Расчет параметров по экспериментальным данным:
- 
Сопротивление базы (сумма сопротивлений активной и пассивной областей базы)
 


Сопротивление эмиттерного перехода


- 
Сопротивление коллекторного перехода
 


- 
Коэффициент передачи по току
 


- 
Дифференциальный коэффициент передачи по току
 


- 
Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное в связи с модуляцией толщины базы
 


- 
Выходное дифференциальное сопротивление
 


- 
Емкость коллекторного перехода
 


Расчет параметров по справочным данным:
- 
Сопротивление базы (сумма сопротивлений активной и пассивной областей базы)
 


- 
Сопротивление эмиттерного перехода
 


- 
Сопротивление коллекторного перехода
 


- 
Коэффициент передачи по току
 


- 
Коэффициент передачи тока эмиттера
 


- 
Коэффициент перехода эмиттер-коллектор
 


- 
Выходное дифференциальное сопротивление
 


- 
Емкость коллекторного перехода
 


6. Справочные данные биполярного транзистора 2Т312Б
| 
			 Максимальное значение напряжения коллектор-база  | 
		
			 Uкэ=35 В  | 
	
| 
			 Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер  | 
		
			 Uкб=35 В  | 
	
| 
			 Максимальное значение напряжения база-эмиттер  | 
		
			 Uбэ=4 В  | 
	
| 
			 Постоянный (импульсный) ток коллектора  | 
		
			 Iк=30 (60) мА  | 
	
| 
			 Емкость коллекторного перехода  | 
		
			 Рк=225 мВт  | 
	
| 
			 Емкость эмиттерного перехода  | 
		
			 Ск=5 пкФ  | 
	
| 
			 Коэффициент передачи токи в схеме с общим эмиттером (Uкб=2 В, Iэ=20 А)  | 
		
			 h21э=25…100 ед. 
  | 
	
| 
			 Рабочая температура  | 
		
			 Т=-40…85 °С  | 
	
| 
			 В ходе работы были измерены следующие параметры (для схемы ОЭ, статический режим):  | 
	|
| 
			 Ток делителя  | 
		
			 Iд=0,3 мА  | 
	
| 
			 Ток коллектора  | 
		
			 Iк=4,8 мА  | 
	
| 
			 Потенциал базы  | 
		
			 φб=5,43 В  | 
	
| 
			 Потенциал коллектора  | 
		
			 φк=4,75 В  | 
	
| 
			 Потенциал эмиттера  | 
		
			 φэ=7,042 В  | 
	
Выводы по работе:
- 
Получены семейства входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
 - 
В схеме с общим эмиттером биполярный транзистор обеспечивает усиление, как по напряжению, так и по току;
 - 
h-параметры, рассчитанные по экспериментальным графикам, близки к справочным данным;
 - 
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, усилитель тока управляемый током, позволяющий получить значительное усиление входного сигнала по мощности.
 
