Расчет по справочным данным:

Входное сопротивление при :

• Коэффициент обратной связи при :

Вывод:

Увеличение смещает входную характеристику вправо – в сторону увеличения , однако изменение мало влияет на ток базы, т.к. в транзисторах малой мощности ток базы составляет десятки микроампер, поэтому характеристики при разных значениях расположены близко друг к другу.

2.Исследование выходных статических характеристик биполярного транзистора n-p-n перехода

Рис. 3 – Схема исследования выходных статических характеристик

Условные обозначения:

• PA1 – измеряет входной ток , мкА

• PА2 – измеряет выходной ток , мА

• PV2 – выходное напряжение , В

Таблица 2 – Результаты измерения выходных статических характеристик:

1. при

, В	0,2	0,4	0,6	0,94	2,14	5,59	9,65	12
, мА	0,66	1,43	1,63	1,64	1,66	1,69	1,74	1,77

2. при

, В	0,17	0,23	0,3	0,4	0,54	0,96	4,12	8,67	12
, мА	0,67	1,07	1,54	2,16	3,14	3,98	4,09	4,25	4,39

3. при

   , В	0,12	0,17	0,14	0,2	0,25	0,35	0,5	2	5,9	12
   , мА	0,49	0,81	0,65	1,02	1,41	2,11	3,36	6,44	6,73	7,1

4. при

, В	0,1	0,14	0,19	0,26	0,34	0,41	0,53	2	5,66
, мА	0,43	0,63	1,04	1,57	2,2	2,71	3,64	9,37	9,85

Расчет по экспериментальным данным:

Рис. 4 – График исследования выходных статических характеристик биполярного транзистора на основе экспериментальных данных

Выберем рабочую точку А:

• Коэффициент усиления по току при :

• Выходная проводимость при :

• Выходное сопротивление

Расчет по справочным данным:

• Коэффициент усиления по току при :

• Выходная проводимость при :

• Выходное сопротивление

Вывод:

Выходные характеристики снимаются при различных постоянных токах базы. Увеличение смещает выходную характеристику в сторону увеличения . Выходные характеристики показывают, что при увеличении от 0 до небольших значений ток коллектора резко увеличивается, а при дальнейшем увеличении характеристики идут с небольшим подъемом, что означает сравнительно небольшое влияние на ток коллектора.

3. Исследование характеристик управления при .

Рис. 5 – Схема для исследования характеристик управления при

Условные обозначения:

• PA1 – измеряет входной ток , мкА

• PV2 – выходное напряжение , В

• PА2 – измеряет входной ток , мА

Таблица 3 – Результаты измерения характеристик управления при

№	, В	1	2	3	4
, В	4	0,664	0,59	0,623	0,635
, мА		0,95	0,1	0,34	0,545
, В	8	0,692	0,59	0,65	0,671
, мА		2,88	0,106	0,93	1,912
, В	12	0,647	0,59	0,628	0,666
, мА		8,5	0,163	0,602	7,42

Рис. 6 – График исследования характеристик управления при

Вывод:

При изменении характеристики практически не изменяются. Зависимость от можно считать линейной.

4. Исследование характеристик управления при .

Рис. 7 – Схема для исследования характеристик управления при

Условные обозначения:

• PV1 – измеряет входное напряжение , В

• PV2 – выходное напряжение , В

• PА2 – измеряет входной ток , мкА

Таблица 4 – Результаты измерения характеристик управления при

1. при =4 В

, мкА	50	75	100	120	150
,В	1,97	3,4	4,3	5,37	6,98
=4 В

2. при =8 В

, мкА	50	75	100	120
,В	2,03	3,49	4,84	5,20
=8 В

3. при =12 В

, мкА	50	75	100	120
,В	2,06	3,52	4,77	5,67
=12 В

Рис. 8 – График исследования характеристик управления при

Вывод:

При малом увеличении значительно возрастает . При изменении значения и изменяются незначительно.

На рисунке 9 приведена малосигнальная модель транзистора для схемы с общим эмиттером, где:

- дифференциальное сопротивление коллекторного перехода;

- дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода;

- выходное дифференциальное сопротивление;

- объемное сопротивление базы;

- источник тока;

- источник напряжения, отражающий наличие внутренней обратной связи по напряжению;

- барьерная емкость эмиттерного перехода;

- барьерная емкость коллекторного перехода.

Рис. 9 – Малосигнальная модель биполярного транзистора