
- •Министерство путей сообщения
- •Эффект холла в полупроводниках
- •Введение
- •Метод измерения и описание аппаратуры
- •Измерение температуры нагретых твердых тел с помощью радиационного пирометра
- •Введение
- •Методы измерения и описание аппаратуры
- •Порядок выполнения работы
- •Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
- •Введение
- •0 1/2KТ
- •Описание аппаратуры и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Изучение работы оптического квантового генератора (лазера)
- •Введение
- •Описание гелий-неонового лазера
- •Порядок выполнения работы.
- •Определение длины волны лазера
- •Определение расходимости пучка лазера
- •Исследование люминесценции кристаллофосфоров
- •Введение
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы и расчет ошибок измерений
- •Евгений Александрович Серов, Владимир Александрович Селезнёв,
Министерство путей сообщения
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ (МИИТ)
____________________________________________________________
Кафедра «Физика-2»
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Методические указания к лабораторным работам
по дисциплине «Физика»
Работы 47, 50, 51, 52, 55
М о с к в а - 2000
МИНИСТЕРСТВО ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ (МИИТ)
_____________________________________________________________
Кафедра «Физика-2»
У т в е р ж д е н о
редакционно-издательским
советом университета
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ
по дисциплине «Физика»
для студентов всех специальностей
Работы 47,50, 51, 52, 55
Под редакцией профессора С.М.Кокина, профессора В.А. Никитенко и доцента В.А. Селезнева.
Москва - 2000
УДК 539.2
М-54
Физика твердого тела: Методические указания к лабораторным работам по дисциплине «Физика»./Под ред. проф. С.М.Кокина, проф. В.А. Никитенко, доц. В.А. Селезнева – переизд.,доп.- М.: МИИТ, 2000. - 50 с.
Сборник методических указаний для выполнения студентами лабораторных работ по разделу “Физика твердого тела” включает в себя описание и порядок выполнения 5-ти лабораторных работ, предназначенных для студентов первого и второго курса всех специальностей.
Методические указания к лабораторным работам составили: В.А.Селезнев (№52), В.А.Никитенко и С.В.Мухин (№55), переработали: Е.А.Серов (№47), В.А.Селезнев (№50), С.М.Кокин (№51).
© Московский государственный
университет путей сообщения
(МИИТ),2000
РАБОТА 47
Эффект холла в полупроводниках
Цель работы.Измерение холловской разности потенциалов в полупроводниковой пластине и определение концентрации, подвижности и знака носителей заряда, участвующих в токе.
Введение
Эффект Холла
заключается в возникновении поперечной
разности потенциалов при пропускании
тока через металлическую или
полупроводниковую пластинку, помещенную
в магнитное поле, направленное под
некоторым углом к направлению тока.
Обычно вектор индукции магнитного поля
направляют перпендикулярно вектору
плотности тока
.
Разность потенциалов
возникает, как это показано на рис.
1,между точкамиАиА1,лежащими на прямой, перпендикулярной
как к вектору ,так и к вектору индукции
.
В отсутствие магнитного поля точкиАиА1лежат на эквипотенциальной
поверхности.
Классическая электронная теория объясняет эффект Холла следующим образом: поток электрических зарядов, попадая в магнитное поле, отклоняется от первоначального направления своего движения под действием силы Лоренца
, (1)
где q—величина
заряда,—средняя
дрейфовая скорость.
Рис.1
При этом одна из боковых сторон пластинки получает отрицательный заряд, в то время как противоположная сторона заряжается равнымему по
3
величине положительным зарядом. Накопление зарядов происходит до тех пор, пока сила, действующая на электрический заряд со стороны холловского электрического поля, не уравновесит силу Лоренца:
.
(2)
Таким образом, напряженность поперечного холловского электрического поля
.
Если векторыи
взаимно
перпендикулярны, то напряженность
поперечного электрического поля равна
по абсолютной величине
,
,
что соответствует поперечной разности
потенциалов:
,
(3)
где d—расстояниеAA1(см. рис. 1).
Средняя скорость
направленного движения носителей тока
связана с плотностью тока
соотношением
,
гдеп — концентрация
носителей заряда (число носителей в
единице объема,q
—заряд носителя). Следовательно,
.
(4)
Выразив плотность
тока через силу тока :
,
(5)
(
— толщина пластины) и
подставив выражения (5)и
(4) в (3),получим
,
(6)
где
.
(7)
Коэффициент называют постоянной Холла.
Формула (7)получается без учета закона распределения электронов по скоростям. Более точный расчет с учетом закона распределения носителей по скоростям в рамках классической статистики приводит к выражению для
постоянной Холла
4
.
(8)
Для атомных
полупроводников, например, для кремния,
.
Для полупроводников
с ионной связью, к которым относится
рассматриваемое в данной работе
интерметаллическое соединение арсенид
галлия,.
В этом случае применима формула
(7).
Соотношение
(6)позволяет определить постоянную
Холла,
м3/Кл, и концентрацию носителей
заряда
,
м-3 , в образце из опытных данных
;
.
(9)
Если
известно, то, измеряя
и
,можно найтиВ. Этот способ измеренияBиспользуется в
технике (датчики Холла).
Важной характеристикой
полупроводника является подвижность
в нем носителей заряда, под которой
подразумевается средняя скорость,
приобретаемая носителем в поле,
напряженность которого равна единице.
Если в поле напряженностьюносители приобретают скорость
,
то подвижность их
,
м2/(Вс), равна
.
(10)
Используя связь
между плотностью тока, напряженностью
электрического поля и проводимостью
и учитывая (4)и
(10),можно выразить подвижность через
проводимостьи концентрацию носителей заряда:
.
(11)
Из соотношений (7)и (11)следует
.
(12)
Таким образом, для
определения подвижности носителя
необходимо измерить
и.
Знак постоянной Холла определяется знаком носителей заряда. У полупроводников постоянная Холла может быть отрицательной и положительной, так как существует два типа проводимости. У полупроводников с электронной проводимостью (полупроводников n-типа) перемещаются электроны, и знак постоянной Холла отрицателен. У другого типа полупроводников электропроводность осуществляется положительными зарядами
5
или так называемыми
«дырками». Такие полупроводники
называются дырочными (полупроводниками
р-типа). Они имеют положительный знак
постоянной Холла. При этом
.
Рис. 2
Зависимость знака постоянной Холла от знака носителей заряда, создающих в данном веществе UH можно понять из рис. 2,на котором демонстрируется эффект Холла для образцов с положительными и отрицательными носителями.
Направление силы Лоренца изменяется на противоположное как при изменении направления движения зарядов, так и при изменении их знака. Следовательно, при одинаковом направлении тока и магнитной индукции Всила Лоренца, действующая на положительные и отрицательные носители, имеет одинаковое направление. Поэтому в случае положительных носителей потенциал верхней грани (см. рис. 2)выше, чем нижней, а в случае отрицательных носителей— ниже. Таким образом, определив знак холловской разности потенциалов, можно установить знак носителей заряда, участвующих в токе.