Безотосный Физические основы сверхпроводимости Лабораторный практикум 2008

Контакты для резистивных измерений делают либо прижимным способом, либо нанесением на поверхность ВТСП материала металла с последующим вжиганием. В зависимости от способа изготовления контакты имеют сопротивление от 10 до 10-10 Ом см. Часто используемые на практике контакты, получаемые втиранием индия или нанесением проводящих паст, обладают, в лучшем случае, сопротивлением 10-2 Ом см и пригодны лишь для образцов с низкой токонесущей способностью (малым транспортным током) при проведении измерений в жидком хладагенте, где достигается необходимый теплосъем. Плохие контакты греются и приводят к повышению температуры образца.

Таким образом, резистивная методика наиболее успешно может быть применена для измерения критических токов небольшой

абсолютной величины, т.е. на пленках, где ic малы за счет малого

поперечного сечения, или при измерениях вблизи критической температуры.

Погрешности при регистрации вольт-амперных характеристик

В процессе измерения вольт-амперных характеристик полезный сигнал может подвергаться искажениям, часть из которых имеет принципиальный характер и не может быть устранена, а часть может быть существенно снижена специальными приемами.

Например, непостоянство значений температуры и магнитной индукции в объеме образца, заключенного между потенциальными контактами измерительной схемы может приводить к искажению регистрируемых переходов. Необходимость строго соблюдать однородность поля на образце требует готовить их так, чтобы весь участок между измерительными концами был строго перпендикулярным полю. Искажения могут возникать из-за шунтирования сверхпроводника нормальным металлом матрицы или подложки, на которую напаивается образец для его фиксации и улучшения теплоотвода. Учет этого фактора требует знания величины шунтирующего сопротивления Rsh и его зависимости от поля и температуры. Чтобы избежать необходимости учитывать ответвления час-

41

ти тока в шунтирующий нормальный металл, измерения лучше проводить на участке перехода, где dEdI << Rsh .

Поскольку тепловой разогрев образца и его шунтирование нормальным металлом приводят к искажением верхней части сверхпроводящего перехода, необходимо существенно увеличить чувствительность прибора, регистрирующего напряжение на образце. При этом на величину регистрирующего напряжения оказывает влияние контактные термоЭДС, дрейф, электромагнитные наводки на контур, образованный образцом и проводами, соединяющими его с регистрирующей аппаратурой. На слабый сигнал накладывается также шум. Для снижения термоЭДС измерительная схема должна выполняться из однородного материала и по возможности без каких-либо дополнительных контактов. Электромагнитные наводки снижают уменьшением площади измерительного контура, как за счет плотной свивки проводов, так и уменьшением их длины, а также экранированием входной цепи измерительного прибора. Дрейф измерительной аппаратуры может быть снижен тщательным термостатированием наиболее чувствительной части схемы. Следует также отдавать предпочтение приборам с небольшим временем успокоения измерительной схемы или снижать это время доводкой прибора.

Контрольные вопросы

1.Почему при резистивных измерениях критического тока используются четыре, а не два контакта?

2.С чем связано различие в значениях jc , измеренных индук-

тивным и резистивным методами?

3.Какие основные положения модели критического состояния (модели Бина)?

4.Сверхпроводниками какого рода являются ВТСП? Существует ли в ВТСП явление пиннинга?

42

5. Назовите характерные значения jc для различных видов ВТСП? С чем, по вашему мнению, связано различие величин jc для пленок и монокристаллов?

6.Какие особенности измерения jc в ВТСП?

7.Какие параметры сверхпроводника можно определить из зависимостей ic (T ) и ic (H ) ?

8.Как можно определить значение показателя степени а в вы-

ражении ic ~ (1−T 2Tc2 )a ?

Задания

1.Залить в криостат жидкий азот.

2.Включить источник тока, запитывающий резистивный соленоид.

3.Включить линейную развертку тока через соленоид.

4.Записать на ПЭВМ кривую зависимость индукции магнитного поля в сверхпроводнике от напряженности магнитного.

5.Провести измерения кривой намагниченности в диапазоне полей ± Нмакс(Нмакс определяется преподавателем).

6.Записать ВАХ при различных значениях магнитного поля.

7.Выключить установку.

8.Построить зависимости критического тока от магнитного поля из измерений намагниченности и ВАХ.

Список рекомендованной литературы

1.Шмидт В.В. Введение в физику сверхпроводников. М.:

МЦНМО, 2000.

2.Роуз-Инс А., Родерик Е. Введение в физику сверхпроводи-

мости. М.: Мир, 1979.

3. Буккель В. Сверхпроводимость. М.: Мир, 1975.

