Литература:

1. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники, М.: БИНОМ, 2011, с. 85-103

2. Парменов Ю.А. Элементы твердотельной наноэлектроники. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, гл. 3.

3. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч.1, М., Техносфера, 2002, с. 95-128.

4. Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, p. 148-201.

5. Sze S.M., Ng К.К., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2007, p. 293-343.

Задание для срс

1.Изучить материал лекции №3 по конспекту и по литературным источникам.

2. Для подготовки к следующей лекции ознакомиться с её материалом по конспекту лекции №4. При подготовке рекомендуется восстановить в памяти знания по физике работы МДП-транзисторов по книге В.И. Старосельский «Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники». -М : Высшее образование, Юрайт-Издат, 2009, с.133-253. Обратить особое внимание на физику короткоканальных эффектов.

Вопросы для самопроверки

1. Запишите выражения для подпорогового тока.

2. Что такое подпороговый размах напряжения (S-фактор)?

3. Чему равно минимально возможное (идеальное) значение S-фактора?

4. Какова связь подпорогового тока утечки с пороговым напряжением?

5. Как изменяется пороговое напряжение МОПТ при приложении обратного смещения на подложку?

6. Что такое коэффициент влияния подложки? От чего он зависит?

7. Запишите выражения для распределения плотности носителей вдоль канала с учетом коэффициента влияния подложки.

8. Запишите выражение для вольтамперной характеристики МОПТ в приближении плавного канала.

9. Как зависят дрейфовые скорости электронов и дырок от электрического поля в кремнии?

10. Каковы механизмы насыщения тока в канале МОПТ?

11. Нарисуйте и сравните выходные ВАХ длинноканального и короткоканального МОПТ.