Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электротехника и ПЭ / Лабораторная работа 1

.8.doc
Скачиваний:
56
Добавлен:
31.05.2015
Размер:
71.68 Кб
Скачать

Белорусский национальный технический университет

Кафедра «Электротехники и электроники»

Группа 106519

Исследование переходных процессов при разряде конденсатора

Отчет по лабораторной работе № 1.8

по дисциплине «Электротехника и электроника»

Исполнитель: ____________________________

22.04.2011 г.

Руководитель: ___________________________

22.04.2011 г.

Минск, 2011

1.Цель работы:

  1. Изучение влияния параметров разрядной цепи на процесс

  2. Приобретение навыков применения электронного осциллографа для исследования переходных процессов.

2.Схема электрической цепи:

3.Таблица вычислений и измерений, расчётные формулы:

1) Постоянная времени цепи разряда конденсатора через резистор:

2) Критическое сопротивление цепи при разряде конденсатора на катушку индуктивности с параметрамиОм иГн:

3) Частота свободных колебаний и коэффициент затухания колебательного контура R,L,C:

Rкр, Ом

,1/c

,1/c

По параметрам

По осциллограмме

4.Осциллограммы разрядного напряжения и тока :

5.Выводы о влиянии параметров R, C на характер и длительность переходных процессов в исследованных цепях:

  1. При подключении заряженного конденсатора к катушке с активным сопротивлением R и индуктивностью L в зависимости от соотношения параметров R, L, C возможен апериодический или периодический (колебательный) разряд конденсатора.

  2. Приобрели навыки применения электронного осциллографа для исследования переходных процессов.

  3. Сопротивление R оказывает существенное влияние на скорость колебательного разряда конденсатора. Кроме того, по мере увеличения R уменьшается частота свободных колебаний св и увеличивается их период Тсв. Когда .

  4. Кривые изменения uc и i в функции времени представляют собой затухающие синусоидальные колебания с угловой частотой свободных колебаний и коэффициентом затухания , зависящими от параметров контура R, L, C.

4