43

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6

ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЕРЕХОДА ТОНКИХ ПЛЕНОК. МЕТОД МАГНИТНОГО ЭКРАНИРОВАНИЯ

Цель: изучение метода измерения критической температуры сверхпроводящего перехода тонких пленок, основанного на измерении проникновения магнитного поля через сверхпроводник.

Введение

Сверхпроводники, один из линейных размеров (толщина) которых микроскопически мал (1 мкм), но больше длины когерентности ξ0 (~ 50 А ДЛЯ Nb3Sn), называются сверхпроводящими плёнками. Плёнки широко используются в вычислительной технике, биологии, медицине (СКВИД, переключатели и т.д.). На плёнках проводится исследование физических свойств сверхпроводников: глубины проникновения, энергетической щели, критических полей и критического тока, влияния облучения.

Для получения сверхпроводящих пленок используют различные методы. Наиболее распространены методы электронного пучкового, магнетронного и лазерного напыления. В каждом методе пленка наносится на подложку. Подложка может быть как проводящей электрический ток так и диэлектрической, материал, из которого изготавливается подложка, зависит от назначения пленки. При лабораторных исследованиях наиболее распространены подложки из сапфира, так как сапфир при низких температурах хорошо проводит тепло, при этом являясь диэлектриком. В последнее время для получения пленок ВТСП часто используются подложки из титаната стронция.

На рис. 6.1 изображен пленочный образец, представляющий собой пленку 1, нанесенную на подложку 2, d — толщина пленки, D — толщина подложки. Толщина подложки D обычно составляет

44

~ 1 мм, так что пленка оказывается намного тоньше подложки:

D/d ~ 103÷104.

Рис. 6.1

Пленки, полученные напылением, не являются монокристаллами. Они представляют собой совокупность тесно прилегающих друг к другу кристаллитов. Электрофизические свойства пленок (в частности, критическая температура Тс и ширина сверхпроводящего перехода ∆T) определяются как свойствами кристаллитов, так и тем, насколько плотно они упакованы. В сверхпроводниках со сложным составом возможно отклонение от стехиометрии, присутствие других фаз как внутри кристаллитов, так и между ними. Наличие в пленках таких неоднородностей приводит к тому, что ∆T пленок, как правило, превышает ∆Tc монокристаллов того же сверхпроводника. Для пленок Nb3Sn обычно, ∆Tc=0,1—1,0 К, для пленок ВТСП — ∆Tc = 0,5—1,0 К.

Одним из методов измерения Тс тонких пленок является резистивный метод. Резистивный метод позволяет определить температуру, при которой появляется «сверхпроводящая дорожка» между контактами. В однородном по составу образце (идеальном монокристалле) результат измерений не зависит от расположения контактов, так как весь образец переходит в сверхпроводящее состояние при одной температуре. В неоднородном образце (в том числе, в пленке) возможна ситуация, когда сопротивление между контактами равно нулю, хотя значительная часть сверхпроводника нахо-

45

дится в нормальном состоянии. При этом, мы измеряем «максимальную» Тс и теряем информацию о свойствах областей в образце

с меньшей Тс.

При измерении Тс резистивным методом могут также возникнуть трудности, связанные с отслоением медных измерительных контактов от пленки. Поэтому желательно использовать бесконтактный метод, например индуктивный.

Величина H0 определяется геометрическими параметрами катушки и величиной текущего в ней тока I. Поток магнитного поля

где п — число витков в катушке, а — ширина образца. При переходе пленки в сверхпроводящее состояние магнитное поле выталкивается из пленки, но остается равным Н0 в подложке, так как под-

46

ложка изготовлена из несверхпроводящего материала. Если толщина пленки d много больше глубины проникновения магнитного поля в сверхпроводник λ, то можно считать, что при Т < Тс напряженность поля всюду в пленке равна нулю. При этом поток магнитного поля через катушку

Для типичных значений d = 0,1 мкм, D = 1 мм получим (Lo—L)/Lo = 10-4, т.е. изменение индуктивности катушки при сверхпроводящем переходе чрезвычайно мало. Если учесть, что для пленки толщиной d = 0,1 мкм глубина проникновения λ может оказаться больше толщины пленки (например, в Nb3Sn и в большинстве ВТСП величина λ составляет 0,2 мкм), то из-за частичного проникновения поля в пленку значение (L0 - L)IL оказывается еще меньше (~105), так что экспериментальная регистрация изменения индуктивности крайне затруднена и требует использования очень чувствительных приборов. Поэтому индуктивный метод не позволяет точно измерить Тс тонких пленок.

Метод магнитного экранирования

На рис. 6.3 дана схема измерения Тс тонких пленок, которая позволяет регистрировать сверхпроводящий переход даже в случае, когда толщина пленки много меньше глубины проникновения. Отличие от индуктивного метода заключается в использовании двух соосных катушек индук-

Рис. 6.3 тивности, расположенных по разные стороны плёнки.

