- •Датчики и микро-эвм
- •Технология изготовления датчиков
- •Основные виды технологии изготовления объемных и пленочных датчиков, совместимых с микроэлектроникой
- •Современные кремниевые технологии
- •Тонкопленочные элементы интегральных схем
- •Толстопленочная технология интегральных схем
- •Датчики в промышленной технике измерений и робототехнике
- •Датчики в автомобиле и в бытовых приборах
- •Электропечь
- •Посудомоечная машина
- •Стиральный автомат
- •Электропечь
- •Стиральный автомат
- •Холодильные и морозильные камеры
- •Датчики температуры из платины и никеля
- •Термопары
- •Кремниевые датчики температуры
- •Интегральные датчики температуры
- •Температурный контроллер
- •Терморезисторы с отрицательным ткс
- •Терморезисторы с положительным ткс
- •Датчик уровня на основе терморезистора с положительным ткс
- •Измерение разности температур и калибровка датчиков
- •Датчики на основе тензометров
- •Кремниевые датчикидавления
- •Электронный барометр
- •Зависимость давления воздуха от высоты
- •Высотомер
- •Датчики расхода и скорости
- •Терморезисторный анемометр
- •Датчик расхода
- •Датчик направления
- •Термокондуктометрические ячейки
- •Теплопроводность некоторых газов при 0°с и 100°с
- •Топливная и термохимическая (каталитическая) ячейки
- •Анализатор выхлопных газов
- •Полупроводниковые датчики
- •Датчики природного газа и алкоголя
- •Конденсационный гигрометр на основе хлорида лития
- •Емкостные датчики влажности
- •Измерительные схемы и калибровка датчиков влажности
- •Датчики магнитного поля
- •Магниторезистивные датчики
- •Датчики Холла
- •Датчики Виганда
- •Оптические датчики
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Тепловые приемники излучения
- •Оптические датчики положения
- •Датчики изображения на основе приборов с зарядовой связью
- •Оптические датчики шероховатости
- •Датчики ик-излучения
- •Волоконно-оптические датчики
Датчики температуры из платины и никеля
Для точного измерения температуры в диапазоне от —200 до +850°C чаще всего применяются датчики температуры из никеля или платины. Электрическое сопротивление металлических проводников изменяется согласно уравнению R1 = R0[1 + α(T1 – T0)], где R0 — сопротивление при 0°С (т.е. при 273 K), R1 — сопротивление при температуре Т1, α — температурный коэффициент, равный для платины 3,9*10-3 К-1 и для никеля 5,39*10-3 К-1.

Рис. 7.1. Допустимые отклонения значений сопротивления и температуры для измерительных резисторов.
Сопротивление при 0°С в большинстве случаев выбирается равным 100 Ом. Такие измерительные резисторы обозначают Рt-100 или Ni-100. Употребительны также стандартно изготовляемые сопротивления в 500 Ом и 1 кОм Допустимые отклонения от этих значений в пересчете на градусы по шкалеЦельсия составляют:
для класса А: ±(0,15 + 0,002 Т)°С,
для класса В: ±(0,3 + 0,005 Т)°С,
где температура Т выражена в градусах Цельсия, Эта зависимость графически представлена на рис. 7.1.
Таблица 7.1.
|
Измеряемая температура°С |
Допустимые отклонения | |||
|
Класс А |
Класс В | |||
|
Ом |
°С |
Ом |
°С | |
|
-200 |
±0,24 |
±0,55 |
±0,56 |
±1,3 |
|
-100 |
±0,14 |
±0,35 |
±0,32 |
±0,8 |
|
0 |
±0,06 |
±0,15 |
±0,12 |
±0,3 |
|
100 |
±0,13 |
±0,35 |
±0,30 |
±0,8 |
|
200 |
±0,20 |
±0,55 |
±0,48 |
±1,3 |
|
300 |
±0,27 |
±0,75 |
±0,64 |
±1,8 |
|
400 |
±0,33 |
±0,95 |
±0,79 |
±2,3 |
|
500 |
±0,38 |
±1,15 |
±0,93 |
±2,8 |
|
600 |
±0,43 |
±1,35 |
±1,06 |
±3,3 |
|
650 |
±0,46 |
±1,45 |
±1,13 |
±3,6 |
|
700 |
— |
— |
±1,17 |
±3,8 |
|
800 |
— |
— |
±1,28 |
±4,3 |
|
859 |
— |
— |
±1,34 |
±4,55 |
В табл. 7.1 приведены допустимые отклонения для различных температур. Отклонения в градусах Цельсия справедливы для всех номиналов сопротивлений, а отклонения в омах — только для сопротивлений типа Pt-100. Для других номиналов сопротивлений значения отклонений в омах следует умножать на коэффициент R0*10-2.

