2Пзоза, 2пзозб, 2пзозв, 2пзозг, 2пз03д, 2пзозе, 2пзози, кпзоза, кпзозб, кпзозв, кпзозг, кпзозд, кпзозе, кпзозж, кпзози

Транзисторы кремниевые эпитаксиально - планарные полевые с зат­вором на основе p-n-перехода и каналом n-типа.

Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ) и низкой (2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектро­метрии.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Электрические параметры

Коэффициент шума на частоте 100 МГц при U_си = 10 В, U_зи = 0, R_г = 1,0 кОм

2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ не более 4 дБ

Электродвижущая сила шума при U_си = 10 В, U_зи = 0 не более:

на f = 20 Гц: 2ПЗОЗА, КПЗОЗА 30 нВ/

на f= 1,0 кГц: 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ 20 нВ/

КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ 100 нВ/

Среднеквадратичный шумовой заряд при U_си = 10 В, U_зи = 0, С_г = 10 пФ, _ф=1 мкс

2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ не более 0,6 10^-16 Кл

Крутизна характеристики при U_си ⁼ 10 В, U_зи = 0, f = 50 … 1500 Гц:

при Т=298 К:

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ 1-4мА/В

2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ . .,. 2-5 мА/В

2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ 3-7 мА/В

2ПЗОЗД, КПЗОЗД не менее 2,6 мА/В

2ПЗОЗЕ, КПЗОЗЕ не менее 4,0 мА/В

2ПЗОЗИ, КПЗОЗИ 2-6 мА/В

при Т=213 К не менее:

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ 1,0 мА/В

2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗИ 2,0 мА/В

2ПЗОЗГ . . . 3,0 мА/В

2ПЗОЗД 2,6 мА/В

2ПЗОЗЕ 4,0 мА/В

при Т=233 К не менее:

КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ ........ 1,0 мА/В

КПЗОЗВ, КПЗОЗИ . 2,0 мА/В

КПЗОЗГ 3,0 мА/В

КПЗОЗД 2,6 мА/В

КПЗОЗЕ 4,0 мА/В

при Т =398 К не менее:

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ 0,5 мА/В

2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗИ 1,0.мА/В

2ПЗОЗГ 1,5 мА/В

2ПЗОЗД 1,3 мА/В

2ПЗОЗЕ 2,0 мА/В

при Т =358 К не менее:

КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ 0,5 мА/В

КПЗОЗВ, КПЗОЗИ 1,0 мА/В

КПЗОЗГ 1,5 мА/В

КПЗОЗД 1,3 мА/В

КПЗОЗЕ . 2,0 мА/В

Начальный ток стока при U_си = 10 В, U_зи = 0

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ 0,5-2,5 мА

2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ 1,5-5,0 мА

2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ 3,0-12мА

2ПЗОЗД, КПЗОЗД 3,0-9,0 мА

2ПЗОЗЕ, КПЗОЗЕ 5,0-20 мА

КПЗОЗЖ 0,3-3,0 мА

2ПЗОЗИ, КПЗОЗИ 1,5-5,0 мА

Напряжение отсечки при U_си =10 В, I_с = 0,01 мА:

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ 0,5-3,0 В

2ПЗОЗВ, КПЗОЗВ 1,0-4,0 В

2ПЗОЗГ, 2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ не более 8,0 В

КПЗОЗЖ 0,3-3,0 В

2ПЗОЗИ 1,0-3,0 В

КПЗОЗИ 0,5-2,0 В

Ток утечки затвора при U_зи =10 В не более:

при Т =298 К:

2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ,

2ПЗОЗИ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ 1,0 нА

2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ 0,1 нА

КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ . 5 нА

при Т = 398 К 2ПЗОЗА, 2ПЗОЗБ, 2ПЗОЗВ, 2ПЗОЗГ,

2ПЗОЗД, 2ПЗОЗЕ, 2ПЗОЗИ 1,0 мкА

при Т =358 К КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ,

КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ 1,0 мкА

Ток утечки затвора при U_зи = 30 В не более 10 мкА

Емкость входная при U_си = Ю В, U_зи = 0, f= 10 МГц не более 6,0 пФ

Емкость проходная при U_си = 10В, U_зи = 0, f= 10 МГц, не более 2,0 пФ

Сопротивление изоляции канал-корпус не менее 20 МОм