Литература:

1. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектрники, М.: БИНОМ, 201, с. 105-127.

2. Парменов Ю.А. Элементы твердотельной наноэлектроники. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, гл. 4,5.

3. Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Старосельский В.И. Наноэлектронные устройства и их модели. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, с. 30-49.

4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч2, М., Техносфера, 2002, с. 269-397.

5. Sze S.M., Ng К.К., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2007, p. 293-343.

6. Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, p. 148-201.

7. H. Shang, M. Frank, E. P. Gusev,J. O. Chu,S. W. Bedell,K. W. Guarini, M. Ieong Germanium channel MOSFETs:Opportunities and challenges, IBM J. RES. & DEV. VOL. 50 NO. 4/5 JULY/SEPTEMBER 2006, pp.377-386.

8. Taur Y., CMOS design near the limit of scaling. IBM J. RES. & DEV. VOL. 46, NO. 2/3, 2002, pp.213-222.

Задание для срс

1.Изучить материал лекции №4 по конспекту и по литературным источникам.

2. Для подготовки к следующей лекции ознакомиться с её материалом по конспекту лекции №5. При подготовке рекомендуется восстановить в памяти знания по физике работы МДП-транзисторов по книге В.И. Старосельский «Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники».-М : Высшее образование , Юрайт-Издат,2009, с.133-253.

Вопросы для самопроверки

1. Что такое эффективное поперечное прижимающее поле? Чему оно равно?

2. Назовите три главные механизма рассеяния, ответственные за зависимость подвижности от эффективного прижимающего поля?

3. Что такое универсальная зависимость подвижности?

4. Нарисуйте зависимости подвижности в канале от прижимающего эффективного поля для разных механизмов рассеяния.

5. В чем состоит механизм повышение подвижности с использованием технологии напряженного кремния? Как он реализуется на практике?

6. Что такое электростатическое качество МОПТ?

7. Объясните, в чем состоят геометрические эффекты короткого канала.

8. Как изменяется пороговое напряжение короткоканального транзистора при уменьшении длины канала? Как с этим бороться?

9. Как изменится пороговое напряжение короткоканального транзистора при уменьшении ширины канала?

10. Объясните механизм DIBL-эффекта и меры борьбы с ним.

11. В чем заключается эффект паразитного биполярного транзистора в короткоканальном МОПТ?

12. Нарисуйте структуру современного п-канального МДПТ.

13. Объясните, почему на пологом участке выходной ВАХ ток стока короткоканального МДПТ растет.