
- •1. Розрахунок структурної схеми аеп 6
- •2. Особливості розрахунку структурної схеми в1деопідсилювачів 21
- •3. Особливості розрахунок структурної 25
- •1. Розрахунок структурної схеми аеп
- •1.1. Визначення опору навантаження
- •1.2. Вибір схеми каскадів кінцевого підсилення
- •1.3. Визначення корисної потужності, що забезпечується
- •1.5. Визначення загального коефіцієнта підсилення пристрою по потужності Кр
- •1.6. Визначення кількості каскадів підсилення
- •1.7. Розрахунок відношення сигнал / шум
- •1.8. Розподіл частотних і нелінійних спотворень по каскадах
- •1.9. Розробка структури пристрою на імс
- •2. Особливості розрахунку структурної схеми в1деопідсилювачів
- •2.1. Вибір навантаження, визначення вихідної напруги або потужності
- •2.2. Вибір типу транзисторів ккп
- •2.3. Визначення загального коефіцієнта підсилення потужності або напруги
- •2.4. Визначення кількості і типу транзисторів каскадів попереднього підсилення
- •3. Особливості розрахунок структурної схеми імпульсного підсилювача
- •3.1. Вибір типу ккп та його активного елемента
- •3.2. Визначення загального коефіцієнта підсилення і кількості каскадів імпульсного підсилювача
- •3.3. Вибір типу транзисторів каскадів попереднього підсилення
- •3.4 Розподіл тривалості фонду імпульсу і відносного спаду верщин імпульсу по каскадах
- •3.5. Перевірка правильності вибору транзисторів
- •Висновки
- •Література
1.2. Вибір схеми каскадів кінцевого підсилення
Вибір схеми ККП зумовлено кількома факторами, основними з яких є:
- вихідна потужність;
- значення частотних, нелінійних спотворень;
- особливості експлуатації (стаціонарний, переносний).
Вихідна потужність пристрою не визначає однозначно тип схеми ККП. Однак, для одержання коливальної потужності на виході більше ЗО...50 мВт, слід використовувати двотактну схему ККП.
Важливе значення також має схема ввімкнення транзистора (транзисторів) ККП. В схемі з спільним емітером забезпечується найбільший коефіцієнт підсилення по потужності, але нелінійні спотворення (Кн) мають значення 4...6 %.
В схемі з спільною базою, внаслідок дії від'ємного зворотного зв'язку, лінійність вихідних характеристик краща, тому коефіцієнт нелінійних спотворень Кн зменшується і приймається від 2 до 4 %, але коефіцієнт підсиленя по потужності такого каскаду зменшується.
В схемі з спільним колектором коефіцієнт нелінійних спотворень малий (1.3 %), але коефіцієнт підсилення по потужності менший, ніж в схемі з спільним емітером .
Тому, покладаючись на задані в технічному завданні нелінійні спотворення (Кн), необхідно вибрати потрібну схему ввімкнення транзистора (транзисторів) ККП з таким розрахунком, щоб
Кн. сх Кн. тз.
При значних вимогах до коефіцієнта нелінійних спотворень необхідно використовувати від'ємний зворотний зв'язок, коли
де А= (1+.К) - коефіцієнт зворотного зв'язку, який вибирається в межах А = 1,5..5.
Частотні спотворення Мн та Мв визначаються схемою каскаду та типом транзистора.
В області високих частот до частотних спотворень, зумовлених елементами схеми, додаються частотні спотворення, що вносяться транзистором (порядка 0,2...З дБ) Тому при заданих частотних спотвореннях М 2 дБ обов'язково застосовується від'ємний зворотний
зв'язок. Тоді
При великих значеннях коливальних потужностей слід використовувати схеми безтрансформаторних підсилювачів потужності з додатковою симетрією плеч, в яких транзистори кінцевого каскаду однакового типу і провідності. Транзистори в безтрансформаторних каскадах ввімкнені з спільним колектором, що розширює їх частотний диапазон.
Вибір інших схем ККП можна здійснити на підставі [2], [3], [11].
1.3. Визначення корисної потужності, що забезпечується
транзистором ККП
В безтрансформаторних двотактних ККП коливальна потужність транзистора одного плеча дорівнює
де
Рвих
- вихідна потужність пристрою.
В підсилювачах запису магнітофона коливальна потужність транзистора дорівнює
Для однотактного трансформаторного каскаду
для одного плеча двотактного трансформаторного каскаду, відповідно
де тр - коефіцієнт корисної дії трансформатора.
Значення ККД трансформаторів наведені в табл. 1.
