1.4 Влияние паров аммиака на характеристики p-n переходов GaAs.

В работе [Влияние газовой среды на поверхностный ток в

p-n гетероструктурах на основе GaAs-AlGaAs] авторы исследовали влияние паров воды, этилена, ацетона и аммиака на вольт - амперные

характеристики прямого тока двойных гетероструктур (ПГС ) на основе AlGaAs -GaAs . Пары воды, этилена и ацетона лишь незначительно меняли поверхностный ток ПГС, в то время как пары аммиака значительно увеличивали его. Дополнительный ток, обусловленный

адсорбцией молекул NH3, линейно зависел от напряжения, что можно объяснить образованием ведущего поверхностного канала в p-n переходе. Изучена кинетика изменения поверхностного тока при изменении газовой среды. Время нарастания тока при помещении ПГС в атмосферу NH3 составлял 20- 60с, а время падения тока при следующем переносе ПГС в

воздух - 2-8 с. Установлено, что величина поверхностного тока линейно зависит от парциального давления паров NH3 в диапазоне 102-104 Па, что можно использовать для создание сенсора данных паров.

[Туннельный поверхностный ток в p-n переходах на основе GaAs – AlGaAs, обусловленный адсорбцией молекул аммиака] Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов и на кинетику поверхностных токов в p-n переходах на основе GaAs – AlGaAs с вырожденной областью. Показано, что адсорбция молекул аммиака при достаточно высоком парциальном давлении , создает p- AlGaAs поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. P-n переходы с вырожденной областью имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении , чем при прямом смещении. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией электронов в проводящий канал из вырожденной области при обратном смещении. Время нарастания поверхностного тока ~20c в парах аммиака связано с заполнением глубоких электронных ловушек.

[ВЛИЯНИЕ ПАРОВ АММИАКА НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОБОЯ P-N ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ Si И GaAs] Исследовано влияние паров аммиака и воды на вольт - амперные характеристики обратных токов в p-n переходах на основе Si и GaAs . В большинстве исследованных образцов пары аммиака и воды уменьшают напряжение пробоя. На некоторых образцах наблюдался обратный эффект. Эта разница обусловлена ​​доминированием различных поверхностных центров, имеющих донорные или акцепторные свойств . Некоторые p-n переходы имеют фиксированную напряжение пробоя независимо от присутствия паров аммиака и воды . Данное поведение обусловлено локализацией пробоя в объеме кристалла в таких образца . Таким образом , влияние паров аммиака на напряжение пробоя дает информацию о локализации пробоя и о зарядовых состояние поверхностных центров.