6. Особенности ламповых гвв

Лампа – безинерционный активный элемент. Возбуждение – гармоническое напряжение. Используется тоже режим с отсечкой. Все сходно с транзистором.

Особенности характеристик имеются.

g – сетка:

1 – управляющая;

2 – экранная.

Отличие в том, что обычно исследуется семейство i_а=f(e_g) при разных е_а.

Рис. 6.1. Проходная и входная характеристики лампы

Рис. 6.2. Выходные характеристики лампы

Схема принципиальная

Рис. 6.3

g1 – управляющая сетка;

g2 – экранная сетка (+ const E);

e_g1=E_g+U_mgcost.

6.1. Формы импульсов в недонапряженном режиме

При работе с отсечкой анодного тока – в этом случае ток экранной сетки будет похожим, но меньше по амплитуде. Это характерно для недонапряженного режима.

Режим усиления:

е_а=E_а-U_mаcost

О





собенности ламп: напряжение на аноде – сотни и тысячи вольт, амплитуда U_ma тоже большая, следовательно, R_рез большое и контур проще выполнить (легче использовать полное включение).

Е

Рис. 6.4

сть особенность для перенапряженного режима: резко возрастают токи второй сетки.

6.2. Форма импульсов в перенапряженном режиме

Провал за счет того, что остаточное напряжение е_{а min}уменьшается, следовательно, возрастают токи сеток, перераспределяются, для экранной сетки – резко возрастает рассеиваемая мощностьР_g2=I_gl0*E_g2.

Рис. 6.5

6.3. Нагрузочные характеристики лампы

Рис. 6.6. Нагрузочные характеристики лампового ГВВ

То есть почти все особенности из-за наличия II сетки.

В цепи управляющей сетки за счет тока I_g0можно сделать автоматическое сеточное смещение.

Рис. 6.7. Автоматическое сеточное смещение

7. Транзисторные ГВВ в области средних

и высоких частот

До этого не учитывали инерционные свойства элемента (активного)

7.1. Эквивалентная схема и параметры биполярного транзистора

Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером (ОЭ) . Его зависимость от f определяет основные частотные свойства транзистора:

: . (7.1.)

Обозначим .

₀ – статический (НЧ) коэффициент усиления в схеме с ОЭ.

на ,

при .

Различают области низких (НЧ), средних (СЧ) и высоких (ВЧ).

Границы между областями, хотя и достаточно условны, приняты следующими [2]:

Рис. 7.1. Частотная характеристика БТ

а) НЧ: f<0,3 f_,, здесь (f) =₀.;

б) СЧ: между, (f) по общей формуле (7.1.);

в) ВЧ: f>0,3 f_,, здесь (f).

Появляется фазовый сдвиг между токами коллектора и базы φ_β (рис.7.2).

Рис. 7.2. Фазо-частотная характеристика БТ

_=-arсtg _, где _ - среднее время жизни неосновных носителей (время рекомбинации).

_=_/₀ - среднее время пролета носителей через базу.

r_β

r_э

Рис. 7.3. Эквивалентная модель Джиаколетто

r’_э

Имеются три индуктивности: базы, эмиттера, коллектора.

r_ - сопротивление материала базы;

r_к - сопротивление материала коллектора;

r_э - сопротивление стабилизирующих резисторов;

r_ – сопротивление рекомбинации;

С_э1 – барьерная емкость закрытого перехода (разомкнутого);

С_д - дополнительная диффузная емкость;

С_ка – емкость коллектор активная С_к=С_ка+С_кп;

С_кп – емкость коллектора пассивная;

i_г – ток генератора, i_г = S_п(U_п-Е);

транзистор управляется напряжениями U_п и U_бэ, они различаются, и током управляет только U_п;

S_п – крутизна транзистора по переходу.