H12б от 0,1*10-3 до 3*10-3

h22б от 0,1*10^-6 Ом до 10*10^-6 Ом

4.2 Пределы измерения h11б и (1-α) в схеме с общей базой при токах эмиттера не менее 0,1 мА

h11б от 10 Ом до 300 Ом

(1-α) от 0,01 до 0,3

4.3 Пределы измерения h-параметров в схеме с общим эмиттером:

h11э от 0,1 кОм до 10 кОм

(1-β) от 10 до 1000

h12э от 0,1*10^-3 до 3*10^-3

h12э от 0,1*10^-4 Ом до3*10^-4

4.4 Пределы измерения h11э и (β+1) в схеме с общим эмиттером при токах эмиттера не менее 0,1 мА:

h11э от 300 Ом до 10 кОм

(β+1) от 30 до 1000

4.5 Пределы измерения обратных токов Iko,Iэо и начального тока коллектораIкн от 0,03 мА до 100 мкА.

4.6 При измерении Iкн величина сопротивления в базе изменяется дискретно, принимая следующие значения: 0; 0,1; 0,3; 3; 10; 100 кОм с погрешностью ±2%.

4.7 Частота, на которой производятся измерения – 800 Гц ±20%.

4.8 Измеритель обеспечивает установку режимов по постоянному току в пределах:

- (Iэо) от 2 до 99 В ступенями через 1 В;

- напряжение на коллекторе или эмиттере при измерении;

- ток эмиттера от 30 мкА до 90 мкА ступенями через 10 мкА и от 0,1 мА до 29,9 мА ступенями через 0,1 мА;

- погрешность установки режимов составляет ±3% от установленной величины.

4.9 Погрешность измерений h11б,h12б,h22б составляет ±5%от конечного значения рабочей части шкалы. Погрешность изменения (1-α) составляет ±5% от конечного значения рабочей части шкалы, но не более ±10% от измеряемой величины в начале рабочей шкалы.

4.10 Погрешность измерения h11б составляет при токах эмиттера менее 0,1 мА ±5% от конечного значения рабочей части шкалы. Погрешность измерения (1-α) составляет ±55% от конечного значения рабочей части шкалы, но не более ±10% от измеряемой величины в начале рабочей области шкалы.

4.11 Погрешность измерения ток Iko,Iэо,Iкн составляет ±5% от конечного значения рабочей области шкалы.

4.12 Погрешность измерения h11э, +1,h12,h22э составляет ±5% от конечного значения рабочей области шкалы.

4.13 Дополнительная температурная погрешность параметров в интервале температур +5÷40^оС на каждые 10^оС: ±2.5% от конечного значения рабочей части шкалы; для параметров, указанных в п. 4.6 ±1% от установленной величины и п. 4.8 1,5% от установленной величины. Дополнительная погрешность при измерении влажности от 80% до 95%.

4.14 На электродах испытуемого транзистора амплитуда выбросов обратной полярности не более 1 В.

4.15 Измеритель сохраняет свои характеристики при его питании напряжением 220 ±22 В с частотой сети 50±0,5 Гц и содержанием гармоник до 5%.

5 Подготовка прибора к работе

5.1 Перед работой с измерителем необходимо внимательно изучить техническое описание, инструкцию по эксплуатации, ознакомиться со схемой и конструкцией измерителя.

5.2 Перед включением измерителя необходимо все ключи установить в среднее положение, а ручки установить в нулевое положение. Поставить переключатель «ПРЕДЕЛЫ h» в крайнее правое положение.

5.3 Включить измеритель и дать ему прогреться 15 минут.

5.4 Соединить перемычкой выводы эмиттера и базы, закрыть крышку блокировки. Поставить ключ «h11-(1-α) (β+1)» в положениеh11. РезисторомR76 стрелку отсчётного прибора установить на нуль. Убрать перемычку, поставить ключ в среднее положение.

5.5 Установить ручкой «КАЛИБР» стрелку отсчётного прибора на конец шкалы.

