Тенденции развития элементной базы процессорных устройств

Современные технологии производства сверхбольших интегральных микросхем позволяют разместить на одном кристалле логические схемы всех компонентов процессора. В настоящее время процессоры всех вычислительных машин реализуются в виде одной или нескольких СБИС. Более того, во многих многопроцессорных ВС используются СБИС, где на одном кристалле располагаются сразу несколько процессоров (обычно не очень сложных). Каждый успех создателей процессорных СБИС немедленно положительно отражается на характеристиках ВМ и ВС. Совершенствование процессорных СБИС ведется по разным направлениям. Для целей данного учебника основной интерес представляет увеличение количества логических элементов, которое может быть размещено на кристалле, и повышение быстродействия этих логических элементов. Увеличение быстродействия ведет к наращиванию производительности процессоров даже без изменения их архитектуры, а в совокупности с повышением плотности упаковки логических элементов открывает возможности для реализации ранее недоступных архитектурных решений.

К увеличению числа логических элементов на кристалле ведут три пути: увеличение размеров кристалла; уменьшение размеров элементарных транзисторов;

уменьшение ширины проводников, образующих внутренние шины или соединяющих логические элементы между собой.

Увеличение размеров кристаллов процессорных СБИС происходит в соответствии с ранее рассмотренными общими тенденциями и не имеет каких-либо особенностей.

Плотность упаковки логических элементов в процессорных СБИС принято оценивать количеством транзисторов, из которых, собственно, и строятся логические схемы процессора. Общие тенденции в плане плотности упаковки проследим на примере линейки микропроцессоров фирмы Intel (рис. 1.11). Из рисунка видно, что количество транзисторов в микропроцессорах, выпущенных до 2002 года, хорошо согласуется с законом Мура. Та же закономерность прослеживается и для других типов процессорных СБИС. Достаточно близки и абсолютные показатели разных микропроцессоров, выпущенных приблизительно в один и тот же период. Так, микропроцессор Pentium 4 фирмы Intel содержит 42 млн транзисторов, а микропроцессор Athlon XL фирмы AMD — 37 млн.

Чтобы оценить перспективы роста плотности упаковки на ближайшие два десятилетия, на рис, 1.11 дополнительно приведены прогностические данные на период до 2020 года, взятые из [185].

Рис. 1.11. Тенденции увеличения количества транзисторов на кристаллах процессорных СБИС

Нетрудно заметить, что прогноз также не слишком расходится с уточненным законом Мура. Общий итог можно сформулировать следующим образом: плотность упаковки логических схем процессорных СБИС каждые два года будет возрастать вдвое.

В качестве параметра, характеризующего быстродействие логических схем процессорных СБИС, обычно используют так называемую внутреннюю тактовую частоту. На рис. 1.12 показаны значения тактовых частот микропроцессоров фирмы Intel. Из графика видно стремление к росту внутренней тактовой частоты процессорных СБИС: удвоение частоты происходит в среднем каждые два года. На рисунке присутствует также прогноз на ближайший период (данные взяты из [185]), из которого явствует, что в ближайшем будущем темп увеличения внутренней тактовой частоты может несколько снизиться.

Рис. 1.12. Тенденции увеличения внутренней тактовой частоты процессорных СБИС