
- •Введение Тенденции развития конструкций эс
- •Терминология электронных средств
- •1. Методические рекомендации по самостоятельному изучению дисциплины
- •1.2. Программа курса и методические указания
- •Раздел 1. «Введение. Основные проблемы конструирования и производства радиоэлектронных средств» (2 часа).
- •Раздел 2. «Основные этапы разработки рэс. Методы проектирования. Этапы процесса проектирования» (2 часа).
- •Раздел 3. Теплообмен в рэс (4 часа).
- •Раздел 4. «Защита рэс от механических воздействий» (2 часа).
- •Раздел 9 «Контроль и прогнозирование качества рэс. Управление качеством рэс на предприятии» (2 часа).
- •Раздел 10 «Технологические процессы в рэс.» (4 часа).
- •Раздел 11 «Технология производства микросхем». (4 часа).
- •Раздел 12 «Патентно-правовые показатели конструкции рэс» (2 часа).
- •1.2. Свойства конструкций эс
- •1.3. Структурные уровни
- •1.4. Классификация электронных средств
- •Контрольные вопросы.
- •2. Факторы, определяющие построение электронных средств
- •2.1. Факторы окружающей среды
- •2.2. Системные факторы, определяющие построение электронных средств
- •2.2.1 Факторы, определяющие компоновку рэа
- •2.3. Факторы взаимодействия в системе «человек-машина»
- •2.3.1. Человеко-машинные системы, их классификация и свойства.
- •2.3.2. Психологические характеристики и параметры человека-оператора
- •2.4 Рабочая зона оператора
- •2.4.1. Формы рабочих зон
- •2.4.2. Размещение органов управления
- •2.4.3. Размещение средств отображения
- •2.4.4. Выбор типа индикаторных приборов
- •2.4.5. Рекомендации по оформлению лицевой панели
- •3. Конструкторское проектирование
- •Характер и вид конструкторских работ и организация творческой работы
- •Характер и вид конструкторских работ
- •3.1.2 Организация творческой работы конструктора
- •Общая методология конструирования эс
- •3.2. Стадии разработки эс
- •3.3. Выбор метода конструирования эс
- •3.4. Конструкторская документация
- •4. Современные и перспективные конструкции электронных средств
- •4.1. Компоновочные схемы фя цифровой мэа III поколения
- •4.2. Компоновочные схемы блоков цифровой мэа III поколения
- •4.3. Компоновочные схемы фя цифровой мэа IV поколения
- •4.4. Компоновочные схемы блоков цифровой мэа IV поколения
- •4.5 Компоновочные схемы приёмоусилительных фя мэа III поколения
- •4.6 Компоновочные схемы приемоусилительных фя мэа IV поколения
- •4.7 Компоновочные схемы блоков приёмоусилительной мэа
- •4.8. Компоновочные схемы модулей свч и афар
- •5. Системы базовых несущих конструкций
- •5.1. Конструкционные системы и иерархическая соподчиненность уровней эс
- •5.2. Основные виды конструкционных систем
- •5.3. Выбор несущих конструкций и корпусирование
- •5.4. Проблема развития бнк для современных эс
- •6. Унификация конструкций эс
- •6.1. Государственная система стандартизации (гсс)
- •6.2. Единая система конструкторской документации (ескд)
- •6.3. Разновидности стандартизации
- •6.4. Унификация эс
- •7. Тепловые и механические характеристики эс
- •7.1 Тепловой режим блоков мэа
- •7.2 Расчет тепловых режимов мэа
- •7.3. Механические воздействия на мэа
- •7.4 Защита блоков мэа от механических воздействий
- •8. Электромагнитная совместимость эс
- •8.2 Факторы, влияющие на эмс элементов и узлов эс
- •8.3. Наиболее вероятные источники и приемники наводимых напряжений (наводок)
- •8.4. Основные виды паразитных связей
- •8.4.1. Паразитная связь через общее сопротивление
- •8.4.2. Паразитная емкостная связь
