
- •План лекции
- •5.2. Моделирование максимальных электрических полей в канале
- •5.3. Горячие носители
- •5.4. Методы борьбы с горячими носителями
- •5.5. Разогрев носителей и удачливые (lucky) электроны
- •5.6. Влияние тока подложки на работу мопт
- •5.7. Влияние горячих носителей на срок службы мопт
- •Литература:
- •Задание для срс
Лекция 5. Эффекты сильных электрических полей
План лекции
5.1. Квазидвумерная модель распределения сильных электрических полей в районе стока
5.2. Моделирование максимальных электрических полей в канале
5.3. Горячие носители
5.4. Методы борьбы с горячими носителями
5.5. Разогрев носителей и удачливые (lucky) электроны
5.6. Влияние тока подложки на работу МОПТ
5.7. Влияние горячих носителей на срок службы МОПТ
Литература
5.1. Квазидвумерная модель распределения сильных электрических полей в районе стока
При VDS>VDSAT вблизи стока в области отсечки нарушается приближение плавного канала. Часть силовых линий из стока замыкается не на исток, а на затвор. Для нахождения распределения поля нужно решать двумерное уравнение Пуассона.
Характерные
длины задачи:
L
(длина области отсечки)
− по
горизонтали, xj
(глубина
залегания рп-перехода
стока) −
по вертикали (рис. 5.1). Силовые линии
веером расходятся из области канала,
замыкаясь на положительном
заряде в стоке. Поэтому предполагается,
что электроны из канала распространяются
по всей глубине залегания рn-перехода.
Приближенное решение двумерного уравнения Пуассона
, (5.1.1)
где
−объемный
заряд, будем искать
в области (
)
(рис.
5.1).
Рис.
5.1. Область отсечки в районе стока, в
которой приближенно решается двумерное
уравнение Пуассона
При решении уравнения примем следующие допущения:
толщина ОПЗ не зависит от y и совпадает с глубиной залегания стокового перехода; это означает, что анализируемая структура не имеет LDD – областей;
плотность объемного заряда внутри области отсечки постоянна; это обусловлено тем, что в области отсечки ток, а, следовательно, и концентрация электронов не зависят от координаты y.
В
качестве граничных условий примем
Ех
(х
= хj
) = 0 на нижней границе области и
на границе раздела Si-SiО2.
Для того чтобы двумерную задачу
приближенно свести к одномерной, оценим
одно из слагаемых уравнения Пуассона
следующим образом:
,
(5.1.2)
где
− падение напряжения в окисле,
(5.1.3)
– характерная длина задачи.
В соответствие с формулой (2.2.5)
.
В отсутствие тока и поверхностных состояний и с учетом (5.1.1) имеем
.
При протекании тока разность потенциалов затвор-канал (падение напряжения на окисле) уменьшается, и в точке у
.
Тогда из (5.1.2)
. (5.1.4)
В
точке у
= 0 потенциал канала
,
и
.
Отсюда
плотность объемного заряда
в районе отсечки оценивается как
(5.1.5)
Подстановка (5.1.2) и (5.1.5) в (5.1.1) сводит двумерную задачу к обыкновенному дифференциальному уравнению
, (5.1.6а)
. (5.1.6б)
Физический
смысл уравнения (5.1.6а) состоит в следующем.
В точке у
= 0 канала, где
,
напряженность вертикального электрического
поля в окисле определяется как зарядом
инверсионного слоя, так и зарядом
обедненного слоя. Заряд инверсионного
слоя остается неизменным по всей области
отсечки, так как ток непрерывен. Однако
так как потенциал в канале растет по
направлению к стоку, то напряженность
вертикального поля будет уменьшаться,
и поэтому только часть заряда в области
отсечки будет связана с ним. Другая
часть заряда в соответствии с уравнением
Пуассона приведет к образованию градиента
поля вдоль канала. В соответствии со
сказанным правая часть уравнения
(5.1.6а) представляет собой заряд, не
связанный с вертикальным полем, а левая
− соответствующее увеличение градиента
поля вдоль канала.
Общее решение уравнения (5.1.6б) имеет вид
. (5.1.7)
Используя граничные условия в начале области отсечки (у = 0)
(5.1.8)
получаем распределение потенциала в области отсечки
. (5.1.9)
Записывая отсюда падение потенциала в области отсечки
, (5.1.10)
получаем длину области отсечки как функцию смещения VDS
(5.1.11)