
- •Изучение основных логических элементов и цифровых микросхем
- •1. Теоретическая часть
- •1.1. Логические элементы
- •1.2. Простейшие логические элементы
- •1.3. Цифровые интегральные микросхемы
- •1.4. Основные характеристики и параметры лэ
- •1.4.1. Динамические параметры лэ
- •1.4.2. Статические параметры лэ
- •1.5. Семейства ис
- •1.5.1. Семейство ттл-схем
- •1.5.2. Лэ на кмоп-транзисторах
- •1.6. Основные логические элементы в программе Electronics Workbench (ewb)
- •1.7. Моделирование схем, реализующих основные логические функции
- •2. Самостоятельная подготовка к выполнению лабораторной работы
- •2.1. Контрольные вопросы
- •2.2. Индивидуальные задания
- •3. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3.1 Порядок выполнения работы на лабораторном макете
1.5. Семейства ис
Логические элементы, выполненные на основе одной конструктивно-технологической реализации, образуют семейство схем. В настоящее время широкое распространение получили семейства микросхем ТТЛ, ТТЛШ и КМОП-логики.
ТТЛ сокращенно означает транзисторно-транзисторная логика. Элементы этих схем построены на основе биполярных транзисторов.
В схемах семейства КМОП применяются комплементарные МОП-транзисторы с каналами n- и p-типа.
1.5.1. Семейство ттл-схем
Логические элементы схем этого семейства строятся на основе многоэмиттерных биполярных транзисторов, рисунок 1.5.
|
|
а) принципиальная схема |
б) УГО |
Рис. 1.5 – Простой ТТЛ-элемент 3И-НЕ |
Если на входах А, В и С действует высокое напряжение, то транзистор Т1 работает в инверсном режиме (переход база-коллектор смещен в прямом направлении). Транзистор Т2 открыт, и на выходе Z будет низкое напряжение примерно 0,2В.
Если на одном их входов транзистора Т1 действует низкое напряжение, то транзистор Т1 работает нормально в режиме насыщения. Напряжение на его коллекторе падает примерно на 0,2В. Транзистор Т2 закрывается. На выходе Z будет высокое напряжение.
Если один из входов многоэмиттерного транзистора Т1 «висит в воздухе», то он приравнивается к входу с высоким уровнем напряжения, так как такой вход не способен понизить напряжение в точке X схемы на рисунке 1.5 до 0,2В.
ТТЛ-элементы выпускаются в виде интегральных микросхем. Например, микросхема SN7400 (отечественный аналог ЛА3 серии К155) содержит четыре элемента 2И-НЕ, рисунок 1.6.
Рис. 1.6 – Схема подключения интегральной микросхемы SN7400
В основном ТТЛ-элементы выпускаются в DIP-корпусах, рисунок 1.7.
Рис. 1.7 – Корпус DIP с двухсторонним расположением выводов
В семейство ТТЛ-схем входят несколько серий ИМС. Все они имеют одинаковое напряжение питания ± 5В и совместимы друг с другом. Стандартная ТТЛ-серия К155 (7400) была первым промышленным стандартом.
В ТТЛШ-серии К531 (74S00) применение диодов и транзисторов Шоттки позволило сократить времена переключения схем. Маломощная ТТЛШ-серия К555 (74LS00) обладает более низкой потребляемой мощностью, чем предыдущая серия.
Таблица 1.6 – Электрические характеристики ИМС ТТЛШ-серии К555 (74LS00)
Напряжение питания |
Uпит = ± 5В |
Входное напряжение |
U0макс = 0,8В, U1мин = 2,0В |
Выходное напряжение |
U0макс = 0,4В, U1мин = 2,7В |
Пороговое напряжение |
Uпор = 1,3В |
Входной ток (уровень L) |
I0макс = – 0,4мА (ток вытекает) |
Выходной ток (уровень H) |
I1макс= – 0,4мА (ток вытекает) |
Входной ток (уровень H) |
I1макс = 0,02мА (ток втекает) |
Выходной ток (уровень L) |
I0макс = 8мА (ток втекает) |
Коэффициент разветвления по выходу |
20 |
Задержка распространения сигнала |
tзад = 9нс |
Время нарастания |
t0,1 = 10нс |
Время спада |
t1,0 = 6нс |
Потребляемая мощность на один элемент |
Pпот = 2мВт |
В семействе ТТЛ-схем имеются все типы элементов, реализующих основные логические функции:
НЕ (элементы ЛН);
mИ (элементы ЛИ);
mИ-НЕ (элементы ЛА);
mИЛИ (элементы ЛЛ);
mИЛИ-НЕ (элементы ЛЕ);
mИ/mИЛИ-НЕ (элементы ЛР).