
- •Содержание
- •13 Заключение
- •1 Введение
- •2 Обоснование принципа построения и функциональной схемы преобразователя
- •2.1 Принцип управления мостовыми широтно-импульсными преобразователями
- •Мостовой шип с несимметричным законом управления
- •3.1 Параметры электродвигателя
- •3.2 Выбор трансформатора
- •3 Выбор емкости фильтра
- •7 Выбор транзисторов и диодов силовой цепи
- •8 Разработка схемы управления транзисторами
- •Электромеханические характеристики в режиме непрерывного тока системы шип – дпт
- •Электромеханические характеристики в режиме прерывистых токов системы шип – дпт
- •Регулировочная характеристика реверсивного шип
- •Преобразователь как элемент сау
- •13 Заключение
- •14 Литература
7 Выбор транзисторов и диодов силовой цепи
Выбор вентиля осуществляется по току и напряжению. Нагрузочная способность вентилей определяется максимально допустимой температурой полупроводниковой структуры, которая не должна быть превышена в любых режимах работы: длительная работа с номинальным током двигателя; рабочая перегрузка двигателя в течение заданного времени; аварийные режимы в течение времени срабатывания защиты. Нагрев вентиля зависит от величины и формы тока, а так же от условий охлаждения. Все это должно быть учтено при правильном выборе вентиля. Для повышения надежности работы преобразователя рекомендуется устанавливать вентили на типовых охладителях и применять естественное воздушное охлаждение.
Силовая цепь преобразователя выполнена с использованием гибридных модулей, состоящих из ключей IGBT и обратных диодов FWD, смонтированных в одном корпусе на общей токопроводящей пластине.
Осуществляю выбор основных силовых элементов схемы импульсного преобразователя, представленного на рисунке 2. Выбор производим по току и напряжению.
Определяем максимальную величину прямого, т.е. питающего напряжения, прикладываемого к вентилю:
Питающим напряжением инвертора служит максимальное значение прямого напряжения, определяемое по формуле
В,
где
- коэффициент пульсаций при
допустимом
изменение напряжения на конденсаторе;
-
коэффициент
схемы выпрямления;
-
фазное
напряжение вторичной обмотки
трансформатора.
Номинальный ток коллектора выбираем из условия выдерживания пускового тока
.
По найденным значениям тока и напряжения выбираю модуль типа:
IGBT транзистор и диод со сверхмалым временем восстановления: IRG4PSH71KD
-
номинальное напряжение;В;
-
номинальный ток коллектора
А.
Среднее значение тока через диод при номинальном токе двигателя
А,
где m2=3 - число фаз вторичной обмотки трансформатора.
Максимальная величина обратного напряжения, прикладываемого к вентилю
,
В, (6)
где Кзн– коэффициент запаса по напряжению, учитывающий возможные повышения напряжения питающей сети и всевозможные импульсные напряжения, вызванные коммутацией [1]. Принимаем Кзн= 1,8.
КUобр– коэффициент схемы по обратному напряжению [1]. КUобр= 1,045, тогда
В.
Выбираем неуправляемый выпрямитель для трехфазного мостового выпрямителя. Прямой ток должен выдерживать 4-х кратную перегрузку, а обратное напряжение необходимо принять 1000 В. Для обеспечения заданного режима работы и необходимой защиты выберем диод марки КД210Г [2, стр.109].
Паспортные данные:
-
Обратное напряжение
В;
-
Импульсное напряжение
В;
-
прямой ток
А;
-
ток импульсный
А;
-
максимальная частота
.
Система
защиты RC
цепочка шунтирования диода в связи с
приведенными паспортными данными диода:
емкость-
резистор
- МЛТ – 0,3 – 5
МOм.
По найденным значениям тока и напряжения выбираем [3, стр.12] модуль
типа IGBT транзистор и диод со сверхмалым временем восстановления МДТКИ 50 – 12.
Паспортные данные:
-
номинальное напряжение
В
берется с запасом для уменьшениявремени
рассасывания накопленного заряда и
спадания тока при выключении IGBT;
-
номинальный ток коллектора
А.
- климатическое исполнение ГОСТ 15150-69, ГОСТ 15543.1-89, УХЛ,Т категория 2,3.
Основные свойства:
- стандартный промышленный корпус.
-
чипы IGBT
гомогенной SPT-
структуры с
буфером
меньшими статическими потерями,
повышенной стойкостью и «мягкой»
коммутацией;
- обратные быстровосстанавливающиеся MPS-диоды с положительным тепловым коэффициентом оптимизированы для применения с SPT IGBT. Принципиальная электрическая схема изображена на рисунке 7.
Рисунок 7
Габаритно присоединительный чертеж IGBT транзистора
МДТКИ 50-12 изображен на рисунке 8
Рисунок 8