
- •Глава 1. Введение
- •1.1. Классификация методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела
- •1.2. Сверхвысокий вакуум
- •Глава 2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
- •2.1. Общие замечания
- •2.2. Физические принципы РФЭС
- •2.3. Качественный анализ спектров
- •2.3.1. Спектроскопические обозначения уровней
- •2.4. Количественный анализ спектров. Расчет интенсивности
- •2.4.1. Характеристика процесса фотоионизации
- •2.4.2. Характеристика образца
- •2.4.3. Аппаратный фактор
- •2.4.4. Интенсивность фотоэлектронной линии
- •2.5. Количественный анализ спектров. Расчет энергии связи
- •2.6. Структура РФЭ спектров
- •2.6.1. Первичная структура РФЭ спектров
- •2.6.1.1. Остовные уровни
- •2.6.1.2. Спин-орбитальное расщепление уровней
- •2.6.1.3. Валентные уровни
- •2.6.1.4. Серии оже-переходов, возбуждаемых рентгеновским излучением
- •2.6.1.5. Сдвиг фотоэлектронных и оже-электронных линий
- •2.6.2. Вторичная структура РФЭ спектров
- •2.6.2.1. Ложные пики низкой интенсивности
- •2.7. Аппаратура для РФЭС
- •2.7.1. Источник рентгеновского излучения
- •2.7.2. Энергоанализатор
- •2.7.3. Детектор электронов
- •2.8. Использование метода РФЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •2.8.1. Образование наноструктур на поверхности Si (100), индуцированное адсорбцией кислорода
- •2.8.3. Исследование кинетики роста островков оксидной фазы на поверхности Ni в окрестности точки Кюри
- •2.8.5. Эволюция электронной структуры нанокластеров благородных металлов
- •2.9. Контрольные вопросы к главе 2
- •3.1. Общие замечания и историческая справка
- •3.2. Физические основы ОЭС
- •3.3. Общий вид электронного спектра в ОЭС
- •3.4. Расчет кинетической энергии оже-электрона
- •3.5. Форма оже-электронных спектров
- •3.6. Тонкая структура оже-электронных спектров
- •3.8. Количественный анализ оже-электронных спектров
- •3.9. Сравнение характеристик ОЭС и РФЭС
- •3.10. Аппаратура для ОЭС
- •3.11. Использование метода ОЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •3.12. Контрольные вопросы к главе 3
- •Глава 4. Спектроскопия рассеяния медленных ионов
- •4.1. Общие замечания
- •4.2. Физические основы СРМИ
- •4.3. Общий вид обзорного спектра РМИ
- •4.4. Интенсивность спектральных линий. Сечение рассеяния
- •4.5. Эффект нейтрализации ионов
- •4.6. Структурные эффекты в СРМИ
- •4.6.1. Эффект затенения
- •4.6.2. Эффект многократного рассеяния
- •4.6.3. Применение метода СРМИ для определения степени покрытия поверхности
- •4.6.4. Влияние структуры поверхности на линии спектров РМИ
- •4.7. Аппаратура СРМИ
- •4.8. Использование метода СРМИ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •4.8.1. Исследование in situ эволюции электронной структуры наноразмерных слоев HfO2 при отжиге в вакууме
- •4.8.2. Исследование начальной стадии окисления поверхности никеля
- •4.8.3. Возбуждение электрон-дырочных пар в процессе рассеяния ионов на поверхности нанокластеров Au
- •4.8.4. Исследование релаксации поверхности Ag(111) при нагреве методом СРБИ
- •4.9. Контрольные вопросы к главе 4
- •Глава 5. Сканирующая зондовая микроскопия
- •5.1. Введение
- •5.2. Физические основы СТМ
- •5.3. Аппаратура для СТМ
- •5.4. Физические основы АСМ
- •5.5. Использование методов СЗМ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •5.6. Контрольные вопросы к главе 5
- •Глава 6. Дифракция медленных электронов
- •6.1. Введение
- •6.2. Кристаллография поверхности
- •6.2.1. Трехмерные кристаллические решетки
- •6.2.2. Двумерные кристаллические решетки
- •6.2.3. Индексы Миллера для атомных плоскостей
- •6.3. Дифракция на кристаллической решетке
- •6.3.1. Дифракция на трехмерной решетке
- •6.3.2. Дифракция на двумерной решетке
- •6.4. Аппаратура, геометрия и структурные эффекты в ДМЭ
- •6.4.1. Влияние дефектов, доменной структуры и кластеров на поверхности
- •6.4.2. Учет тепловых колебаний атомов решетки
- •6.5. Использование метода ДМЭ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •6.6. Контрольные вопросы к главе 6
- •ЗАДАЧИ
- •Список рекомендуемой литературы

