ШПОРЫ_1 / 43. Преобразователи уровней ТТЛ - ЭСЛ

§45 Преобразователи уровней ТТЛ - ЭСЛ .

 

Принципиальная схема ПУ ТТЛ – ЭСЛ на биполярных транзисторах приведена на рис . 45.1

Рисунок 45.1

Входной каскад выполнен на транзисторе VT1 и резисторах R1 , R2 , R3 ; сам преобразователь уровней на VT2 и R4 ; а на VT3 и R5 выполнен эмиттерный повторитель .

Работает следующим образом . При Uвх = Uº ТТЛ потенциал точки А (UА) будет меньше , чем при Uвх = U¹ ТТЛ . Это изменение значения UА будет управлять работой транзистора VT2 . Причём при Uвх = U¹ ТТЛ должно выполнятся условие UА >Uоп , при этом транзистор VT2 будет закрыт и через резистор R4 будет протекать только ток базы транзистора VT3 , создавая на нём падение напряжения UR4 = I б3·R4 ≈ - 0.1 В . В этом случае выходное напряжение будет соответствовать уровню лог . 1 ЭСЛ :

U¹вых = - UR4 – Uбэ03 = - 0.1 - 0.8 = - 0.9 В.

При Uвх = Uº ТТЛ напряжение в точке А (UА) снижается до уровня , при котором транзистор VT2 открывается и на его коллекторе образуется напряжение :

Uк2 = Uб3 = - UR4 = (Iк2 + Iб3)·R4 ≈ - 0.9 В ,

а на выходе схемы будет уровень лог. 0 ЭСЛ :

Uºвых = - UR4 – Uбэ03 = - 0.9 - 0.8 = - 1.7 В.

Передаточная характеристика приведённого ПУ имеет значительную протяжённость участка , на которой наблюдается спад передаточной характеристики , следствием чего является низкая помехоустойчивость схемы .

ПУ ТТЛ - ЭСЛ , входной каскад которого выполнен на многоэмитторном транзисторе показан на рис. 45.2

Рисунок 45.2

При напряжении на входе Uвх = Uº ТТЛ эмиттерный переход транзистора VT1 открыт и через него протекает ток базы

Iб1 = (Еп1 - Uбэ01- Uºттл) / R1

Коллекторный ток транзистора VT1≈0 , отсюда следует , что диоды VD1 и VD2 закрыты , а потенциал точки А (UА) . Тогда напряжение на выходе соответствует уровню лог. 0 ЭСЛ :