Контрольные вопросы
1. Причины
возникновения электронной и дырочной
проводимости полупроводников.
2. Устройство
транзистора. Назначение областей
эмиттера, базы, коллектора.
3. Принцип действия
транзистора.
4. Схемы
включения транзистора (с общей базой
– ОБ и с общим эмиттером - ОЭ).
5. Коэффициенты
усиления транзистора по току, напряжению
и мощности; их определение в схемах ОБ,
ОЭ.
6. Объяснить вид
входных характеристик, снятых в схеме
ОЭ.
7. Объяснить смещение
входных характеристик при подаче
потенциала на коллектор.
8. Объяснить вид
выходных характеристик, снятых в схеме
ОЭ.
9. Объяснить причину
увеличения тока коллектора при увеличении
тока базы (Uк
= const).
Список рекомендуемой литературы
-
Трофимова Т.И.
Курс физики: Учеб. пособие для вузов. -
7-е изд., стер. - М.: Высш. шк., 2003. - § 250.
-
Пасынков В.В.,
Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы:
Учеб .для вузов по спец. "Полупроводники
и диэлектрики" и "Полупроводниковые
и микроэлектронные приборы" - 4-е
изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1987. -
§§ 4.1, 4.2, 4.8.
