- •Лабораторная работа №2. Электронно-лучевое напыление пленочных покрытий.
- •1. Корпус. 2. Подогреватель подложки. 3. Подложка. 4. Держатель.
- •5. Напуск атмосферы. 6. Заслонка. 7. Испаряемый материал.
- •8. Испаритель. 9. Герметизирующая прокладка.
- •1. Катод. 2. Управляющий электрод. 3. Мишень. 4.Водоохлаждаемый анод. 5. Подложка. 6. Пучок электронов. 7. Магнитная система управления лучом. 8. Водоохлаждаемый тигель.
- •1.Электронная пушка. 2.Магнитная система управления лучом. 3.Мишень. 4.Поворотный механизм. 5.Ввод электродов.
- •1.Модель процесса нагрева мишени.
1.Модель процесса нагрева мишени.
Будем считать, что
в стационарном (установившемся) режиме
нагрева вся мощность, выделяемая в зоне
действия электронного луча, расходуется
на нагрев мишени. Тогда P=Q,
гдеQ– мощность тепловых
потерь в мишени. Она является суммой
двух составляющих (см. рис. 5): радиальных
потерь (
)
и вертикальных потерь (
).
То есть
.

Рис.5. Модель нагрева мишени электронным лучом.
В твердом теле, находящемся в вакууме, теплопередача в направлении xосуществляется только за счет теплопроводности в соответствии с уравнением Био-Фурье
![]()
где
- мощность тепловых потерь, Вт;
- коэффициент теплопроводности материала
мишени,
;F– площадь теплообмена;
- градиент температур в направленииx.
Знак (-) в (4) отражает противоположные
направления теплового потока и градиента
температуры.
Для
в зоне действия луча справедливо решение
уравнения (5) как для плоской стенки с
площадью теплообмена, равной площади
сечения электронного лучаF=
и
с толщиной, равной толщине мишениh.
После разделения переменных и
интегрирования (5) в пределах, указанных
на рис. 6a, будем иметь
![]()
где
-
температура поверхности мишени в зоне
действия луча;
-
температура дна мишени. Так как практически
всегда мишень помещается в водоохлаждаемом
держателе, то температуру
можно считать равной температуре
охлаждающей воды.
Учитывая, что
и – (
)=
после подстановки этих значений в (6)
получим
![]()
Для радиальных
потерь перепад температур по глубине
мишени сильно различается. На поверхности
мишени (h=0) он максимален,
а с обратной стороны – равен нулю. Для
упрощения расчетов можно принять
допущение, что по всей толщине мишени
имеет место средний перепад температур
.
В этом случае для радиальных потерь
можно считать, что площадь теплообменаF=
,
а уравнение (5) примет вид
![]()
где
- площадь поверхности цилиндра в центре
мишени. Разделив переменные и
проинтегрировав (8) в пределах, указанных
на рис. 6б, получим
![]()
где
- радиус мишени. Учитывая, что
и средний перепад температур в мишени
равен
уравнение (9) можно переписать в виде
![]()
Из уравнений (7) и (10) следует, что суммарные тепловые потери
![]()
или

Из
(11) следует, что выражение
имеет размерность длины. Его можно
интерпретировать как эффективное
расстояние, на которое распространяется
тепло в мишени. В таблице 1 приведены
теплофизические свойства металлов,
наиболее часто используемых для получения
покрытий. В таблице 1 приведены
теплофизические свойства некоторых
металлов, необходимые для расчета
нагрева мишени.
Таблица 1. Теплофизические свойства некоторых металлов.
|
Металл
|
|
|
|
|
|
|
Аl |
0 |
2680 |
0,249 |
209 |
313 |
|
100 |
2740 |
0,254 |
213 |
306 | |
|
300 |
2810 |
0,265 |
225 |
302 | |
|
500 |
2840 |
0,277 |
235 |
296 | |
|
W |
0 |
19400 |
0,037 |
163 |
226 |
|
200 |
19600 |
0,037 |
141 |
190 | |
|
400 |
19800 |
0,038 |
128 |
168 | |
|
600 |
20000 |
0,039 |
114 |
146 | |
|
Au |
0 |
19300 |
0,036 |
313 |
447 |
|
500 |
19450 |
0,037 |
313 |
432 | |
|
Ni |
0 |
8100 |
0,118 |
61,6 |
64 |
|
400 |
8300 |
0,142 |
48,8 |
41,5 | |
|
800 |
7900 |
0,145 |
58 |
50,6 | |
|
Cu |
0 |
890 |
0,108 |
393 |
405 |
|
400 |
9000 |
0,113 |
365 |
360 | |
|
1000 |
9150 |
0,120 |
320 |
292 | |
|
Mo |
0 |
10250 |
0,07 |
141 |
197 |
|
400 |
10650 |
0,073 |
129 |
165 | |
|
1000 |
10750 |
0,078 |
104 |
125 | |
|
Pt |
0 |
21600 |
0,036 |
70 |
89 |
|
400 |
22250 |
0,038 |
77,5 |
91,3 | |
|
1000 |
22800 |
0,04 |
89,5 |
97,3 |
Лабораторное задание.
1. Ознакомиться с устройством, принципами работы вакуум-термического оборудования и методикой напыления пленочных покрытий.
2.Ознакомиться с устройством, принципом работы и сравнительными характеристиками электронно-лучевых испарителей. Освоить способы управления режимами работы испарителя.
3. Освоить методику расчета скорости и равномерности осаждения слоев.
4. Освоить методику расчета электронно-лучевого нагрева мишени.
МЕТОДИКА ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ.
1.Ознакомиться с теоретическими сведениями об оценке скорости и равномерности осаждения покрытий в вакууме.
2. Ознакомиться с конструкцией, принципами и особенностями работы, достоинствами и недостатками различных типов электронно-лучевых испарителей.
3. Выполнить расчет электронно-лучевого нагрева рабочей зоны мишени.
Требования к отчету.
Отчет должен содержать:
1. Краткий конспект материала, изложенного в теоретическом введении описания лабораторной работы.
2. Схему, иллюстрирующую принцип работы кольцевого и ленточного электронно-лучевых испарителей.
3. Результаты выполнения заданий, выданных преподавателем.
Контрольные вопросы.
1. Схема блока осаждения установки для нанесения пленок в вакууме; названия и назначение основных элементов.
2. Основные этапы и параметры процессов нанесения пленок в вакууме.
Последовательность проведения процесса нанесения пленок в вакууме.
4. Параметры, от которых зависят скорость и равномерность напыления пленки; назначение планетарных систем подложкодержателей.
5. Общие принципы работы, преимущества и недостатки электронно-лучевых испарительных систем. Основные модификации электронно-лучевых испарительных систем; принципы их работы.
6. Испаритель с кольцевым катодом. Принцип работы, особенности, достоинства и недостатки.
7. Испаритель с ленточным катодом. Принцип работы, особенности, достоинства и недостатки.
8. Сравнительные характеристики электронно-лучевых испарителей. Управление режимом работы электронно-лучевого испарителя. Основные параметры; практические приемы.
9. Методика расчета нагрева мишени электронным лучем.
Рекомендуемая литература.
Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.,"Мир",1985,с.96-103,123-127,
2. 3и С. Технология СБИС, т.2,М.,"Мир",1986,с.71-76.
3. Под ред. Масленникова П.Н. Оборудование полупроводникового
производства. М., "Радио и связь",1981,с.83-88.
.
