Семинары по НЭ (Парменов) / mppz7 Канал

Рис.С7.6. Промоделированный спад порогового напряжения в зависимости от для трех различных продольных градиентов примеси. На каждой кривой точки соответствуют = 0,05; 0,07; 0,1; 0,15; 0,25 и 0,5 мкм.

Литература

1. Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, p.204-253.

2. .Taur Y., Buchanan D.A., Wei Chen, Frank D.J. at al. CMOS Scaling into the Nanometer Regime, Proceedings of the IEEE, 2001, v.85, №4, pp.486-504.

3. J. Bokor, T.-J. King, J. Hergenrother, J. Bude, D. Muller, T. Skotnicki, S. Monfray and G. Timp Advanced MOS-Devices, in «High Dielectric Constant Materials», Ed. H.R. Huff, D.C. Gilmer, Springer, 2005, pp.667-705.

4. Liu T.-J.K. and Chang L. Transistor Scaling to the Limit, in «Into the Nano Era: Moore’s Law Beyond Planar Silicon CMOS», Ed. H. R. Huff, Springer, 2009, pp.191-223.

Задание на СРС

1. Ознакомиться с методические указаниями студентам по изучению дисциплины «Физика наноразмерных полупроводниковых структур» (Приложение 2).

2. Объяснить различные толкования понятия длины канала. В чем состоит физический смысл эффективной длины канала ?

3. Объясните методику экстракции эффективной длины канала

4. Как интерпретируется на основе точки инжекции? Как резкость границ областей стока-истока влияет на и ККЭ?

5. Чем ограничивается предельная длина канала МОПТ?

16