Рис. 7.2. Простая измерительная схема (мост Уитстона) для терморезисторов (например, Pt-100).
Для измерения температуры датчик нужно подключить к измерительной схеме, на выходе которой формируется напряжение, пропорциональное температуре. Простейшей разновидностью такой схемы является измерительный мост (или мост Уитстона) (рис. 7.2).
Если сопротивление сравнения Rv установить таким образом, что измерительный прибор G будет показывать отсутствие тока, то оказывается справедливым равенство Rv = RTh, поскольку верхние параллельные сопротивления равны между собой. Преимущество такого способа измерения заключается в независимости результатов от напряжения питания. Для технических измерений, когда нужно иметь непосредственные показания температуры, сопротивление Rv можно принять постоянным, а показания измерительного прибора прокалибровать.
В случае измерения напряжения оно получается равным UM = UB [R1/(R1 + R2) – Rv/(RV + RTh)].
При этом нужно использовать высокоомный вольтметр, так как между точками 1 и 2 не должен протекать ток.
Если же применяется низкоомный амперметр, то между точками 1 и 2 возникает ток короткого замыкания, определяемый выражением IK = IS [R1 RTh /(R1 + R2) – R2Rv/(RV + RTh)], где IS — ток питания.

Рис. 7.3. Принципиальная схема прибора для измерения температуры.
Практически применимая схема показана на рис. 7.3. Измерительный ток IS должен быть очень мал, чтобы не вызывать нагревание резистора RTh, которое может привести к ошибкам измерения. Эта так называемая погрешность самонагрева зависит от подводимой электрической мощности (P = I2R), величины отводимого тепла и приборной постоянной ЕК, называемой коэффициентом самонагрева. Обусловленное самонагревом повышение температуры ∆Т можно рассчитать по формуле ∆Т = Т1 – Т2 = P/ЕК, где Т1 и Т2 — значение температуры при наличии к отсутствии измерительного тока IS соответственно, Р — подводимая к измерительному сопротивлению мощность (в милливаттах – мВт), ЕК — коэффициент самонагрева (мВт/°С).
Обычно величину ЕК как характеристику датчика указывают для измерений в воде и воздухе.
Например, при измерении температуры воздуха датчиком типа W60/24 применена схема, показанная на рис. 7.3. При 0°С имеем R1 = R2 = Rv = RTh= 100 Ом. Коэффициент ЕК для Pt-100 равен 4 мВт/°С. При необходимости измерения с погрешностью не более 0,25°С через датчик должен протекать измерительный ток, равный лишь I = (l мВт/100 Ом)1/2 ≈ 3 мА.
Следовательно, ток IS должен быть равен 6 мА, а соответствующее ему добавочное сопротивление R* = 15 В/6 мА – 100 Ом = 2,4 кОм.
Сигналы измерительного моста с помощью мостикового усилителя тока преобразуются в напряжение. При этом сопротивления R3 и R4 должны быть выполнены в виде 0,1%-ных металлопленочных резисторов. В зависимости от типа датчика R3 и R4 и находятся в диапазоне от 1 до 50 кОм. Калибровка измерительной схемы осуществляется с помощью потенциометра R7 во втором, неинвертирующем каскаде усилителя. Коэффициент усиления этого каскада определяется сопротивлениями R5, R6 и R7. При R5 = R7 = 1 МОм и R6 = 100 кОм измерительный сигнал можно усилить еще примерно в 10 раз. Резистор R8 и конденсатор С1 формируют RС-цепочку для фильтрации и демпфирования сигнала. Типичными параметрами являются R6 = 10 кОм и С1 = 4,7 мкФ.
Настройка схемы осуществляется следующим образом:
Определить R* по заданному ЕК.
Впаять R* и проверить IS путем измерения падения напряжения на R*.
Погрузить датчик температуры RTn в ванну с тающим льдом.
Регулировочным потенциометром Rv установить напряжение UA на нуль.
Датчик температуры RTh погрузить в ванну с кипящей водой (Т – 100°С).
Регулировочным потенциометром R7 установить выходное напряжение UA на 1 В.
Если чувствительность недостаточна, то сопротивления R3 и R4 следует увеличить. При слишком высокой чувствительности эти сопротивления следует уменьшить.
В качестве RTh можно применять любые выпускаемые промышленностью измерительные резисторы типа Pt-100. Наиболее дешевые датчики типа Pt-100 выпускаются в тонкопленочном исполнении. Они состоят из тонкой (0,6 мм) керамической подложки, на которую методом катодного ВЧ-распыления напыляется слой платины толщиной около 2 мкм. В напыленном слое лазером выжигают орнамент в форме меандра и проводят тонкую доводку. Затем методом термокомпрессионной сварки изготовляют контактные выводы.
После этого для защиты активного платинового слоя от повреждений ею еще раз покрывают керамическим изолирующим слоем толщиной 10 мкм.