5.6 Установить ключ «ТОКИ – ОБЩ. БАЗА – ОБЩ. ЭМИТТЕР» в положение «ТОКИ».

Установить резистором «УСТ. НУЛЯ» стрелку отсчётного прибора на конец шкалы.

5.7 Вернуть ключ в среднее положение.

6 Работа с прибором

6.1 Установка режима может производиться без испытуемого транзистора, либо с испытуемым, но с открытой крышкой блокировки:

а) установка коллекторного или эмиттерного напряжения производится ручками Uk,Uэ,Vступенями через 1В или 10 В;

b) установка тока эмиттера производится ручкамиIэ>0.1 мА ступенями через 0,1; 1; 10 мА

Для случая Iэ<0.1 мА могут находиться в любом положении, т.к. ток, устанавливаемый этими ручками, не подаётся на испытуемый транзистор.

6.2 Измерение h-параметров в схеме с общей базой производится следующим образом:

а) установка тумблера «p-n-p» -- «n-p-n» в положение, соответствующее типу подключаемого транзистора;

b) установить требуемый испытательный режим;

с) установить испытуемый транзистор в колодку для подключения транзистора и закрыть крышку;

d) установить ключ «ТОКИ – ОБЩ. БАЗА – ОБЩ. ЭМИТТЕР» В ПОЛОЖЕНИЕ «ОБЩ. БАЗА»

е) пользуясь ключами «h11-(1-α) (β+1)»; «h12-h22» и переключателем «ПРЕДЕЛЫh», отсчитайте величину параметров по стрелочному прибору.

6.3 Измерение h-параметров в схеме с общим эмиттером производится следующим образом:

а) установите тумблер «p-n-p» -- «n-p-n» в положение, соответствующее типу подключаемого транзистора;

b) установите требуемый испытательный режим;

с) установить испытуемый транзистор в колодку для подключения транзистора и закрыть крышку;

d) установить ключ «ТОКИ – ОБЩ. БАЗА – ОБЩ. ЭМИТТЕР» В ПОЛОЖЕНИЕ «ОБЩ. ЭМИТТЕР»

е) пользуясь ключами «h11-(1-α) (β+1)»; «h12-h22» и переключателем «ПРЕДЕЛЫh», отсчитайте величину параметров по стрелочному прибору.

6.4 Измерение I_KH,I_KO,I_ЭO, переключателем «ПРЕДЕЛЫ μА», отсчитать по индикатору величину тока.

6.5 МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ. Для того, чтобы полностью исключить выходы используемых транзисторов из строя при их измерении, необходимо помнить:

а) не допускается регулировка U_K, иU_Э, при вставленном транзисторе и закрытой крышке;

b) не допускается устанавливатьU_Kбольше допустимого по ТУ для данного типа транзистора;

с) не допускается устанавливать I_Эбольше допустимого по ТУ для данного типа транзистора;

d) тумблер «p-n-p» -- «n-p-n» должен быть установлен в положение, соответствующее типу подключаемого транзистора;

е) устанавливать транзистор в колодку лишь в строгом соответствии с цоколевкой на данный тип транзистора.

Следует помнить, что при измерении h-параметров некоторых высокочастотных транзисторов возможна их генерация. При генерации стрелка отсчетного прибора резко отклоняется в обратную сторону.

Прежде чем нажать кнопку «I_ЭО» убедитесь, что напряжение на эмиттере не превышает допустимое напряжение на переходе!

Практически измерить h-параметры транзисторов.

Таблица 7.1 – замеров h-параметров , начальных и обратных токов маломощных транзисторов.

Тип транзистора	h11Э, кОм	h12Э, кОм	h21Э, кОм	h22Э, кОм	IKO, мкА	IЭO, мкА	IKН, мкА
МП26А	12,3	9×10-6	37	0,3	63,5	64	2,1
МП37Б	16,8	9×10-6	4,8	0,35	64,5	65	15
КТ315	0,1	3×10-6	10	3	60	62	7,5

1 Измерение h-параметров транзисторов

1.1 Измерение h-параметров основано на методе короткого замыкания и холостого хода, принятом для измерения параметров четырёхполюсников.

