
dsd1-10 / dsd-06=Kruglov+АИС / PDF_VERSION pic / ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1_Shishina
.pdf
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
Кафедра интегральной электроники и микраосистем (ИЭМС)
«УТВЕРЖДАЮ» Заведующий кафедрой ИЭМС
_______________Ю.А.Чаплыгин «_____»________2002 г.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
Москва 2002 г.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Ознакомление с методами реализации усилительных каскадов в аналоговых ИС и расчета их параметров.
2.ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
2.1.Изучить методы реализации усилительных каскадов в аналоговых ИС.
2.2.Выполнить исследовательскую часть работы.
2.3.Оформить отчет и защитить работу.
3.ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ.
3.1.Усилительные каскады на основе БТ.
Биполярные транзисторы обладают хорошими усилительными свойствами в сочетании с высоким быстродействием, что обусловило их широкое использование как усилительных элементов в кремниевых аналоговых ИС.
Простейшая схема усилительного каскада на основе БТ показана на рис.1. На рис 2 представлена его эквивалентная схема для малого сигнала.
Входное сопротивление каскада rвх зависит от режима работы и составляет
|
|
|
rвх |
Т |
( 1) rБ / g rБ , |
(1) |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
Iэ |
|
|
где g |
Iк |
|
- крутизна транзистора (передаточная проводимость). |
||||
|
|
||||||
Т |
|
|
|
|
|
|
|
С |
учетом выходного сопротивления генератора и |
при условии |
|||||
G 1 RН |
коэффициент усиления каскада равен |
|
|||||
|
|
|
Au |
|
RL |
(2) |
|
|
|
|
Rs rB gm |
||||
|
|
|
|
|
|
||
При этом возможны два крайних случая. Если Rs rB |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
gm |

то входной сигнал не делится на входе и коэффициент усиления составляет
Au |
|
gmRL . Для противоположного случая - Au |
RL |
. В первом случае |
|
Rs rB |
входное сопротивление БТ велико по сравнению с выходным сопротивлением генератора входного сигнала и коэффициент усиления определяется крутизной транзистора. При этом коэффициент усиления
существенно зависит от режима, поскольку gm Ik .
T
Во втором случае транзистор управляется током (его входное сопротивление мало) и коэффициент усиления определяется коэффициентом усиления базового тока, который от режима в определенной области токов практически не зависит.
Теоретически для достижения максимального коэффициента усиления необходимо повысить сопротивления нагрузки до величины, которая много больше выходного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером
G 1 U A . Однако реализация высокоомных резисторов в ИС затруднена,
Iк
кроме того с увеличением сопротивления нагрузки приходится повышать напряжение питания для сохранения приемлемой крутизны или входного сопротивления БТ.
Более эффективный способ повышения коэффициента усиления – применение токовой нагрузки. На рис. 3 показана схема усилитель - каскада, использующего в качестве нагрузки токовое зеркало на основе р-п-р транзисторов. Коэффициент усиления такого каскада равен
|
1 |
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Au |
Gn |
|
|
|
Gp |
|
, |
(3) |
|
|
|||||||
Rs rB |
|
|||||||
|
gm |
|
где Gn и Gp – выходные проводимости п-р-п и р-п-р транзисторов.
Преимущество такой схемы заключается также в том, что для задания тока в БТ применяется резистор R3, никак не влияющий на усиление, что позволяет использовать низковольтные источники питания.
Частотные свойства каскадов с общим эмиттером можно оценить по известной формуле
CE |
RL CL CCB 1 , |
(4) |
1 |
gm |
|
|
|
где - время жизни в базе неосновных носителей.
Вбольшинстве случаев последнее слагаемое является определяющим и
сувеличением сопротивления нагрузи граничная частота уменьшается обратно пропорционально коэффициенту усиления.
Для улучшения частотных свойств усилительных каскадов используются эмиттерные повторители, преобразующие выходное сопротивление каскада (рис. 4).
При выборе нагрузи в цепи эмиттерного повторителя следует учитывать влияние его входного сопротивления на коэффициент усиления каскада с одной стороны и на время разряд нагрузочной емкости – с другой.
Это позволяет сформулировать ограничения при выборе сопротивления нагрузки в цепи эмиттерного повторителя, обеспечивающие повышение быстродействия без потери коэффициента усиления:
RL 1 RER RL .
3.2.Усилительные каскады на основе МДПТ.
Крутизна полевых транзисторов существенно меньше, чем у биполярных, однако с уменьшением длины затвора до 1 мкм и менее, их крутизна становится достаточно высокой. Одновременно падает выходная проводимость приборов. В результате максимальный коэффициент усиления МДПТ примерно в 20 раз хуже, чем у БТ.