6.2.3. Индексы Миллера для атомных плоскостей
Ориентация любой плоскости может быть задана указанием вектора ее нормали. Поскольку для каждого семейства параллельных атомных плоскостей трехмерного кристалла соответствующие им векторы обратной решетки нормальны, то их используют для обозначения атомных плоскостей. Например, для плоскости основных
векторов |
прямой решетки (aG,b ) вектор обратной решетки |
cK* ~ aG×bG |
(aK,b). |
Индексами Миллера для атомной плоскости называются координаты наименьшего вектора обратной решетки, перпендикулярного к данной плоскости, в системе координат, заданной основными векторами обратной решетки. Так, атомная плоскость с индексами
Миллера (hkl) – это плоскость, перпендикулярная к вектору об-
ратной решетки haG* + kb* + lcG* .
Индексы Миллера имеют простую геометрическую интерпретацию: они обратно пропорциональны отрезкам, отсекаемым данной атомной плоскостью на координатных осях прямой решетки кристалла, задаваемых ее основными векторами. Так, плоскость (100) отсекает единичный отрезок от оси, задаваемой вектором a ,
и параллельна осям, задаваемым векторами b и c , а плоскость (111) отсекает отрезки единичной длины от всех трех координатных осей (рис.6.5).
Рис.6.5. Три атомные плоскости и их индексы Миллера для простой кубической решетки Браве. a , b и c – основные векторы решетки Браве 80)
Для обозначения плоскости в прямой решетке используют индексы Миллера в круглых скобках (hkl). Если обозначают не кон-
235

кретную плоскость, а семейство эквивалентных для данного кристалла плоскостей, то индексы Миллера заключают в фигурные скобки {hkl}. Для кубической решетки эквивалентными плоскостями являются плоскости (100), (010) и (001), которые могут быть обозначены как {100}. Для обозначения направления в прямой решетке (т.е. вектора нормали к определенной плоскости) используют индексы Миллера в квадратных скобках [hkl]. Семейство эквивалентных направлений обозначают индексами Миллера в угловых
скобках hkl . Черта над индексом Миллера обозначает знак «ми-
нус».
Поскольку поверхность монокристалла совпадает с одной из его атомных плоскостей, для ее обозначения также используют индексы Миллера. Например, поверхность кристалла каменной соли с кубической решеткой может быть задана как NaCl (100). Иногда для удобства в обозначении индексов Миллера используют избыточный векторный базис, т.е. систему координат, задаваемую более чем тремя векторами. Типичным примером является обозначение плоскости гексагональной решетки высоко ориентированного пиролитического графита ВОПГ (0001) (рис.6.6, б).
а |
б |
Рис.6.6. Кристаллическая решетка NaCl. Черные и белые шары обозначают ионы Nа+ и Cl-. По отдельности черные и белые шары образуют две вставленных друг в друга г.ц.к. решетки 80) (а); кристаллическая решетка высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), состоящая из параллельных атомных слоев с гексагональной атомной структурой [5] (б).
В общем случае, вследствие явления реконструкции поверхностная кристаллическая решетка может отличаться от двумерной решетки соответствующей атомной плоскости в объеме трехмерно-
236

го кристалла. Соотношение между векторами трансляции поверхностной и объемной решеток задается матрицей преобразования М:
|
|
Rs = MR |
|
(6.8) |
|
aG |
|
или |
|
aG |
|
|
m m |
||||
Gs |
= 11 |
12 |
|
G . |
|
|
|
|
m22 |
|
|
bs |
m21 |
b |
Для обозначения реконструированной поверхности, а также двумерной решетки, образуемой на поверхности кристалла адсорбированными атомами, используют систему обозначений Вуда. Согласно этой системе, если соотношение модулей векторов поверх-
ностной и объемной решеток составляет as = Na и bs = Lb , поверхностная решетка повернута на угол ϕ относительно объемной, то обозначение плоскости поверхности (hkl) материала Х имеет вид: X (hkl)(N × L)RϕD . Решетка адсорбированных атомов вещества А
на поверхности Х обозначается как X (hkl)(N × L)RϕD − A . Например, адсорбции кислорода на поверхности никеля Ni(110) приводит к образованию поверхностной решетки Ni (110)c(2 × 2)− O , где символ с обозначает центрированную решетку (рис.6.7).
Рис.6.7. Структура поверхностной центрированной прямоугольной
решетки Ni (110)c(2 × 2)− O ,
образуемой атомами кислорода, адсорбированными на поверхно-
сти никеля Ni(110). Здесь aGs и bGs
– основные векторы поверхностной решетки Ni; aG′s = 2aGs и
G G
bs′ = 2bs – основные векторы
поверхностной решетки, образуемой адатомами кислорода [4]
237