резистора Rос, следовательно, меняется коэффициент передачи обратной связи и коэффициент усиления данного усилителя. Лекция №23 Внутренние шумы
- •23.1. Общие сведения о внутренних шумах
- •23.3. Шумы электрических цепей
- •23.4. Шумы электронных ламп
- •23.5. Внутренние шумы полупроводниковых приборов
Лекция №17 Аналоговые электронные устройства на интегральных микросхемах
17.1. Общие сведения об интегральных микросхемах
По мере развития технологической и элементной базы микроминиатюризация аппаратуры прошла через этапы транзисторизации и микромодульного конструирования функциональных узлов. Современным этапом микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры является применение интегральных микросхем (ИМС). В свою очередь, использование унифицированных функциональных узлов на основе интегральных микросхем позволит решить ряд технико-экономических задач:
создание аппаратуры с минимальными размерами и массой;
повышение срока службы и надежности аппаратуры;
автоматизация технологических процессов сборки функциональных узлов и ремонта аппаратуры;
уменьшение потребляемой энергии;
снижение себестоимости.
Применение интегральных микросхем приводит к новым представлениям об оптимальном построении функциональных узлов, оказывает глубокое влияние на разработку, изготовление и ремонт аппаратуры. Построение усилительных устройств на основе интегральных микросхем базируется на многоцелевом использовании однотипных интегральных схем в сочетании с некоторыми внешними цепями и компонентами.
Интегральные микросхемы состоят из сотен активных и пассивных элементов, полученных в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла в едином технологическом цикле. Эти элементы соответствующим образом соединены между собой и заключены в общий корпус. Планарная технология позволяет получить плотность упаковки в интегральных микросхемах в тысячи раз больше, чем плотность упаковки в микромодульной конструкции.
Интегральные микросхемы по своему назначению подразделяются на аналоговые и цифровые. Аналоговые интегральные микросхемы предназначены для преобразования и усиления непрерывных сигналов. К ним предъявляются довольно жесткие требования с точки зрения стабильности характеристик и точности воспроизведения сигнала. Цифровые интегральные микросхемы предназначены для передачи и переработки цифровой информации. В аналоговых интегральных устройствах применяются аналоговые интегральные микросхемы.
По технологическим признакам интегральные микросхемы подразделяются на полупроводниковые, пленочные и гибридные. Наибольшее распространение получили полупроводниковые интегральные схемы, у которых все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла. Пленочные и интегральные схемы выполняются на диэлектрической подложке путем напыления. Гибридные ИМС представляют собой комбинацию дискретных навесных активных компонентов и пленочных пассивных элементов, напыленных также на диэлектрической подложке.
На выпускаемые и разрабатываемые в нашей стране интегральные микросхемы установлена классификация и система обозначений. В соответствии с принятым ГОСТом 18682-73:
первый элемент - цифра, указывающая конструктивно-технологическое исполнение микросхемы:
1; 5; 7 - полупроводниковые;
2; 4; 6; 8 - гибридные;
3 - прочие (пленочные, вакуумные и т.д.);
второй элемент - две цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии микросхем (от 00 до 99);
третий элемент - две буквы, обозначающие функциональное назначение микросхем;
четвертый элемент - порядковый номер разработки микросхем по функциональному признаку в данной серии.
Буквы К, КН, КР обозначают условия их приемки. Не останавливаясь на всем многообразии вариантов обозначений, приведем расшифровку буквенных обозначений микросхем, рассматриваемых в данном учебном пособии;
УН - усилитель низкой частоты;
УЕ - усилители-повторители;
УИ - импульсные усилители;
УВ - усилители высокой частоты;
УР - усилители промежуточной частоты;
ПС - преобразователи частоты;
ДА - детекторы амплитудно-модулированных сигналов;
ДС - детекторы частотно-модулированных сигналов;
УД - операционные и дифференциальные усилители.
Первые два элемента обозначения определяют номер серии интегральных микросхем, объединяющих микросхемы, которые могут выполнять различные функции, имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного применения.