4. Требования к отчету о лабораторной работе.

Отчет о лабораторной работе должен содержать следующее.

1. Краткий конспект описания с основными аналитическими зависимостями и графиками, используемыми при проведении лабораторной работы; методику проведения измерений, блок-схему макета измерительной установки (у каждого студента).

2. Протокол результатов измерений (один экземпляр на бригаду) должен содержать:

• параметры импульса напряжения на выходе генератора: амплитуда U_имп [В], длительность  [мкс] и период T и значение обратного напряжения на p-n переходе;

• вид осциллограммы импульса напряжения U_R;

• рукописную таблицу результатов измерений, таблицу с расчетами, график зависимости lnU_R=f(x) и результаты расчета диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей, проведенного в Exel, отпечатанные на принтере.

6. Требования техники безопасности.

При выполнении настоящей лабораторной работы существует опасность поражения электрическим током. Для предупреждения поражения необходимо соблюдать при работе «Инструкцию № 26-09 по охране труда при .выполнении работ на электроприборах, электроустановках в помещениях лаборатории кафедры КФН ауд. 4120, 4235, 4348».

Контрольные вопросы

1. Уравнение непрерывности.

2. Диффузионный и дрейфовый токи.

3. Вывод соотношения Эйнштейна.

4. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в случае монополярной проводимости.

5. Диффузия и дрейф неосновных избыточных носителей заряда в примесном полупроводнике.

6. Дать определение диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда. Связь между диффузионной длиной, временем жизни и подвижностью.

7. Что такое диффузионная длина неосновных носителей заряда и как она зависит от электрического поля в полупроводнике?

8. Амбиполярная дрейфовая подвижность и коэффициент амбиполярной диффузии.

9. Амбиполярная диффузионная подвижность.

10. Связь между диффузионной длиной и временем жизни неосновных носителей заряда. Физический смысл диффузионной длины.

11. Объяснить распределение неравновесных носителей заряда вдоль образца при освещении его светом в отсутствие электрического поля и с полем.

12. Метод определения диффузионной длины неосновных носителей заряда. Почему падение напряжения на резисторе R_изм пропорционально концентрации неравновесных носителей заряда у коллекторного контакта?

13. Методика определения диффузионной длины неосновных носителей заряда. Блок-схема измерительной установки.

Основная литература

1. Гуртов В. А., Осауленко Р. Н., Физика твердого тела для инженеров, Москва: «Техносфера», 2007.

2. Питер Ю., М. Кордона. Основы физики полупроводников. – М.: Физматлит, 2002.

Дополнительная литература

1. К.В.Шалимова. Физика полупроводников. Москва «Энергоатомиздат», 1985.

2. Специальный практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. Под редакцией К.В.Шалимовой. Государственное энергетическое издательство, Москва, Ленинград, 1962.

3. В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. Физика полупроводников. «Наука», Москва, 1977.

19