Устойчивость процесса к посторонним частицам. Самоочистка при последующем печатании.
Частица >10um во время печатания |
Едва заметный дефект на последующем поле |
Штампы удивительно устойчивы к механическому воздействию частиц во время процесса печатания
Активный контроль над силой соприкосновения позволяет избежать серьезных повреждений
Жидкость действует как амортизатор при соприкосновении
Кварцевые штампы не изнашиваются и не эродируют под воздействием жидкостей с малой вязкостью, или в процессе химической очистки
Molecular Imprints Confidential
Производительность Imprio-250
Tool (Throughput) |
Imprio 250 |
Single Head |
Quad Head HVM |
|
(5 wph) |
HVM (20 wph) - |
(80 wph) - 2011 |
|
|
2009 |
|
Stage step & |
4 sec |
0.15 sec |
0.15 sec |
settle, fluid |
|
|
|
dispense |
|
|
|
Fluid spread & in- |
10 sec |
1.0 sec |
1.0 sec |
liquid align |
|
|
|
UV curing |
4 sec |
0.15 sec |
0.15 sec |
Separation |
2 sec |
0.1 sec |
0.1 sec |
TOTAL |
20 sec |
1.4 sec |
1.4 sec |
Сравнительно малая стоимость печатных головок позволяет установить несколько таких головок для увеличения
производительности.
Molecular Imprints Confidential
Сравнение планов для интегальных микросхем (ITRS) и для хранения информации (Information Storage)
100
70
40
20
10
5
Next Generation Lithography 193nm
ITRS Roadmap for DRAM
Storage Roadmap
500Gb/in2
193i – нехватка разрешения EUV $$$, и время до 500Gb EBDW – медленная технология
UV-IL – оптимальная конфигурация
Планы Information Storage намного более агрессивны, чем планы ITRS для ИМ
Высоко – скоростные установки не будут готовы вовремя
Цена установки EUV запредельно высока (~$50-75M)
Генераторы на электронных пучках имеют необходимое разрешение, но очень медленные
Импринт литография сочетает разрешение и скорость
Molecular Imprints Confidential
План развития на ближайшие годы
Производство структур с полупериодом 32 нм планируется на 2010 год. Этот срок определен планом развития элементов памяти
2007 |
2008 |
2009 |
2010 |
Research |
Litho Process Dev |
Process Integration |
Production |
|
|
Next Gen Tool |
|
Material
Process
Templates
Molecular Imprints Confidential
Приложения в CMOS индустрии
Производство структур с полупериодом 32 нм начнется около 2010 года, что определяется развитием элементов памяти
2007 |
2008 |
2009 |
2010 |
Research |
Litho Process Dev |
Process Integration |
Production |
Развитие процессов и приборных прототипов
Примером служит совместная работа с IBM над сверхплотной
элементом памяти с размерами менее 30 нм
Растет интерес со стороны производителей логических схем и
микропроцессоров к 3-х мерному печатанию для использования в производстве медных контактов
Molecular Imprints Confidential
IBM Almaden Research Center
30 нм “Storage-Class” сверхплотная постоянная память
Требуется произвести 10 нм линии с 20 нм периодом в ближайшие 5-7 лет при малой стоимости
MNAB - Micro to Nano Addressing Block |
Содружество |
||||||||||||||
Ячейка – 3-х мерный вид |
|
||||||||||||||
Contact to M1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Silicided |
MNAB Select Gates |
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Nano-Fin |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
e |
|
|
|
|
|
|
e |
|
|
|
|
|
|
|
d |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
d |
|
|
||
|
|
|
c |
|
|
|
|
|
|
i |
|
|
|
||
|
|
y |
|
|
|
|
|
|
c |
|
|
|
|
||
|
l |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
o |
|
|
|
|
|
|
|
y |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
l |
|
|
|
|
|
|
|||
P |
|
|
|
|
|
|
o |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
P |
|
|
|
|
|
|
|
|
Poly |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Crossbar |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Array (NCA) |
|
|
TEOS/Nitride Spacers |
|
||||||||||||||
K. Gopalakrishnan et al, IEDM Tech. Dig., 2005, pp. 471-474 RMolecular.S. ShenoyImprintset al, ProcConfidential. Symp. VLSI Technology, June 2006, pp. 140-141
Разработка печати
Базовый рисунок с 4-Fin MNAB, углубленный в кварц
30 нм линии / 120 нм период
80 нм глубина травления Вертикальность стенок ~880
Molecular Imprints Confidential
Получение Fins плазменным травлением Подготовка Fins к ионной имплантации
Ox
Si
Кремниевые полоски, полученные |
Кремниевые полоски, покрытые оксидом со |
после травления с резистивной и |
всех сторон и готовые к ионной имплантации, |
оксидной масками |
и к дальнейшим литографическим шагам |
Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем за размерами линий, вертикальностью стенок и малой шероховатостью
SFIL процесс интегрирован с 7 другими литографическими процессами (3-мя при 193 нм, 4-мя при 248 нм). «Mix and match» совмещение рисунка лучше 20 нм
Molecular Imprints Confidential
Потенциал для 3-х мерной печати
Существующий процесс
•Нанести диэлектрический слой
•Нарисовать и протравить контакты
• Нарисовать и протравить каналы
• Заполнить медью и прополировать химико-механической полировкой (CMP)
Предлагаемый процесс печати
• Контакты в диэлектрике и соединяющие
каналы могут быть напечатаны за один раз, что приведет к значительному уменьшению стоимости
Двух-уровневая печать
Диэлектрик с малыми потерями
или
резистивная маска для переноса профиля в диэлектрик с малыми потерями
Palmieri et al – SPIE C1 Tuesday 4.00pm
Molecular Imprints Confidential
Потенциал для 3-х мерной печати
3-х уровневый затвор |
Микро-линзы |
Micron scale |
Lenslets |
|
|
3-tier T-gate |
|
Molecular Imprints Confidential