
- •1. Розрахунок структурної схеми аеп 6
- •2. Особливості розрахунку структурної схеми в1деопідсилювачів 21
- •3. Особливості розрахунок структурної 25
- •1. Розрахунок структурної схеми аеп
- •1.1. Визначення опору навантаження
- •1.2. Вибір схеми каскадів кінцевого підсилення
- •1.3. Визначення корисної потужності, що забезпечується
- •1.5. Визначення загального коефіцієнта підсилення пристрою по потужності Кр
- •1.6. Визначення кількості каскадів підсилення
- •1.7. Розрахунок відношення сигнал / шум
- •1.8. Розподіл частотних і нелінійних спотворень по каскадах
- •1.9. Розробка структури пристрою на імс
- •2. Особливості розрахунку структурної схеми в1деопідсилювачів
- •2.1. Вибір навантаження, визначення вихідної напруги або потужності
- •2.2. Вибір типу транзисторів ккп
- •2.3. Визначення загального коефіцієнта підсилення потужності або напруги
- •2.4. Визначення кількості і типу транзисторів каскадів попереднього підсилення
- •3. Особливості розрахунок структурної схеми імпульсного підсилювача
- •3.1. Вибір типу ккп та його активного елемента
- •3.2. Визначення загального коефіцієнта підсилення і кількості каскадів імпульсного підсилювача
- •3.3. Вибір типу транзисторів каскадів попереднього підсилення
- •3.4 Розподіл тривалості фонду імпульсу і відносного спаду верщин імпульсу по каскадах
- •3.5. Перевірка правильності вибору транзисторів
- •Висновки
- •Література
1.5. Визначення загального коефіцієнта підсилення пристрою по потужності Кр
Для визначення величини Кр використовується вираз
де Рвих - коливальна потужність, яку забезпечує пристрій;
Рдж
- потужність джерела сигналу
;
Uвх - амплітуда вихідної напруги джерела сигналу;
Rвих -номінальний вихідний опір джерела сигналу;
а1, а2, а3 - коефіцієнти.
Дані параметрів джерел сигналу можуть бути отримані з [1], [2].
При роботі від декількох джерел сигналу розрахунок коефіцієнта підсилення Кр слід вести по найменшому за потужністю джерелу.
При наявності в підсилювачі від'ємного зворотного зв'язку, регулятора форми АЧХ та інших факторів, котрі зменшують коефіцієнт підсилення, у виразі (1.2) використовують коефіцієнти а1, а2, а3.
При введені від'ємного зворотного зв'язку з глибиною А = 1+К і при умові, що коло зворотного зв'язку не охоплює весь пристрій, коефіцієнт а1= А2.
Коефіцієнт а2 враховує вплив регуляторів форми АЧХ (тембра):
-якщо регулятор тембра забезпечує лише "завал", то згасання сигналу Nрт не враховується (оскільки розрахунок структурної схеми ведеться на середніх частотах);
якщо регулятор тембра забезпечує як "завал", так і "підйом" частотної характеристики, то згасання сигналу можна розраховувати користуючись виразом
Nр.т(дБ) =N+(дБ)+(2...3)(дБ)
де N+(дб) - необхідний "підйом" частотної характеристики у відповідності з технічним завданням.
Наявність згасання NР.Т потребує додаткового підсилення по потужності, тому загальний коефіцієнт підсилення повинен бути збільшений в NР.Т раз. При умові забезпечення "підйому" та "завалу" АЧХ регулятором тембра, величина а2 = NР.Т
В підсилювачах відтворення магнітофона, окрім усіх перелічених факторів, що впливають на коефіцієнт підсилення, слід врахувати запас підсилення (аз ≈ 20 дБ), необхідний для виконання корекції його частотної характеристики у відповідності з вимогами (див. рис. 5)
Корекція частотної характеристики повинна проводитись і в підсилювачах запису магнітофона.
1.6. Визначення кількості каскадів підсилення
Кількість каскадів підсилення визначається виходячи з загального коефіцієнта підсилення по потужності КРзаг(дБ)
Крзаг(дБ) = Кр1 (дБ) + Кр2 (дБ) +...+ Крn (дБ) + Кр ККП(дБ) (1.3)
де Кр1, Кр2, Крn, Кр ККП - коефіцієнти підсилення по потужності відповідно 1-, 2-, n-го каскадів попереднього підсилення та ККП.
Для резистивного каскаду підсилення:
- з спільним емітером
(1.4)
з спільним колектором
(1,5)
з спільною базою
(1.6)
де -
мінімальний коефіцієнт передачі струму
обраного транзистора з спільним
емітером.
При застосуванні уніполярних транзисторів коефіцієнт підсилення по потужності може бути розрахований за виразом ,
(1,7)
Для уніполярного транзистора з спільним витоком величина КU
може бути розрахована за виразом
де
- опір навантаження змінному струму,
вибирається в залежності від вхідного
опору наступного каскаду, при низькоомному
вході настуаного каскаду (наприклад,
схема з спільним емітером)
не більше 200...500 Ом, при високоомному
вході (наприклад, схема емітерного
повторювача або інший каскад на
уніполярному транзисторі)- 2...5кОм;
S - середнє значення крутості уніполярного транзистора;
Rвх - вхідний опір каскада на уніполярному транзисторі, вибирається в межах 200. .500 кОм ;
Rвих
- вихідний опір, приблизно
.
Для каскаду на уніполярному транзисторі з спільним стоком (ви-токовий повторювач) Кu ≈ (0,6...0,8); Rвх ≈ 1...1,5 МОм; RВих ≈ 1/S
Визначений за виразом (1.3) загальний коефіцієнт підсилення по потужності не повинен перевищувати розрахункове значення Кр, за виразом (1.2), на 15. .20% .
Коефіцієнт підсилення потужності трансформаторного ККП визначається типом біполярного транзистора, схемою його ввімкнення, напругою живлення:
- з спільним емітером
- з спільною базою
- з спільним колектором
де UКЕі UКБ - сталі напруги відповідно на переходах колектор-емітер або колектор-база, В;
Uвх.m. ккп - амплітуда напруги вхідного сигналу ККП для визначеного значення амплітуди вхідного струму сигналу, (визначається по вхідній характеристиці транзистора).
Коефіцієнт підсилення по потужності фазоінверсного каскаду з розділеним навантаженням:
(1.8)
Якщо в ККП застосовані транзистори великої або середньої потужності, стає економічно та конструктивно недоцільним застосування аналогічних транзисторів для каскадів попереднього підсилення. Можливість застосування малопотужних транзисторів в передкінцевому однотактному каскаді необхідно перевірити за величиною його максимальної потужності втрат на колекторі:
Необхідно також здійснити перевірку обраних транзисторів за напругою, струмом та частотними властивостями, згідно з п. 1.4.
Особливу увагу необхідно звернути на вибір схеми першого каскаду пристрою. При наявності високоомного джерела сигналу (Rдж ≥ 8..10 кОм), а також у випадках коли необхідно виключити вплив пристрою на джерело сигналу, в якості першого каскаду слід застосовувати емітерний повторювач. Оскільки вхідний опір емітерного повторювача залежить від його навантаження за змінним струмом (Rвх. е.п ≈ h21ERH~), то при застосуванні наступного каскаду, з низьким опором, і при наявності високоомного джерела сигналу, з Rджер ≥ ЗО...50 кОм, бажано використовувати емітерний повторювач на складених транзисторах або каскад на уніполярному транзисторі, що виконаний за схемою з спільним витоком (при Rдж 1 МОм) або з спільним стоком (при Rдж > 1 МОм).