- •Основные логические устройства компьютера (сумматор, регистр).
- •7.1. Сдвиговые регистры
- •7.2. Параллельные регистры
- •7.3 Реверсивные регистры
- •7.4. Регистры специального назначения
- •Память и виды памяти. Специальная память
- •Память и виды памяти
- •Архитектура и структура пк
- •Оперативная память. Различие модулей памяти. Кэш-память.
- •Память типа rom
- •Память типа dram
- •Кэш-память — sram
- •Быстродействие запоминающих устройств
- •Оперативная память edo
- •Burst edo
- •Ddr sdram
- •Модули simm и dimm
- •Быстродействие памяти
- •Контроль четности и коды коррекции ошибок (ecc)
- •Контроль четности
- •Коды коррекции ошибок
- •Все дороги ведут в jpg
Быстродействие запоминающих устройств
Быстродействие процессора выражается в мегагерцах (МГц), а быстродействие запоминающего устройства и его эффективность — в наносекундах (нс).
Наносекунда — это одна миллиардная доля секунды, т.е. очень короткий промежуток времени. Заметьте, что скорость света в вакууме равна 299 792 километра в секунду. За одну миллиардную долю секунды световой луч проходит расстояние, равное всего лишь 29,98 сантиметра, т.е. меньше длины обычной линейки!
Быстродействие процессоров и микросхем выражается в мегагерцах (МГц), т.е. в миллионах циклов, выполняемых в течение одной секунды. Рабочая частота современных процессоров достигает 2000 и более МГц (2 ГГц, или двух миллиардов циклов в секунду), а вскоре, как ожидается, возрастет до 3 или 4 ГГц.
Оперативная память edo
Память типа EDO (Extended Data Out) была разработана и запатентована компанией Micron Technology. Память EDO собирается из специально изготовленных микросхем, которые учитывают перекрытие синхронизации между очередными операциями доступа. Как следует из названия — драйверы вывода данных на микросхеме не выключаются, когда контроллер памяти удаляет столбец адреса в начале следующего цикла. Это позволяет совместить (по времени) следующий цикл с предыдущим, экономя приблизительно 10 нс в каждом цикле.
Таким образом, контроллер памяти EDO может начать выполнение новой команды выборки столбца адреса, а данные будут считываться по текущему адресу. Это почти идентично использованию различных банков для чередования памяти, но, в отличие от чередования, не нужно одновременно устанавливать два идентичных банка памяти в системе.
Для того чтобы использовать память EDO, набор микросхем системной логики на системной плате должен поддерживать ее. Большинство подобных наборов микросхем. Оперативная память EDO идеальна для систем с быстродействием шины до 66 МГц. Такие шины в персональных компьютерах использовались до 1997 года включительно; однако в течение 1998 года память EDO была заменена более новой и быстрой памятью SDRAM (Synchronous DRAM — синхронная DRAM). Эта новая архитектура стала новым стандартом оперативной памяти персонального компьютера.
Burst edo
Память Burst Extended-Data-Out Dynamic Random Access Memory (Burst EDO, BEDO DRAM) является разновидностью памяти EDO. Это в основном та же память, что и EDO, но с еще более быстрой передачей данных. К сожалению, только один набор микросхем системной логики (Intel 440FX Natoma) поддерживал ее, и она была быстро заменена памятью SDRAM, которая поддерживается в подавляющем большинстве наборов микросхем. Память BEDO в настоящее время не используется и не производится.
SDRAM
Это тип динамической оперативной памяти DRAM, работа которой синхронизируется с шиной памяти. SDRAM (Synchronous DRAM) передает информацию в высокоскоростных пакетах, использующих высокоскоростной синхронизированный интерфейс. SDRAM позволяет избежать использования большинства циклов ожидания, необходимых при работе асинхронной DRAM, поскольку сигналы, по которым работает память такого типа, синхронизированы с тактовым генератором системной платы.
Как и для оперативной памяти EDO, для памяти этого типа требуется поддержка набором микросхем системной логики. Многие наборы микросхем системной логики поддерживают SDRAM; это самый популярный тип памяти для новых систем. SDRAM хорошо подходит для архитектуры Pentium II/III и новых высокоэффективных системных плат.
Эффективность SDRAM значительно выше по сравнению с оперативной памятью EDO. Поскольку SDRAM — это тип динамической оперативной памяти, ее начальное время ожидания такое же, как у EDO, но общее время цикла намного короче. Кроме этого, память SDRAM может работать на частоте 100 МГц (10 нс) и выше, что стало новым стандартом для системного быстродействия начиная с 1998 года. Обновления SDRAM поддерживают рабочую частоту 133 МГц (согласно спецификации PC133).
Память SDRAM поставляется в виде модулей DIMM и, как правило, ее быстродействие оценивается в мегагерцах, а не в наносекундах. Хотя быстродействие SDRAM существенно выше, чем у памяти предшествующих типов, стоит она не намного дороже, поэтому ей и удалось так быстро завоевать твердые позиции на рынке PC.
