5. Инициализация

Настройка выхода выбора микросхемы CS3 на работу с SDRAM разрешает инициализацию SDRAM. По завершении инициализации автоматически вводится команда "Load Mode Register". Для загрузки корректной информации в SDRAM необходимо придерживаться следующей последовательности:

• Настройка регистров SDRAM, выполненная перед разрешением работы CS3 совместно с SDRAM.

• Ввод команды "Load Mode Register" и выполнение фиктивного доступа по завершении инициализации SDRAM.

Инициализация SDRAM не прерывается другими доступами к интерфейсу EBI.

6. Регенерация

Если настроить период регенерации, то EBI будет автоматически выполнять регенерацию SDRAM.

Регенерация выполняется сразу при появлении такой возможности после достижения счетчиком заданного регистром периода значения.

Модуль EBI способен накопить до 4 команд регенерации. Такая ситуация может возникнуть, когда при необходимости выполнения регенерации интерфейс EBI оказывается занятым выбором микросхемы или чтением/записью.

9. Комбинированное подключение к sram и sdram

Конфигурация комбинированного подключения SRAM и SDRAM делает возможным одновременное подключение к интерфейсу EBI как SDRAM, так и SRAM. Эта возможность может быть реализована только при использовании микросхем с четырехпортовым интерфейсом EBI. Конфигурация с указанием всех интерфейсных сигналов показана на рисунке 24.10.

Рисунок 24.10. Комбинированное подключение SRAM и SDRAM

10. Временная диаграмма интерфейса ebi

(См. раздел 33."Приложение А. Временные диаграммы интерфейса EBI")

1. SRAM

Таблица 24.4. Характеристики интерфейса EBI при подключении к SRAM

Обозн.	Параметр	Режим синхронизации 1х		Режим синхронизации 2х		Ед изм
		Мин.	Макс.	Мин.	Макс.
1/tCLK	Частота генератора
tALH	Удержание адреса после установки низкого уровня ALE					нс
tALS	Установка адреса перед установкой низкого уровня ALE (чтение и запись)					нс
tALW	Длительность импульса ALE					нс
tARH	Удержание адреса после установки высокого уровня RE					нс
tAWH	Удержание адреса после установки высокого уровня WE					нс
tARS	Установка адреса перед установкой высокого уровня RE					нс
tAWS	Установка адреса перед установкой низкого уровня WE					нс
tDRH	Удержание данных после установки высокого уровня RE					нс
tDWH	Удержание данных после установки высокого уровня WE					нс
tDRS	Установка данных перед установкой высокого уровня RE					нс
tDWS	Установка данных перед установкой высокого уровня WE					нс
tRDD	Задержки от разрешения чтения до действительности данных					нс
tRW	Длительность импульса разрешения чтения					нс
tWW	Длительность импульса разрешения записи					нс
tCSH	Удержание сигнала выбора микросхемы					нс
tCSS	Установка сигнала выбора микросхемы					нс