ШПОРЫ_1 / 37. Статические элементы И - НЕ и ИЛИ - НЕ

§39 Статические элементы И - НЕ и ИЛИ - НЕ .

Основой для построения схем базовых логических элементов служат инверторы . Если в любом инверторе на КМДП - транзисторах с каналом  n - типа управляющий транзистор заменить группой последовательно соединённых транзисторов , то получится ЛЭ , выполняющий операцию И -НЕ в ПЛ (рис.39.1).

Рисунок 39.1

Если все МДП - транзисторы с каналом  n - типа заменить на МДП - транзисторы с каналом  p- типа , то  в ОЛ такой элемент также будет выполнять функцию И - НЕ (рис.39.1.б) . Из этого следует , что логика работы такого элемента не зависит от типа МДП - транзистора  , а требует определённой полярности источника питания и сигналов . В связи с этим на схемах можно не указывать тип канала, а схему представить в виде (рис.39.2).

Рисунок 39.2

Если управляющий транзистор в схеме инвертора заменить группой параллельно соединённых МДП - транзисторов  , то получится схема реализующая операцию ИЛИ - НЕ (рис.39.3).

Рисунок 39.3

ИМС на МДП - транзисторах одного типа электропроводимости присущи следующие достоинства :

1) высокое входное сопротивление (до 10......... Ом ) ;

2) малые размеры и высокая технологичность ;

3) меньшая потребляемая мощность , чем у ТТЛ - схем ;

4) возможность использования МДП - транзисторов в качестве нагрузки , что увеличивает технологичность и повышает коэффициент интеграции ;

5)высокая помехоустойчивость (2...6 В по сравнению примерно с 0.6 В для биполярных транзисторов) ;

6) устойчивость к нейтронной составляющей радиационного воздействия .

Недостатками элементов на МДП - транзисторах являются :

1) большое пороговое напряжение высокое напряжение питания (с МДП  n - типа  в 3...6 раз больше , чем у ТТЛ ) ;

2)элементы на МДП - транзисторах с каналом  p - типа имеют в 8...10 раз меньшее быстродействие , чем с каналом n - типа , либо ТТЛ . Однако преимуществом схем на МДП - транзисторах  с каналом   p - типа является то , что они значительно дешевле и технологичнее .

ЛЭ  на МДП - транзисторах n - типа выпускаются в сериях К580 , К581 , К586 , К1801 , а ЛЭ на МДП - транзисторах p - типа  - серия К536 .