
- •Глава 1. Введение
- •1.1. Классификация методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела
- •1.2. Сверхвысокий вакуум
- •Глава 2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
- •2.1. Общие замечания
- •2.2. Физические принципы РФЭС
- •2.3. Качественный анализ спектров
- •2.3.1. Спектроскопические обозначения уровней
- •2.4. Количественный анализ спектров. Расчет интенсивности
- •2.4.1. Характеристика процесса фотоионизации
- •2.4.2. Характеристика образца
- •2.4.3. Аппаратный фактор
- •2.4.4. Интенсивность фотоэлектронной линии
- •2.5. Количественный анализ спектров. Расчет энергии связи
- •2.6. Структура РФЭ спектров
- •2.6.1. Первичная структура РФЭ спектров
- •2.6.1.1. Остовные уровни
- •2.6.1.2. Спин-орбитальное расщепление уровней
- •2.6.1.3. Валентные уровни
- •2.6.1.4. Серии оже-переходов, возбуждаемых рентгеновским излучением
- •2.6.1.5. Сдвиг фотоэлектронных и оже-электронных линий
- •2.6.2. Вторичная структура РФЭ спектров
- •2.6.2.1. Ложные пики низкой интенсивности
- •2.7. Аппаратура для РФЭС
- •2.7.1. Источник рентгеновского излучения
- •2.7.2. Энергоанализатор
- •2.7.3. Детектор электронов
- •2.8. Использование метода РФЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •2.8.1. Образование наноструктур на поверхности Si (100), индуцированное адсорбцией кислорода
- •2.8.3. Исследование кинетики роста островков оксидной фазы на поверхности Ni в окрестности точки Кюри
- •2.8.5. Эволюция электронной структуры нанокластеров благородных металлов
- •2.9. Контрольные вопросы к главе 2
- •3.1. Общие замечания и историческая справка
- •3.2. Физические основы ОЭС
- •3.3. Общий вид электронного спектра в ОЭС
- •3.4. Расчет кинетической энергии оже-электрона
- •3.5. Форма оже-электронных спектров
- •3.6. Тонкая структура оже-электронных спектров
- •3.8. Количественный анализ оже-электронных спектров
- •3.9. Сравнение характеристик ОЭС и РФЭС
- •3.10. Аппаратура для ОЭС
- •3.11. Использование метода ОЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •3.12. Контрольные вопросы к главе 3
- •Глава 4. Спектроскопия рассеяния медленных ионов
- •4.1. Общие замечания
- •4.2. Физические основы СРМИ
- •4.3. Общий вид обзорного спектра РМИ
- •4.4. Интенсивность спектральных линий. Сечение рассеяния
- •4.5. Эффект нейтрализации ионов
- •4.6. Структурные эффекты в СРМИ
- •4.6.1. Эффект затенения
- •4.6.2. Эффект многократного рассеяния
- •4.6.3. Применение метода СРМИ для определения степени покрытия поверхности
- •4.6.4. Влияние структуры поверхности на линии спектров РМИ
- •4.7. Аппаратура СРМИ
- •4.8. Использование метода СРМИ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •4.8.1. Исследование in situ эволюции электронной структуры наноразмерных слоев HfO2 при отжиге в вакууме
- •4.8.2. Исследование начальной стадии окисления поверхности никеля
- •4.8.3. Возбуждение электрон-дырочных пар в процессе рассеяния ионов на поверхности нанокластеров Au
- •4.8.4. Исследование релаксации поверхности Ag(111) при нагреве методом СРБИ
- •4.9. Контрольные вопросы к главе 4
- •Глава 5. Сканирующая зондовая микроскопия
- •5.1. Введение
- •5.2. Физические основы СТМ
- •5.3. Аппаратура для СТМ
- •5.4. Физические основы АСМ
- •5.5. Использование методов СЗМ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •5.6. Контрольные вопросы к главе 5
- •Глава 6. Дифракция медленных электронов
- •6.1. Введение
- •6.2. Кристаллография поверхности
- •6.2.1. Трехмерные кристаллические решетки
- •6.2.2. Двумерные кристаллические решетки
- •6.2.3. Индексы Миллера для атомных плоскостей
- •6.3. Дифракция на кристаллической решетке
- •6.3.1. Дифракция на трехмерной решетке
- •6.3.2. Дифракция на двумерной решетке
- •6.4. Аппаратура, геометрия и структурные эффекты в ДМЭ
- •6.4.1. Влияние дефектов, доменной структуры и кластеров на поверхности
- •6.4.2. Учет тепловых колебаний атомов решетки
- •6.5. Использование метода ДМЭ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •6.6. Контрольные вопросы к главе 6
- •ЗАДАЧИ
- •Список рекомендуемой литературы
тельного потенциала на поверхности образца. Для определения положений спектральных линий в этом случае необходимо проведение процедуры калибровки по известной линии в спектре.
