2 / UMKD_Menushenkov_Lazernaya_tehnologiya_2008 / Konspekt_lekcij / lecture13

21

полупроводниковой подложки). При этом могут осуществляться разные режимы:

˚

- излучение полностью поглощается пленкой (толстые, более 1000A пленки металлов) и передача энергии в подложку происходит за счет теплопроводности;

- излучение частично поглощается в пленке (полупроводниковые пленки и тонкие пленки металлов), а остальная часть проходит к подложке и поглощается в ней.

Поэтому в случае сильно поглощающих пленок можно ограничиться чисто тепловой моделью процесса лазерного воздействия на слоистую структуру. При изучении данной проблемы следует рассматривать процессы поглощения лазерного излучения, тепло– и массопереноса как в металлах, так и в полупроводниках.