Литература:

1. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектрники, М.: БИНОМ, 2011, с. 188-199.

2. Парменов Ю.А. Элементы твердотельной наноэлектроники. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, гл. 7.

3. Taur Y., Buchanan D.A., Wei Chen, Frank D.J. at al. CMOS Scaling into the Nanometer Regime, Proceedings of the IEEE, 2001, v.85, №4, pp.486-504.

4. Wong P., Frank D.J., Solomon P.M. at al, Nanoscale CMOS. Proceedings of the IEEE, 1999, v.87, №4, pp.537-570.

5. Taur Y., CMOS design near the limit of scaling. IBM J. RES. & DEV. VOL. 46, NO. 2/3, 2002, pp.213-222.

6. H.-S. P. Wong Beyond the conventional transistor, IBM J. RES. & DEV. VOL. 46 NO. 2/3 MARCH/MAY 2002, pp. 133-168.

7. D. A. Buchanan Beyond microelectronics: materials and technology for nano-scale CMOS devices, phys. stat. sol. (c) 1, No. S2, S155– S162 (2004).

8. D. Helms, E. Schmidt, and W. Nebel Leakage in CMOS Circuits – An Introduction, PATMOS 2004, E. Macii et al. (Eds.), LNCS 3254, pp. 17–35, Springer, 2004.

9. Saibal Mukhopadhyay, Hamid Mahmoodi-Meimand, Cassandra Neau, and Kaushik Roy Leakage in Nanometer Scale CMOS Circuits, 0-7803-7765-6/03, IEEE., pp. 307-312.

10. Liu T.-J.K. and Chang L. Transistor Scaling to the Limit, in «Into the Nano Era: Moore’s Law Beyond Planar Silicon CMOS», Ed. H. R. Huff, Springer, 2009, pp.191-223.

11. Marc Van Rossum MOS Device and Interconnects Scaling Physics, in «Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: 15 Fundamentals and Applications», Y. Shacham-Diamand et al. (eds.), Springer Science+Business Media, pp. 15-38.

12. Roy K., Mukhopadhyay S., Mahmood-Meimand H. Leakage Current Mechanisms and Leakage Reduction Techniques in Deep-Submicrometer CMOS Circuits, Proceedings of the IEEE, 2003, v.91, №2, pp.305-327.

Задание для срс

1.Изучить материал лекции №7 по конспекту и по литературным источникам.

2. Для подготовки к следующей лекции ознакомиться с её материалом по конспекту лекции №8.

Вопросы для самопроверки

1. Перечислите механизмы токов утечки в современных МОПТ объемной технологии.

2. Что устанавливает фундаментальный предел масштабирования электрической длины канала МОПТ? Чему равна минимальная величина Leff ?

3. Опишите механизм прямого туннелирования через подзатворный окисел.

4. Опишите механизм туннелирования Фаулера-Нордгейма.

5. От каких факторов зависит подпороговый ток утечки?

6. Опишите механизм GIDL – эффекта.

7. Какая структура МОПТ обеспечивает минимальный GIDL – ток?

8. Какова цель использования high-K диэлектриков?

9. Почему нежелательна слишком большая диэлектрическая проницаемость high-K диэлектрика?

10. В чем состоят проблемы использования high-K диэлектриков?

11. Чем определяется выбор металла для затвора?

12. В чем преимущества и проблемы металлических затворов?