Литература

1. Frank, D. J., Taur, Y. and Wong, H.-S. (1998). Generalized scale length for two-dimensional effects in MOSFETs, IEEE Electron Device Lett. 19, 385-387.

2. Taur Y., CMOS design near the limit of scaling. IBM J. RES. & DEV. VOL. 46, NO. 2/3, 2002, pp.213-222.

3. Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, Appendix 9, 10.

1Это технологически наиболее важный случай. Случай, когда глубина переходов стока и истока мельче, чем толщина ОПЗ под затвором, обсуждается в конце этого семинара.