- •8.4.3. Паразитная индуктивная связь
- •8.4.4. Паразитная связь через электромагнитное поле и волноводная связь
- •8.5. Экранирование
- •8.5.1. Принципы экранирования электрического поля
- •8.5.2. Принципы экранирования магнитного поля
- •8.6 Фильтрация
- •8.7. Заземление
- •8.8. Виды линий связи и их электрические параметры
- •8.8.1. Волоконно – оптические линии связи (волс)
- •8.9 Конструирование электрического монтажа
- •8.9.1 Классификация электромонтажа эс
- •8.9.2. Требования к электрическому монтажу эс
- •8.9.3. Требования к контактным узлам (разъемным и неразъемным)
- •8.9.4. Конструирование электромонтажа объемным проводом
- •8.9.5. Преимущества печатного, шлейфового и плёночного монтажа
- •8.9.6 Разъемы в эс
- •9. Влагозащита и герметизация
- •9.1. Выбор способа защиты металлических деталей и узлов с учетом требований по электропроводности корпуса изделий
- •9.1.1. Основные свойства некоторых металлических и химических покрытий
- •9.1.2. Лакокрасочные покрытия
- •9.1.3. Выбор защитного покрытия
- •9.2. Герметизация
- •9.2.1. Защита изделий изоляционными материалами
- •9.2.2. Герметизация с помощью герметичных корпусов
- •9.3. Примеры конструкций средств защиты
- •9.4. Выбор способа защиты от взрыво- и пожароопасной среды
- •3. Глоссарий
- •4. Методические рекомендации к выполнению лабораторных работ Лабораторная работа № 1 компоновка блока рэс
- •1. Общие положения
- •2. Лабораторное задание и методические указания к его выполнению
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы.
- •Разработка вспомогательных элементов рэс
- •1. Общие положения
- •2.Лабораторные задания и методические указания к его выполнению
- •2.1 Основные конструктивные требования к деталям в зависимости
- •Изогнутые детали
- •Полые детали
- •Литые детали
- •3. Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •9. Какая информация должна быть предусмотрена на рабочих чертежах деталей? Заключение
- •Распределение трудоемкости по темам
- •План-график самостоятельной работы
- •Задание на лабораторные работы
- •Кварцованный металлоискатель
- •Усилитель мощности укв.
- •Радиомикрофон 88-108 мГц
- •Клоп на 1.5 в
- •Усилитель мощности на 144 мГц
- •Библиографический список
- •Оглавление
8.5.2. Принципы экранирования магнитного поля
Для экранирования магнитного поля применяются два метода:
- метод шунтирования;
- метод магнитного поля экраном.
Рассмотрим подробнее каждый из этих методов.
Метод шунтирования магнитного поля экраном.
Метод шунтирования магнитного поля экраном применяется для защиты от постоянного и медленно изменяющего переменного магнитного поля. Экраны изготавливаются из ферромагнитных материалов с большой относительной магнитной проницательностью (сталь, пермаллой). При наличии экрана линии магнитной индукции проходят в основном по его стенкам (рисунок 8.15), которые обладают малым магнитным сопротивлением по сравнению с воздушным пространством внутри экрана. Качество экранирования зависит от магнитной проницаемости экрана и сопротивления магнитопровода, т.е. чем толще экран и чем меньше швов, стыков, идущих поперек направления линий магнитной индукции, эффективность экранирования будет выше.
Метод вытеснения магнитного поля экраном.
Метод вытеснения магнитного поля экраном применяется для экранирования переменных высокочастотных магнитных полей. При этом используются экраны из немагнитных металлов. Экранирование основано на явлении индукции. Здесь явление индукции полезно.
