Справочные данные стабилитронов д814а, д814б, д814в, д814г, д814д

Стабилитроны кремниевые сплавные.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами при­водятся на корпусе.

Масса стабилитрона не более 1г.

Электрические параметры

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, Iст = 5 мА:

Д814А 8,0 В

Д814Б 9,0В

Д814В 10,0 В

Д814Г 11,0 В

Д814Д 13,0 В

Разброс напряжения стабилизации I_ст = 5 мА: при 298 К

Д814А От 7,0 до 8,5 В

Д814Б От 8,0 до 9,5 В

Д814В . От 9,0 до 10,5 В

Д814Г От 10,0 до 12,0 В

Д814Д От 11,5 до 14,0 В

при 213 К

Д814А От 6,0 до 8,5 В

Д814Б От 7,0 до 9,5*В-

Д814В От 8,0 до 10,5 В

Д814Г От 9,0 до 12,0 В

Д814Д От 10,0 до 14,0 В

при 398 К

Д814А От 7,0 до 9,5 В

Д814Б От 8,0 до 10,5 В

Д814В От 9,0 до 11,5 В

Д814Г От 10,0 до 13,5 В

Д814Д От 11,5 до 15,5 В

Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К, не более:

Д814А 0,07 %/К

Д814Б 0,08 %/К

Д814В 0,09 %/К

Д814Г, Д814Д 0,095 %/К

Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1%

Постоянное прямое напряжение при 298 К, I_пр = 50 мА, не более 1В

Постоянный обратный ток при 298 К, U_обр = 1 В, не более 0,1 мкА

Дифференциальное сопротивление, не более: при 298 К, I_ст = 5 мА

Д814А 6 Ом

Д814Б 10 Ом

Д814В 12 Ом

Д814Г 15 Ом

Д814Д . 18 Ом

при 213 и 398 К, I_ст = 5 мА

Д814А 15 Ом

Д814Б 18 ом

Д814В 25 Ом

Д814Г 30 Ом

Д814Д 35 Ом

при 298 К, I_ст = 1 мА

Д814А 12 Ом

Д814Б 18 Ом

Д814В 25 Ом

Д814Г 30 Ом

Д814Д ...... ....... 35 Ом

Зависимость дифференциально­го сопротивления от тока

Предельные эксплуатационные данные

Минимальный ток стабилизации 3 мА

Максимальный ток стабилизации при температуре; от 213 до 308 К

Д814А 40 мА

Д814Б 36 мА

Д814В 32 мА

Д814Г 29 мА

Д814Д 24 мА

при 398 К

Д814А 11,5мА

Д814Б 10,5 мА

Д814В 9,5 мА

Д814Г 8,3 мА

Д814Д 7,2 мА

Рассеиваемая мощность при температуре:

от 213 до 308 К 340 мВт

при 398 К 100 мВт

Температура окружающей среды От 213 до 398 К

Температура перехода 398 К

Зависимость среднего темпера­турного коэффициента напряже­ния стабилизации от тока.

Зависимость дифференциально­го сопротивления от темпера­туры

Зависимость максимальной рас­сеиваемой мощности от темпе­ратуры

Зависимость максимального тока стабилизации от темпера­туры

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы.-М.:Высш.шк., 1981. -431с.

2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М.: Энергия, 1973, - 608 с.

3. Микроэлектроника: Учебн. пособие для втузов / Под редакцией Л.А.Коледова. Кн.1. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники / О.В. Митрофанов, Б.В. Смирнов, Л.А. Коледов. - М.: Высш. шк., 1987. - 168с.

4 Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. П/р Н. Н. Горюнова. Справочник. М.: Энергоатомиздат 1982.