Hoya нано-штамп для памяти с 30 нм Fins
Template |
Imprint |
Molecular Imprints Confidential
Производство нано-штампа. Путь к меньшим размерам.
Стандартный подход
ZEP520 |
E-beam Exposure |
Cl2/O2 |
Fluorine based chemistry |
Cr |
|
|
|
6025 Quartz |
|
|
|
Resist applied |
Expose/develop |
Etch chrome, |
Etch quartz, |
to 15 nm of Cr |
e-beam resist, descum |
strip resist |
Strip chrome |
Lift-off Process
Альтернативные подходы:
•PMMA lift-off
•High Resolution HSQ resist
Image resist
Deposit Cr
Lift-off
Etch Glass
Strip Cr
Molecular Imprints Confidential
Штамп: 25 нм полупериод
Molecular Imprints Confidential
Штампы: полупериоды 19 нм и 21 нм
Staggered, 21nm HP
Molecular Imprints Confidential |
Staggered, 19nm HP |
Полученные отпечатки со штампами 23 нм and 21 нм (полупериод)
21nm HP
23nm HP
Molecular Imprints Confidential
Штамп после удаления хрома, Cr (Lift-off): Полупериоды 17 нм и 15 нм
15nm Half Pitch
17nm Half Pitch
Molecular Imprints Confidential
Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 15 нм
HSQ 15 nm half pitch
Molecular Imprints Confidential
Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 12.5 нм
HSQ 12.5 nm half pitch
Molecular Imprints Confidential
Достигнутое пространственное разрешение уже достаточно для проведения исследований
Template CD (nm)
65
45
32
22
18
|
45nm logic |
35nm contacts |
VSB pattern |
45nm metal |
35nm contact |
|
|
|
generator |
|
|
Customer R&D needs
GB pattern 
generator 
Sub 22nm driven by BPM for disk 
drives
28nm L/S
20nm pillars
2007 |
2009 |
2011 |
2013 |
Разрешение является важным фактором, но не достаточным
Необходимо точное размещение рисунка. Например, VSB прибор дает ошибку всего 2-4nm 3σ (что необходимо для иммерсионной 193nm литографии). Это близко, что требуется для 32 нм технологии.
Molecular Imprints Confidential
Инспектирование и ремонт нано-штампа
1x template inspection/repair builds on wafer inspection technology
–Two technologies being used to detect down to 20nm defects
–Die to die ebeam inspection
(KLA ES32)
– Die to database inspection NGR – 2100 
Template repair uses standard mechanical or ebeam subtractive and additive techniques
Quartz |
Rave 650NM |
Line |
Quartz
defect
NaWoTec
MeRiTMG
Molecular Imprints Confidential