Поставим на пути равномерного переменного магнитного поля (рисунок 8.16, а) медный цилиндр. В нем возбудятся переменные ЭД, которые, в свою очередь, создадут переменные индукционные вихревые токи (токи Фуко). Магнитное поле этих токов (рисунок 8.16,б) будет замкнутым; внутри цилиндра оно будет направлено навстречу возбуждающему полю, а за его пределами – в ту же сторону, что и возбуждающее поле. Результирующее поле (рисунок 8.16, в) оказывается ослабленным у цилиндра и усиленным вне его, т.е. происходит вытеснение поля из пространства, занимаемого цилиндром, в чем и заключается его экранирующее действие, которое будет тем эффективнее, чем меньше электрическое сопротивление цилиндра, т.е. чем больше протекающие по нему вихревые токи.
Благодаря поверхностному эффекту («скинэффекту») плотность вихревых токов и напряженность переменного магнитного поля по мере углубления в металл падает по экспоненциальному закону
,
(8.5)
где
(8.6)
– показатель уменьшения поля и тока, которое называется эквивалентной глубиной проникновения.
Здесь
– относительная магнитная проницаемость
материала;
–магнитная
проницаемость вакуума, равная 1.25*108
гн*см-1;
–удельное
сопротивление материала, Ом*см;
–частота, Гц.
Величиной эквивалентной глубины проникновения удобно характеризовать экранирующий эффект вихревых токов. Чем меньше х0 , тем больше создаваемое ими магнитное поле, вытесняющее из пространства занятого экраном, внешнее поле источника наводки.
Для немагнитного
материала в формуле (8.6)
=1,
экранирующий эффект определяется только
и
.
А если экран сделать из ферромагнитного
материала?
При равных
эффект будет лучше, так как
>1
(50..100) и х0
будет меньше.
Итак, х0 является критерием экранирующего эффекта вихревых токов. Представляет интерес оценить, во сколько раз плотность тока и напряженность магнитного поля становится меньше на глубине х0 по сравнению, чем на поверхности. Для этого в формулу (8.5) подставим х=х0 , тогда
откуда видно, что на глубине х0 плотность тока и напряженность магнитного поля падают в е раз, т.е. до величины 1/2.72, составляющей 0.37 от плотности и напряженности на поверхности. Так как ослабление поля всего в 2.72 раза на глубине х0 недостаточно для характеристики экранирующего материала, то пользуются еще двумя величинами глубины проникновения х0,1 и х0,01 , характеризующими падение плотности тока и напряжения поля в 10 и 100 раз от их значений на поверхности.
Выразим значения х0,1 и х0,01 через величину х0 , для этого на основание выражения (8.5) составим уравнение
и
,
решив которые получим
х0.1=х0ln10=2.3x0; (8.7)
х0.01=х0ln100=4.6x0
На основании формул (8.6) и (8.7) для различных экранирующих материалов в литературе [1] приведены значения глубин проникновения. Эти же данные, с целью наглядности, приведем и мы в виде таблицы 8.1.
Из таблицы видно, что для всех высоких частот, начиная с диапазона средних волн, экран из любого металла толщиной 0,5..1,5 мм действует весьма эффективно. При выборе толщины и материала экрана следует исходить не из электрических свойств материала, а руководствоваться соображениями механической прочности, жесткости, стойкости против коррозии, удобства стыковки отдельных деталей и осуществления между ними переходных контактов с малым сопротивлением, удобства пайки, сварки и пр.
Из данных таблицы следует, что для частот больше 10 МГЦ пленка из меди и тем более из серебра толщиной меньше 0.1 мм дает значительный экранирующий эффект. Поэтому на частотах выше 10 МГц вполне допустимо применение экранов из фольгированного гетинакса или другого изоляционного материала с нанесенным на него медным или серебряным покрытием.
Сталь можно
использовать в качестве экранов, только
нужно помнить, что из-за большого
удельного сопротивления
и явления гистерезиса экран из стали
может вносить в экранирующие цепи
значительные потери.