Ф

ункциональные схемы, приведены ниже, поясняют принцип измерения параметров в режимах короткого замыкания и холостого хода цепей по переменному току в схеме с общей базой

E

C

Г

V

B

ИT

Рисунок 1 – Схема измерения h_11b

ИТ – испытуемый транзистор;

Г – генератор низкочастотного сигнала;

С – конденсатор обеспечивающий короткое замыкание в выходной цепи.

Из схемы приведённой на рисунке 1, видно что значение h_11bопределяется из соотношения (1), где:

R– значение сопротивления;

U– значение напряжения, измеренного вольтметром;

U_г–действующее значение напряжения на выходе генератора низкочастотного сигнала.

Примечание – на рисунке 1-10 приняты аналогичные обозначения функциональных узлов и параметров.

1-h_21b=(2)

R

E

C

Г

B

ИT

C

R2

Рисунок 2 – Схема измерения 1-h_12b.

h_12b=(3)

E

C

B

Г

V

ИТ

Рисунок 3 – Схема измерения h_12b

E

C

h

B

ИT

_22b=(4)

C

R2

V

Рисунок 4 – Схема измерений h_22b(Л2-22/1).

Из приведенных формул (1,2,3,4) видно, что для определения h– параметров и параметров 1-h_12bнеобходимо поддерживать постоянным отношением. Отношениеподдерживается постоянным при помощи схемы калибровки, приведенной на рисунке 5, гдеR_К– калибровочный резистор.

(5)

Рисунок 5 – Схема калибровки измерителя (Л2-22/1).

Схема электрическая подачи постоянных составляющих токов и напряжений на испытуемый транзистор в схеме с общей базой приведена на рисунке 6.

Рисунок 6 – Схема подачи питания на испытуемый транзистор в схеме с общей базой (Л2-22/1).

Настроенный контур Др1-С1 служит для создания холостого хода в цепи эмиттера, а дроссель Др2 – для предотвращения замыкания переменной составляющей через источник коллекторного питания.

Диод Д1-Д2 является защитным и служит для снижения потенциала эмиттерного вывода при отсутствии испытываемого транзистора.

1.2 При измерении h-параметров в схеме с общим эмиттером используется тот же принцип, что и при измеренииh-параметров в схеме с общей базой. Также приведены функциональные схемы, поясняющие принцип измерения.

h_11E=(6)

Р

ИТ

С

исунок 7 – Схема измеренияh_11e.

R1

В

C

Е

1

Г

V

R2

+h_21e=` (7)

Р

ИТ

исунок 8 – Схема измерения 1+h_21e/

B

C

h

Г

V

E

_12e=(8)

Рисунок 9 – Схема измерения h_12e

C

Г

h

B

E

ИТ

_22e=(9)

R

V

Рисунок 10 – Схема измерения h_22e(Л2-22/1).

Др2

Е

С

I_E

U_CЕ

C1

Др1

ИТ

Д1

Д2

Д4

В

Д3

C1

Др3

Рисунок 11 – Схема подачи питания на испытуемый транзистор в схеме с общим эмиттером (Л2-22/1).

В схеме на рисунке 11 емкость С2 служит для соединения эмиттера с корпусом по переменной составляющей, а настроенный контур Др3-С3 – для создания холостого хода на входе.

Измерение обратных токов

Рисунок 12 – Принцип измерения обратных токов (Л2-22/1).

Напряжение от источника постоянного тока подается либо на коллектор измерения I_CBO,I_CES,I_CER, либо на эмиттере (измерениеI_ЕВО) испытуемого транзистора (ИТ). На резисторе К создается падение напряжения, пропорциональное обратному току перехода. Это напряжение усиливается усилителем постоянного тока (УПТ) и измеряется микроамперметром. При измеренииI_СЕRмежду эмиттером и базой ИТ включается внутренний магазин сопротивленийR_ВЕ. Переключение пределов измерения осуществляется изменением изменений значений сопротивленияR.