2.3. Качественный анализ спектров
Все химические элементы различаются строением атома. Измеряя энергию связи электронов в атомах исследуемого вещества (положение спектральных линий), можно получить информацию об электронной структуре атома и, тем самым, идентифицировать химические элементы. Для этой цели сначала получают так называемый обзорный спектр образца, т.е. полный спектр кинетических энергий фотоэлектронов от KE=0 до КЕ=hv, прописываемый для экономии времени с низким разрешением и позволяющий определить энергии связи основных фотоэлектронных пиков с точностью в несколько электронвольт. Далее для детального анализа прописывают отдельные спектральные линии (частичный спектр) в узком интервале энергий (обычно ±5÷10 эВ относительно положения пика) с более высоким разрешением. Любой элемент даёт одну или более спектральных линий. Линия с максимальной интенсивностью называется основной и обычно используется для идентификации элемента в спектре. Особенностью метода РФЭС является невозможность регистрации в спектрах линий водорода и гелия.
2.3.1. Спектроскопические обозначения уровней
Состояние электрона в атоме может быть описано четырьмя квантовыми числами: главным квантовым числом n=0, 1, 2, ...; орбитальным квантовым числом l=0, 1, 2, ..., n-1, определяющим
проекцию вектора орбитального момента электрона l ; спиновым квантовым числом s=½ и квантовым числом j, определяющим зна-
чение полного момента количества движения электрона j . Спины, орбитальные и полные моменты отдельных электронов в
атоме определяютG значения суммарного спина S , орбитального L
и полного J момента атома. Существует несколько методов определения полного момента атома, различающихся способами суммирования электронных моментов. Использование того или иного
36
метода зависит от силы электронного взаимодействия в описываемом атоме. Различают два предельных типа электронной связи и соответствующих правил суммирования моментов.
Слабая связь (LS-связь или рэссел-саундеровская связь). Дан-
ный тип связи наиболее адекватно описывает атомы, в которых взаимодействие орбитальных l j и собственных s j моментов количества движения электронов друг с другом сильнее, чем взаимодействие моментов l j и s j для каждого электрона в отдельности.
Связь орбитального и спинового моментов в этом случае называется слабой и является наиболее распространенной в «легких» атомах с номером Z < 75 . В этом случае векторы орбитального и спинового моментов электронов складываются по отдельности, образуя
|
G |
N G |
вектор суммарного орбитального момента атома L = ∑l j и сум- |
||
марного спинового момента атома SH |
|
j=1 |
N |
|
|
= ∑sGj (N – число электронов |
j=1
в атоме). Оба суммарных момента векторно складываются в пол-
ный момент атома J = L + S .
Сильная связь (j-j связь). Данный тип связи осуществляется, когда взаимодействие l j и s j для каждого из электронов сильнее,
чем взаимодействие порознь орбитальных и спиновых моментов различных электронов между собой. Такая связь существует преимущественно в «тяжелых» элементах с атомным номером Z > 75. Векторы орбитального и спинового моментов каждого электрона складываются, образуя вектор полного момента электрона
j j = l j + sGj . Полный момент атома образуется сложением полных
G N G
моментов всех электронов J = ∑ j j .
j=1
Метод сильной связи лежит в основе терминологии, используемой для описания оже- и фотоэлектронных спектров всех элементов. Существует два исторически сложившихся способа обозначения электронных уровней: спектроскопическое и рентгеновское обозначение (см. табл. 2.1). Спектроскопические обозначения опи-
37