3.2 Розрахунок регулятора глибини рівня запису

Регулятор глибини рівня запису побудуємо за схемою, яка показана на рисунку 7.

Рисунок 7.— Схема електрична регулятора глибини рівня запису.

Мінімальний рівень сигналу у даному випадку встановлюється за

допомогою додаткового опору R2. Приймаємо R2=51 Ом, тоді для забезпечення заданої у ТЗ глибини регулювання рівня запису 30дБ або 32 рази опір змінного резистора R2 обиратимемо:

R1(32-1)*R2,

R1 1,581 (кОм);

Так, як пристрій працює з малими струмами, то вибираємо резистори з потужністю 0,125 Вт.

За довідником [11] обираємо змінний резистор СП2-2:

R1 = СП3-4-0,05 –1,6 кОм ±20%

R2 = С2-22-0,125-51 Ом 5%;

При такому матеріальному виконанні даний регулятор гучності буде мати глибину регулювання

(рази) або 30,2 Дб.

Розрахуємо частотні спотворення які вносить регулятор на низьких та високихчастотах.

На низьких частотах:

;

де, _Н - стала часу.

Тоді:

На високих частотах:

Отож, спотворення, які вносить регулятор глибини рівня запису на верхніх частотах дорівнює 0 дБ, а на верхніх —0,66-0,67 дБ.

3.3 Розрахунок схеми включення магнітної головки

Зробимо розрахунок схеми включення головки, яка зображена на рисунку 2. Для цього скористаємось деякими розрахунками, які були зроблені в структурній схемі п.1.

R7=1,6 (кОм), R8 = 8,2 (кОм), R_H = 9960 (Ом), f_П = 75 (кГц);

U_ГЕН = 5f_ПL_ГІ_П,

С₇ = (1,6..5)*0,1/F_BR₈;

С₆ = 6,5*10^-2/13000*1600= 3 (нФ),

U_ГЕН = 5*10^-3*50*75*0,4 = 7,5 (В),

R₉ = 200*7,5*8,2/75*50*0,4=8,2 (кОм),

С₇ = 3*10^-7/13*8,2= 2 (нФ);

Так, як пристрій працює з малими струмами , то вибираємо резистори з номінальною потужності 0,125 Вт.

Зробимо вибір розрахованих елементів:

Для можливості керування струмом підмагнічування – виберемо резистор R₁₁ – змінним [11]:

R7 = С2-22-0,125-1,6 кОм ±5%

R9 =СП3 - 6 - 25 –8,2 кОм ±20%

R8 = С2-22-0,125-8,2 кОм 5%;

С₆ = К10-23 – 3 нФ  50 В 5%

С₇ = К10-23 – 2 нФ  50В 5%

3.4 Підрахунок загальних частотних та нелінійних спотворень підсилювача

Підрахуємо загальні частотні спотворення на нижніх частотах, скориставшись формулою:

М_ЗАГ.Н = М_ОП.Н + М_РЕГ.Н,

де,

М_ОП.Н – спотворення, які вносить ОП на нижніх частотах,

М_РЕГ.Н - спотворення, які вносить регулятор глибини рівня запису на нижніх частотах,

М_РЕГ.Н = 0 дБ,

М_ЗАГ.Н = 0,3 (дБ) < М_ТЗ.Н = 3 (дБ);

Підрахуємо загальні частотні спотворення на верхніх частотах,

скориставшись формулою:

М_ЗАГ.В = М_ОП.В.К + М_РЕГ.В + М_СХ.В

де,

М_ОП.В – спотворення, які вносить ОП на верхніх частотах,

М_РЕГ.В - спотворення, які вносить регулятор глибини рівня запису на вурхніх частотах

М_ЗАГ.В = 2,2+0,67 =2,87 (дБ) < М_ТЗ.В = 3 (дБ);

Розрахуємо нелінійні спотворення підсилювача:

К_Г = К_Г.ОП .

Коефіцієнт нелінійних спотворень беремо з таблиці (2.1,2.2).

К_Г = 0,1% << К_Г.ТЗ = 2 %.

Отже, частотні та нелінійні спотворення розрахованого підсилювача задовольняють технічне завдання.

4. Моделювання пристрою на еом