Эл и схем / ЭиСХ.ч.1.Метод.разраб. по ЛР

Рис. 2

Задание 2. Исследование схемы смещения фиксированным напряжением

2.1. Статический режим.

Собрать схему, представленную на рис. 3. Измерения провести аналогично пункту 1.1. Результаты измерения занести в табл. 2.

рис. 3

11

2.2. Динамический режим.

Собрать схему, представленную на рис. 4. Установить начальную температуру транзистора t1, перевести вольтметр и амперметр в режим измерения переменного сигнала (АС). Оставить частоту входного сигнала f=1кГц. Установить Time base: 0,50 ms/div; Channel A: 5 V/Div, режим АС.

Задать амплитуду входного сигнала Uг = 0,2 В. Активизировать схему. Затем

постепенно увеличивая выходное напряжение генератора до 0,6 В, следить за формой выходного сигнала на экране осциллографа. Затем зафиксировать максимальное выходное напряжение на вольтметре Uвых макс.

После чего проделать те же действия для температуры t2 . Результаты измерения занести в табл.2.

Рис. 4

Задание 3. Исследование схемы эмиттерной стабилизации положения рабочей точки

3.1 Статический режим.

Собрать схему, представленную на рис. 5. Измерения провести аналогично пункту 1.1. Результаты измерения занести в табл. 2.

12

рис. 5

3.2 Динамический режим.

Собрать схему, представленную на рис.6. Установить начальную температуру транзистора t1, перевести вольтметр и амперметр в режим измерения переменного сигнала (АС). Оставить частоту входного сигнала f=1кГц. Установить Time base: 0,20 ms/div; Channel A: 1 V/Div, режим АС.

рис. 6

13

Задать амплитуду входного сигнала Uг = 0,004 В. Активизировать схему. Затем постепенно увеличивая выходное напряжение генератора до 0,01 В с шагом 0,003 В, следить за формой выходного сигнала на экране осциллографа. Затем зафиксировать максимальное выходное напряжение на вольтметре

Uвых макс.

После чего проделать те же действия для температуры t2. Результаты измерения занести в табл.2.

Задание 4. Исследование схемы термокомпенсации

4.1 Статический режим.

Собрать схему, представленную на рис. 7. Установить начальную температуру транзистора t1 на обоих транзисторах! Измерения провести аналогично пункту 1.1. Результаты измерения занести в табл.2.

рис. 7

4.2 Динамический режим.

Собрать схему, представленную на рис.8. Установить начальную температуру транзистора t1 на обоих транзисторах, перевести вольтметр и амперметр в режим измерения переменного сигнала (АС). Оставить частоту входного сигнала f=1кГц. Установить Time base: 0,50 ms/div; Channel A: 5 V/Div, режим АС. Задать амплитуду входного сигнала Uг = 3 В.

14

Активизировать схему. Затем постепенно увеличивая выходное напряжение генератора до 3,4 В с шагом 0,2 В, следить за формой выходного сигнала на экране осциллографа. Затем

зафиксировать максимальное выходное напряжение на вольтметре Uвых макс.

После чего проделать те же действия для температуры t2 обоих транзисторов. Результаты измерения занести в табл.2.

рис. 8

Задание 5. Исследование схемы с генератором стабильного тока

5.1 Статический режим.

Собрать схему, представленную на рис. 9. Установить начальную температуру транзистора t1 на обоих транзисторах! Измерения провести аналогично пункту 1.1. Результаты измерения занести в табл.2.

рис. 9

15

5.2 Динамический режим.

Собрать схему, представленную на рис.10. Установить начальную температуру транзистора t1 на обоих транзисторах, перевести вольтметр и амперметр в режим измерения переменного сигнала (АС). Оставить частоту входного сигнала f = 1кГц. Установить Time base: 0,50 ms/div; Channel A: 5 V/Div, режим АС. Задать

рис.10

табл. 2

16

7. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

Отчет лабораторной работы должен содержать:

7.1.Титульный лист (с фамилиями исполнителей, номером группы) – см. приложение.

7.2.Цель работы.

7.3.В соответствии с порядком проведения работы должны быть

приведены:

- схема; - краткая теория работы схемы (со ссылкой на [Л], откуда взяты

материалы):

-расчетные формулы; результаты расчетов;

-таблица экспериментальных данных;

-результаты сравнения экспериментальных данных с расчетными;

-выводы по работе

8.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЗАЧЕТУ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

1.С какой целью подают напряжение смещения на электроды усилительных элементов?

2.Покажите пути протекания постоянных составляющих токов коллектора, базы, эмиттера в схеме подачи смещения фиксированным током базы.

3.Почему схема с фиксированным током базы получила такое название.

4.Покажите пути протекания постоянных составляющих токов коллектора, базы, эмиттера и тока делителя в схеме с фиксированным напряжением базы.

5.Почему схема с фиксированными напряжением база-эмиттер получила такое название?

6.Почему схемы с фиксированным током базы и с фиксированным напряжением база-эмиттер не получили широкого распространения в инженерной практике?

7.Как изменяется управляемый ток коллектора от температуры коллекторного перехода? Как эти изменения сказываются на величине тока покоя?

8.Как изменяется статический коэффициент усиления тока базы h21э при изменении температуры коллекторного перехода? Как это сказывается на величине тока покоя?

9.Что такое температурное смещение входных характеристик? Как

оно влияет на изменение положения точки покоя?

17

Ток смещения базы

где E - источник питания коллекторной цепи, U0б - напряжение смещения база – эмиттер,

Rб - сопротивление базы.

Ток покоя коллектора

I0k = h21эIб + (1+ h21э )Iкб0 ,

где h21э - коэффициент передачи по току, Iкб0 - обратный ток коллектора.

Напряжение коллектор – эмиттер

U кэ = E − I0k Rk ,

где Rk - сопротивление коллектора.

Суммарное изменение коллекторного тока при изменении t 0 - ры:

∆Ik = ∆Ik1 + ∆Ik 2 + ∆Ik 3 ,

где:

изменение коллекторного тока, обусловленное изменением Iкб0 , где в свою очередь

∆Iкб0 = b Iкб0 (ea∆t −1) -

изменение обратного тока коллектора.

изменение коллекторного тока, обусловленное изменением h21э .

19

изменение коллекторного тока, обусловленное изменением U 0б , где

∆U0б = 293∆t (Eз −U0б ) -

изменение напряжение смещения база – эмиттер при изменении температуры,

Eз - ширина запрещенной зоны ( Eз = 0,78 В).

∆U 0б =U бэ" −U бэ'

Сравнение теоретических и экспериментальных данных

Теоретический расчёт

Данные эксперимента

9.2. Схема с ФН:

h11э = 150 Ом – входное сопротивление транзистора;

20