47

При такой постановке эксперимента пленка выполняет роль экрана по отношению к создаваемому катушкой L1 магнитному полю. Линейные размеры (длина и диаметр) катушек L1 и L2 меньше планарных размеров пленки, которые обычно равны 5x10 мм2, Поэтому огибание пленки полем незначительно, и катушка L2 регистрирует именно экранированное, т.е. проникшее через пленку магнитное поле. Таким образом, при сверхпроводящем переходе происходит изменение магнитного поля вне пленки, тогда как в индуктивном методе магнитное поле меняется лишь внутри пленки.

Так как размеры катушки L1 меньше планарных размеров пленки, то действующее на пленку магнитное поле является неоднородным по величине и направлению. Масштаб неоднородности магнитного поля определяется радиусом обмотки R катушки L1. Для оценки напряженности проникающего через пленку поля можно пользоваться формулой:

где Н и Н0 — характерные значения напряженности проникшего через пленку магнитного поля соответственно при Т < Тс и Т> Тс. Так как R — макроскопическая величина (~ 1 мм), то Н/Н0 1 даже при d < λ. Например, при d = 0,1 мкм, λ = 0,2 мкм, R = 1 мм получим из выражения (4.5): Н/Н0 ≈ 10-3. Такое резкое изменение напряженности поля легко регистрируется. На катушку L1 подается переменный ток, который создает переменное магнитное поле. Индуцируемая в катушке L2 ЭДС пропорциональна напряженности проникшего через пленку магнитного поля, поэтому

где Е и Е0 — ЭДС индукции в катушке L2 при Т < Тс и Т> Тс соответственно.

Малый размер катушек L1 и L2 позволяет проводить «локальные» измерения Тс, так как магнитное поле действует на участок пленки с размерами ~ R, меньшими планарных размеров пленки. Перемещая пленку относительно катушек, можно измерять Тс различных областей пленочного образца.

Отметим, однако, что применение описанного метода осложняется при исследовании сверхпроводящих пленок со сравнительно большой величиной удельной проводимости σ, например, плен-

48

ки чистых металлов, при Т> Тс. Дело в том, что магнитное поле является переменным, и поэтому при Т> Тс оно экранируется за счет скин-эффекта. Для оценки можно использовать формулу

где E0′— ЭДС индукции в приемной катушке L2 при высоких тем-

пературах (когда скин-эффект не существенен); глубина скин-слоя δ составляет

т.е. δ уменьшается при понижении температуры из-за увеличения σ (уменьшения ρ). Если δ становится меньше(Rd )12 , то резкое уменьшение ЭДС индукции в приемной катушке происходит уже при Т> Tс, т.е. 1 . Поэтому зарегистрировать сверхпроводя-

щий переход при Т = Тс в этом случае иногда бывает довольно трудно из-за ограниченной чувствительности измерительных устройств. Такой же эффект наблюдается при исследовании пленок (даже очень тонких) на металлических подложках (при этом переменное магнитное поле экранируется хорошо проводящей подложкой). Выход из ситуации — уменьшение частоты магнитного поля

, в результате чего глубина скин-слоя δ возрастает и экранирование магнитного поля при Т > Тс становится несущественным

( E ≈ E0′). Однако при этом опять-таки уменьшается абсолютная величина E0.

Описание экспериментальной установки

Схема установки для измерения Тс тонких пленок представлена на рис. 6.4. Сигнал с генератора 1 синусоидальных колебаний звуковой частоты подается на излучающую катушку L1. С принимающей катушки L2 сигнал поступает на селективный усилитель с детектором 5 и затем через АЦП на компьютер 7. Образец помещается между катушками. Рядом с образцом располагается термометр 8, ток через который задается источником тока 2. Образец с катушками и термометр помещены в медный блок 3. Напряжение с тер-

49

мометра подается одновременно на вольтметр 6, который подключен к компьютеру 7. Таким образом, на компьютере строится зависимость сигнала с принимающей катушки (величина которого определяется магнитным потоком) от температуры.

Рис. 6.4

Контрольные вопросы

1.Какие факторы определяют ширину сверхпроводящего перехода тонких пленок?

2.Почему использование пленочного образца в качестве сер-

дечника катушки индуктивности не позволяет точно измерять Tс пленки?

3.Перечислите отличия описанного в данной работе метода

измерения Тс тонких пленок от метода, основанного на измерении индуктивности катушки.

4.Каким параметром определяется экранирование неоднородного магнитного поля тонкой пленкой?

5.Перечислите основные блоки, из которых состоит установка для измерения Тс тонких пленок.

50