
РТ лабыФОПФ, осень 2012 / Указания по выбору транзисторов в среде Micro-Cap
.pdfСхему усилителя следует собирать на транзисторах 2N2222 и/или $GENERIC_P .
В списке параметров транзистора типа n − p −n 2N2222 изменяются значения 2-х параметров: BF и CJC до
значений, указанных в соответствующих клетках таблицы. Аналогично производится замена значений 13 параметров транзистора типа p −n − p $GENERIC_P до значений, близких к значениям соответствующих параметров n − p −n -
транзистора. Целью этих замен является приближение свойств транзисторов в собираемой схеме к свойствам транзисторов КТ315 и КТ361 соответственно. Новые значения параметров автоматически запоминаются при сохранении схемы усилителя командой Save.
Параметр |
2N2222 |
$GENERIC_P |
Параметр |
2N2222 |
$GENERIC_P |
Параметр |
2N2222 |
$GENERIC_P |
|
n − p −n |
p −n − p |
|
n − p −n |
p −n − p |
|
n − p −n |
p −n − p |
IS |
|
10f |
BF |
100 |
100 |
NF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VAF |
|
|
IKF |
|
700m |
ISE |
|
0.25f |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NE |
|
|
BR |
|
150m |
NR |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VAR |
|
|
IKR |
|
1k |
ISC |
|
7p |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NC |
|
|
NK |
|
|
ISS |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NS |
|
|
RE |
|
|
RB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RBM |
|
|
IRB |
|
|
RC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CJE |
|
40p |
VJE |
|
|
MJE |
|
650m |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CJC |
3p |
3p |
VJC |
|
|
MJC |
|
550m |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XCJC |
|
|
CJS |
|
|
VJS |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MJS |
|
|
FC |
|
|
TF |
|
500p |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XTF |
|
|
VTF |
|
|
ITF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PTF |
|
|
TR |
|
2u |
EG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XTB |
|
|
XTI |
|
|
TRE1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TRE2 |
|
|
TRB1 |
|
|
TRB2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TRM1 |
|
|
TRM2 |
|
|
TRC1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TRC2 |
|
|
KF |
|
|
AF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
T_MEASURED |
|
|
T_ABS |
|
|
T_REL_GLOBAL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
T_REL_LOCAL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|