Тем не менее высокое входное сопротивление полевых транзисторов и достаточно высокое быстродействие короткоканальных МДПТ делает их использование в усилительных каскадах весьма привлекательным.
На рис.5-h показан вариант усилительного каскада на основе МДПТ с линейной нагрузкой. Коэффициент усиления такого каскада равен
A g(RН // G 1). |
(5) |
В схемах с использованием токовой нагрузки, он близок к максимальному:
A g / 2G. |
(6) |
Частотные свойства усилительного каскада на основе ПТ можно оценить по формуле
гр1 CЗИ / g CН RН , |
(7) |
где СЗИ - емкость затвор-исток МДПТ.
Для повышения быстродействия усилительные каскады подключаются к нагрузке через истоковый повторитель. Поскольку входное сопротивление повторителя очень велико, он не оказывает шунтирующего влияния на коэффициент усиления каскада. При выборе параметров транзисторов в повторителе исходят из необходимой постоянной времени заряда емкости
нагрузки Н : gп СН . (9)
Н
4. ЛАБОРАТОРНОЕ ЗАДАНИЕ.
В ходе выполнения индивидуального задания проводится сравнительный анализ двух типов усилительных каскадов, номера схем которых определяются в зависимости от номера варианта (таблица, рис.5).
Исходные данные.
Резисторы в источниках входного сигнала 100 Ом.
Резисторы в нагрузке RL(Rн) ~ 2-5кОм, нагрузочные емкости CL(Cн)~ 2 пФ. Ток в источниках тока равен 1 мА.
В токовых зеркалах коэффициент передачи тока равен 1. Напряжения питания по варианту.
Разброс номиналов источников питания +/- 10%. Температурный диапазон -250… +800 .
Разброс технологических параметров +/- 10%.
При выполнении индивидуальных заданий можно считать, что все однотипные биполярные и МДП транзисторы имеют одинаковые характеристики.
|
Варианты индивидуальных заданий. |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
№ |
№ № |
UИП, |
|
№ |
№ № |
UИП, |
варианта |
рисунка |
В |
|
варианта |
рисунка |
В |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
e,h, |
5 |
|
13 |
q |
5; 3,6 |
|
|
|
|
|
|
|
2 |
e,f |
5 |
|
14 |
r |
5; 3,6 |
|
|
|
|
|
|
|
3 |
g |
5; 3,6 |
|
15 |
s |
5; 3,6 |
|
|
|
|
|
|
|
4 |
h,o |
5 |
|
16 |
e,f |
3,6 |
|
|
|
|
|
|
|
5 |
i |
5; 3,6 |
|
17 |
k,l |
3,6 |
|
|
|
|
|
|
|
6 |
j |
5; 3,6 |
|
18 |
h,k |
3,6 |
|
|
|
|
|
|
|
7 |
k |
5; 3,6 |
|
19 |
h,l |
3,6 |
|
|
|
|
|
|
|
8 |
l |
5; 3,6 |
|
20 |
4 |
5 |
|
|
|
|
|
|
|
9 |
m,n |
5 |
|
21 |
j |
3,6; 3,3 |
|
|
|
|
|
|
|
10 |
n,p |
5 |
|
22 |
r |
3,6; 3,3 |
|
|
|
|
|
|
|
11 |
o,p |
3,6 |
|
23 |
s |
3,6; 3,3 |
|
|
|
|
|
|
|
12 |
h,p |
3,6 |
|
24 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.1.РАБОЧЕЕ ЗАДАНИЕ
1.Получить ВАХ активного биполярного или МДП транзистора (рис. a,b,c,d) в соответствии со схемой варианта.
Рассчитать при помощи ВАХ значения передаточной проводимости gm для тока Iк (Ic)1 мА;
Получить величину UA из выходной ВАХ, рассчитать выходную проводимость G.
Оценить изменение g и G в заданном температурном диапазоне
-250 … +800С.

2. Провести моделирование усилительных каскадов и сравнить параметры заданных двух схем или одной схемы для разных напряжений источника питания.
По передаточной характеристике Uвых = f(Uвх) (DCанализ) задать рабочую точку (определить напряжение смещения в середине области переключения, в точке Ucм = Uвых = Uвх);
Включить последовательно источник смещения и источник переменного напряжения амплитудой 0,05 – 0,2В (АСанализ);
Получить зависимость |
Uout f . Определить значения AU, ωα, ωΤ; |
|
Uin |
Провести моделирование работы схемы для импульсного сигнала на входе с большой и малой амплитудой. Фронты сигнала менее 1 нс.
4.2.ИССЛЕДОВАНИЯ
-при определении величин g и G у транзисторов ввести вариации
параметров, связанных с технологическим процессом (+/- 10% номинала), например,
для биполярного транзистора: αN, AЭ, NБ, WБ rК, rБ ;
для МДП транзистора: Uпор, kp , dox, W, L;
-определить основные факторы, влияющие на значения параметров AU, ωα,
ωΤ в схемах, изменяя параметры активных и пассивных элементов (коэфициенты усиления, номиналы сопротивлений и емкостей), например, в 2 раза.
|
4.3. Оформление отчета. |
|
Отчет в тетради должен содержать: |
|
|
- |
название работы; |
Рис.5 Варианты усилительных каскадов. |
|
|
|
- краткий конспект теоретической части; |
|
|
- |
аналитические расчеты; |
|
- |
распечатки результатов моделирования; |
|
- |
выводы по работе. |
|