4. Обращенные диоды
Если в туннельном диоде уменьшить степень легирования областей анода и катода, участок отрицательного дифференциального сопротивления на его ВАХ можно устранить. Такие приборы называются обращенными диодами. ВАХ обращенного диода представлена на рис. 2.6.
Прямая ветвь ВАХ обращенного диода идентична диффузионной ВАХ обычного диода, однако при обратном напряжении обратный ток нарастает весьма резко практически от нулевого напряжения. Таким образом, при малых напряжениях обращенные диоды имеют в обратном направлении значительно более высокую проводимость, чем в прямом.
Нелинейность
ВАХ обращенных диодов в области
значительно выше, чем у полупроводниковых
диодов и диодов Шоттки. Это позволяет
использовать их для выпрямления очень
малых сигналов с амплитудой напряжения,
значительно меньшей температурного
потенциала (
при комнатной температуре). Степенью
нелинейности, характеризующей диод как
нелинейный элемент, является параметром
,
который называют также коэффициентом
кривизны:
.
При
прямом смещении р-п
перехода
или диода Шоттки величина
равна
,
то есть обратно пропорциональна
температуре. При комнатной температуре
для идеальногор-п
перехода (n
=
1)
=
40В-1
независимо от смещения. При обратном
смещении величина
очень мала. Для обращенных диодов,
подбирая соответствующим образом уровни
легированияр-
и п-
областей удается достигнуть значения
≈
70В-1,
причем величина
к тому же слабо зависит от температуры.
