Расчет параметров по экспериментальным данным:
-
Сопротивление базы (сумма сопротивлений активной и пассивной областей базы)


Сопротивление эмиттерного перехода


-
Сопротивление коллекторного перехода


-
Коэффициент передачи по току


-
Дифференциальный коэффициент передачи по току


-
Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное в связи с модуляцией толщины базы


-
Выходное дифференциальное сопротивление


-
Емкость коллекторного перехода


Расчет параметров по справочным данным:
-
Сопротивление базы (сумма сопротивлений активной и пассивной областей базы)


-
Сопротивление эмиттерного перехода


-
Сопротивление коллекторного перехода


-
Коэффициент передачи по току


-
Коэффициент передачи тока эмиттера


-
Коэффициент перехода эмиттер-коллектор


-
Выходное дифференциальное сопротивление


-
Емкость коллекторного перехода


6. Справочные данные биполярного транзистора 2Т312Б
|
Максимальное значение напряжения коллектор-база |
Uкэ=35 В |
|
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер |
Uкб=35 В |
|
Максимальное значение напряжения база-эмиттер |
Uбэ=4 В |
|
Постоянный (импульсный) ток коллектора |
Iк=30 (60) мА |
|
Емкость коллекторного перехода |
Рк=225 мВт |
|
Емкость эмиттерного перехода |
Ск=5 пкФ |
|
Коэффициент передачи токи в схеме с общим эмиттером (Uкб=2 В, Iэ=20 А) |
h21э=25…100 ед.
|
|
Рабочая температура |
Т=-40…85 °С |
|
В ходе работы были измерены следующие параметры (для схемы ОЭ, статический режим): |
|
|
Ток делителя |
Iд=0,3 мА |
|
Ток коллектора |
Iк=4,8 мА |
|
Потенциал базы |
φб=5,43 В |
|
Потенциал коллектора |
φк=4,75 В |
|
Потенциал эмиттера |
φэ=7,042 В |
Выводы по работе:
-
Получены семейства входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
-
В схеме с общим эмиттером биполярный транзистор обеспечивает усиление, как по напряжению, так и по току;
-
h-параметры, рассчитанные по экспериментальным графикам, близки к справочным данным;
-
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, усилитель тока управляемый током, позволяющий получить значительное усиление входного сигнала по мощности.