Таблиця 1
Потужність трансформатора, Вт |
ККД трансформатора |
До 1 1-10 10-100 |
0,7...0,8 0,75...0,85 0,84...0,93 |
1.4. Вибір типу транзисторів ККП
1.4.1. Вибір транзистора (транзисторів) ККП здійснюється на основі попереднього визначення потужності витрат Рк, максимальної напруги на переході колектор-емітер, та максимального колекторного струму, окрім цього необхідно врахувати і частотні можливості транзистора.
Для двотактного безтрансформаторного ККП, вибираючи тран зистор, необхідно забезпечити виконання умови:
Де - коефіцієнт корисної дії ККП;
РК max Доп - максимально допустима потужність втрат обраного транзистора.
Орієнтовані значення коефіцієнта корисної дії ККП залежать від класу режиму його роботи:
- для режиму класу А - 20...25 % ;
- для режиму класу АВ - 40. .50 % ;
- для режиму класу В - 50...60 % ;
Для забезпечення необхідної вихідної потужності, живлення двотактного безтрансформаторного каскаду повинно здійснюватися напругою Ек
В свою чергу
Де Uзал - залишкова напруга, яка визначається сімейством вихідних характеристик транзистора ККП (див. рис.4 );
Uке.доп - максимальна допустима напруга між відповідними електродами транзистора.
При невиконанні вказаної умови, транзистор необхідно замінити на інший з більш високою напругою Uке.доп
Максимальне значення колекторного струму буде дорівнювати сумі струмів
де
-
амплітуда
імпульсу колекторного струму;
Iк.о = (0,05-0,15) Iк.m – струм в робочій точці;
IК. max. ДОП – максимально допустимий струм колектора.
Для однотактного ККП, підсилювача запису магнітофона, що працює в режимі класу А, необхідні значення струму робочої точки Ік.о і напруги UКЕ.0 вибираються з співвідношень:
ІК.0 = (2-3)І3;
UКЕ.0 = (0,3-0,4) Uкe.доп.;
Для обраного транзистора повинні виконуватися умови:
ІК.0 + І3 ІК.max. ДОП ;
U КЕ.0 (1,5-2,0) U3;
ІК.0 x UKE.0 (0,5-0,6) РK.max.ДОП.
Амплітуда струму вхідного кола ККП, що дозволяє визначити положення робочої точки транзистора на його вхідній характеристиці, а
також забезпечує вибір транзисторів каскадів попереднього підсилення за струмом, відповідно дорівнює:
-для схеми з спільним емітером
-для схеми з спільною базою
-для схеми з спільним колектором
Передкінцевий каскад повинен мати максимальне значення колекторного струму, що в 2...З рази більше за максимальний базовий струм кінцевого каскаду.
1.4.2. Частотні властивості біполярного транзистора, в різних схемах ввімкнення, прийнято характеризувати граничними частотами, значення яких не повинні перевищувати верхню граничну частоту пристрою:
для схеми з спільним емітером FB fh21E
для схеми з спільною базою FB fh21Б
для схеми з спільним коллектором FB fY21E(1+S0RГМ)
де fh21E та fh21Б - граничні частоти передачі струму відповідно в схемах з спільним емітером та спільною базою;
fy21E - гранична частота транзистора за крутістю в схемі з спільним емітером;
S0 - крутість транзистора в робочій точці.
Значення fh21E та fh21Б для більшості транзисторів наведено в довідниковій літературі [5], [9].
Величини fY21E та S0 можуть бути розраховані
де г’Б - об'ємний опір бази.
Наведені в довідниках значення граничних частот, наприклад, fгр-гранична частота передачі струму в схемі з спільним емітером, на якій модуль коефіцієнта передачі струму дорівнює 1 (визначається добутком, інколи наведеної в довіднику частоти на величину модуля h21е на цій частоті), або fr max - максимальна частота генерації транзистора, може бути перерахована у необхідні значення за виразами
та
де m = 1,6 - для дрейфових дифузійних транзисторів
Ск - ємність колекторного переходу транзистора
= к
- стала часу, також є довідниковою
величиною,
Інші корисні вирази для розрахунку частот, можуть бути отримані з [1].
Оскільки відомо,що f h21Б = f h21E (h21E min +1) легко знайти будь-яке значення граничної частоти біполярного транзистора для будь-якої схеми ввімкнення транзисторів.
Значення крутості біполярного транзистора в робочій точці 80 можна визначити з його вихідних Ік = f(UКЕ) (рис.4,б) та вхідних характеристик ІБ = f(UБЕ) (рис.4,а), оскільки S0=Ік / UБЕ
За вихідними характеристиками, при номінальному значенні напруги на колекторі, визначають величину Ік та ІБ = ІБ2 - ІБ1 а тоді за вхідними характеристиками UБЕ = UБЕ2 -UБЕ1
Рис.4
Для вибору конкретних транзисторів можна використовувати дані [2], [5], [9] та ін. Дозволяється використовувати транзистори як вітчизняного, так і закордонного виробництва. на