Литература

1. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. под ред. Антонетти П. и др. Москва, «Радио и связь», 1988 г.

2. М.А.Ревелева. Моделирование процессов распределения примеси в полупроводниковых структурах. М., МИЭТ, 1996 г.

3. Boron Cluster Models, обзор публикаций. 1995-2001 гг.

Приложение.

Пример командного файла для моделирования загонки (имплантации) и отжига.

TITLE("As prediff + diff")

grid( x=(0.0, 1.0) y=(-1.0, 0.0), nx=6)

substrate (orientation=100, elem=B, conc=1.0E15)

replace(control(ngra=10))

graph(triangle=on, plot)

diff(time=1h,Temper=800,element=As,conc=1e19)

!implant(element=As , dose=1e15 , energy=40)

1d(file=prediff_1e19, xsection(0.0), spe(astot), fac=-1,append=off)

diff(time=20,Temp=800)

1d(file=prediff+diff_1_5e20, xsection(0.0),spe(astot,asactive,asclust),fac=-1,append=off)

end