а— смещение динамических характеристик при изменении коллекторного питания; б— статические модуляционные характеристики при коллекторной модуляции
32
Рис. 11.
Небольшой рост IВЫХ1, IВЫХ0 может наблюдаться из-за сдвига статической характеристики iВЫХ(uBX) влево, если проницаемость D .
При уменьшении ЕП в области ЕП<ЕПКР остаточное напряжение на коллекторе uВЫХМИН становится меньше критического, в импульсе тока появляется провал и амплитуда тока IВЫХ1 вместе с IВЫХ0 убывает.
При ЕП=0 ток, протекающий в цепи коллектора, близок к нулю (рис.11б). Приближенно можно считать, что в области ПР IВЫХ1 изменяется пропорционально ЕП. Аналогично ведет себя зависимость IВЫХ0(ЕП).
33
Входной ток IВХ0 в схеме с ОЭ несколько возрастает с уменьшением ЕП в ПР во
всех АЭ, в которых он существует (рис.11а).
Влияние температуры на режим УМ на БТ
С повышением температуры T проходная СХ транзистора сдвигается влево и ее крутизна уменьшается (рис.12). Главную роль играет изменение Е'.
Поэтому анализ влияния температуры на IК1, IК0 сводится к изучению влияния изменения Е' на токи при фиксированных UBX, ЕС, ЕП и RН.
Предположим, что при средней расчетной рабочей температуре TРАСЧ имеет место режим КР.
Понижение температуры, как видно из рис.12, вызовет уменьшение амплитуды импульса тока и угла отсечки.
При этом IК1 уменьшится и в соответствии с IВЫХ1=SUВХ 1( ) транзистор станет работать в HP.
Увеличение температуры, как следует из рис.12, приводит к увеличению IК1 и UH= IК1 RН,
значит, к режиму ПР.
Рост T
U
ВХ
(T ) ( ) (IК1) ПР
Рис.12. Влияние температуры на проходные характеристики транзистора
34
При этом из-за появления провала в импульсе тока рост IК1, IК0 с увеличением Т будет небольшим (рис.13). Однако рассеиваемая на коллекторе мощность PРАС будет несколько увеличиваться и вызывать дополнительный разогрев транзистора.
|
Анализ влияния вариаций Т и других |
|||
параметров |
на |
режим |
ГВВ |
показывает |
необходимость в специальных мерах для |
||||
стабилизации режима АЭ в УМ. |
|
|
||
Стабилизировать режим при изменении одного |
||||
или нескольких параметров можно, регулируя |
||||
(желательно автоматически) какой-либо параметр |
||||
так, чтобы основные энергетические параметры Р1, |
||||
Э, РРАС поддерживались неизменными. |
Рис. 13. Зависимости |
|||
Например, уменьшение Е', вызванное ростом |
амплитуды токов IК1, IК0 от |
|
температуры транзистора |
||
температуры Т, можно скомпенсировать, уменьшая |
||
|
||
напряжение смещения ЕС (или ток базы). |
|
35
UR3=1.6 В |
UR4=1 В |
Рис. 14. Схема УМ с активной коллекторной стабилизацией
Напряжение на базе VT1 зафиксировано делителем R1, R3.
При увеличении коллекторного тока VT2 (например, при увеличении температуры) уменьшается напряжение Б-Э и ток базы VT1. Это вызывает уменьшение коллекторного тока VT1, который является базовым током VT2, что приводит к уменьшению коллекторного тока VT2. При изменении температуры в пределах0С нестабильность коллекторного тока VT2 не более 2%.
Другим распространенным способом стабилизации режима от изменений температуры является включение низкоомного резистора в цепь эмиттера.
36
Контрольные вопросы.
1. Как изменится показание амперметра в схеме на рис. при разрыве в цепи сопротивления нагрузки Rн?
Рис. 1 — уменьшится, 2 — увеличится, 3 — не изменится.
2. В усилительном каскаде транзистор работает на настроенную нагрузку. |
||
Режим критический. Каким станет режим, если: |
|
|
а) увеличить амплитуду входного гармонического напряжения; |
|
|
б) уменьшить напряжение смещения; |
|
|
в) увеличить сопротивление нагрузки; |
|
|
г) уменьшить сопротивление нагрузки; |
|
|
д) расстроить нагрузку, не изменяя активную составляющую ее проводимости; |
|
|
е) уменьшить напряжение питания коллектора; |
37 |
|
ж) увеличить напряжение питания коллектора. |
||
|
||