
- •Вопрос 1
- •Интегрирующая цепь - интегральный резистор
- •Вопрос 2
- •Вопрос 3, 4, 5, 6, 7
- •Входное сопротивление: .
- •Вопрос 8
- •Вопрос 9
- •Вопрос 10
- •Вопрос 12 Источники тока.
- •Вопрос 13
- •Вопрос 14
- •Вопрос 15, 16, 17 дифференциальные каскады
- •Вопрос 18
- •Вопрос 19
- •Вопрпос 21
- •Вопрос 22
- •Усилитель мощности (бустер).
- •Вопрос 23 выходные усилительные каскады в зависимости от рабочей точки усиливающего транзистора различают схемы, работающие в режимах класса а, в, с:
- •Усилительные каскады являются важной составляющей частью операционных усилителей (оу), в частности, выходные усилительные каскады. Требования к выходным каскадам оу:
- •Вопрос 24
- •Вопрос 25 Частотные характеристики оу
- •Вопрос 26
- •Проигрыш в усилении -
- •В случае наличия реактивных элементов в цепях ос (интеграторы, дифференциаторы) происходит модификация частотной характеристики для повышения устойчивости схемы.
- •Вопрос 28
- •Вопрос 29
- •Вопрос 30
- •Вопрос 31
- •Вопрос 32
- •Вопрос 33
- •Вопрос 34
Вопрос 2
Интегральный диод.
В схемотехнике АИС диоды считаются пассивными элементами с нелинейной ВАХ. Падение напряжения на диодах составляет 0,6 - 0,9 В и является функцией величины тока через диод.
Идеальный
диод моделируется уравнениями ВАХ:
( * )
которые
выглядят в графической форме так:
I Imax I
эксперимент аппроксимация
I0 U I0 Uд.гр Uд U
Величина I0 может составлять от 10-18 до 10-15 А/cм2, и зависит от площади р-n-перехода и градиента концентраций.
В интегральной биполярной структуре возможно использовать в качестве диода
любой р-n-переход: Б-Э, Б-К, переход К-П – паразитный.
Возможны следующие виды реализации диодов:
1 2 3 4 5 6
Лучший вариант - схема №1: паразитное сопротивление минимально и составляет единицы Ом, отсутствует эффект подложки.
Недостатки - низкое пробивное напряжение 6-9 В
Полная эквивалентная схема ИД и схемы реализации диода №1 :
К
А
rK
IП
П
катод анод rБ
rK
IКД
Б
rБ
IЭД
Э К
В
схемотехнике АИС важным параметром
является дифференциальное сопротивление
диода,учитывающее нелинейность ВАХ прибора:
rД/r0,
RД/R0
(пост.ток - - - ) rД/r0,
RД/R0
. RД/R0
1 1
-1 0 1 2 3 5 I/I0 -1 0 1 2 3 U/T
После диференцирования уравнений идеальной ВАХ диода (*) получаем:
В аналоговой схемотехнике чаще используется не дифференциальное сопротивление, а величина, обратная ему: динамическая прямая проводимость или крутизна
Температурная зависимость параметров интегрального диода учитывается при помощи эмпирически определяемого коэффициента, температурного коэффициента напряжения -ТКН
T- температурный диапазон, UД0 - падение напряжения на диоде при комнатной температуре. Величина ТКН для кремниевых р-n -переходов типа Б-Э составляет примерно 2 мВ/град. Отметим здесь, что изменение падения напряжения на резисторе и на диоде примерно одинаково по величине, но противоположно по знаку, на этом основано большинство схемотехнических приемов термокомпенсации изменения напряжения или токов в узлах схемы.Некоторые схемы на диодах. Диодные цепи могут реализовывать функции выпрямления, ограничения напряжения, стабилизации.
Выпрямление.
Е
~ Rн
Uн
t
~
Пример каскадного соединения U1
дифференцирующей цепочки Uвх Uвых
и выпрямителя
Ограничители
напряжения.
Вх
вых Uвых5,6
(5.8) В - ограничение для входов КМДП-
схем
+5
В Uвх>
-70 В (пробой в дискретных диодах)
Uвых
0.8
В, двусторонний ограничитель.
Uвых
+0,8
t
-0,8