
- •Курсовая работа
- •Введение
- •Выращивание кристаллов из расплава
- •Методы нормальной направленной кристаллизации
- •Метод Бриджмена
- •Метод зонной плавки
- •Система для индукционной зонной плавки германия Гидротермальное выращивание
- •Метод Чохральского
- •История
- •Характеристики метода
- •Этапы метода
- •Модификации метода
- •Сравнение с другими методами
- •Способ выращивания монокристаллов германия с использованием формообразователя
- •Способ Степанова
- •Способ выращивания монокристаллов германия методом осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации (отф)
- •Способ выращивания монокристаллов германия в форме дисков
- •Сущность изобретения
- •Осуществление изобретения
- •Заключение
- •Список литературы
Способ выращивания монокристаллов германия с использованием формообразователя
Основная задача данного способа - повышение выхода годной продукции за счет получения монокристаллов универсальной формы, без дефектов структуры, свободных от механических напряжений, однородных по распределению примесей, с высокой производительностью и с существенным снижением технологических затрат.
Согласно предложенному способу, в тигель (обычно круглой формы) осесимметрично помещают формообразователь в виде обечайки (круглой или иной формы). В формообразователе в месте примыкания нижней части формообразователя к тиглю выполнены отверстия. Радиус отверстий (r) не должен быть больше максимального радиуса (rmax), определяемого по формуле
где К=0,2 см2 - постоянный коэффициент (для германия); h - уровень расплава германия в формообразователе (см).
Количество (N) отверстий в формообразователе составляет 12-18 шт., отверстия расположены на одинаковых расстояниях друг от друга.
Размеры и количество отверстий были оценены теоретически и проверены опытным путем на основании результатов выращивания монокристаллов германия в форме диска диаметрами 100-300 мм, в форме квадрата и прямоугольника со сторонами сечения 100-200 мм.
Проведение процесса выращивания: в формообразователь помещают исходную загрузку и расплавляют ее. Расплав остается в формообразователе и не вытекает через отверстия в тигель из-за сил поверхностного натяжения. В расплав помещают вращающийся затравочный кристалл и на первом этапе проводят кристаллизацию в радиальном направлении с вращением выращиваемого кристалла до момента касания его формообразователя. Далее без вращения путем снижения температуры проводят кристаллизацию в осевом направлении до полного затвердевания всего объема расплава. Избыток расплава германия, образующийся при кристаллизации, вытекает через отверстия и затвердевает на дне тигля. При выращивании кристаллов германия вся оснастка - тигель, формообразователь, нагреватель, экраны - выполнены из графита.
На рис.1а) представлена начальная стадия процесса: в формообразователе 1, помещенном в тигель 2, создали расплав 3, высота которого составляет h. В формообразователе 1 - в нижней его части, примыкаемой к дну тигля 2, выполнены отверстия 4.
На рис.1б) представлена первая стадия выращивания монокристалла германия. На затравочный кристалл 5, вращающийся с заданной угловой скоростью ω, выращивается кристалл 6. Вращение кристалла 6 осуществляется до тех пор, пока его диаметр не приблизится к диаметру формообразователя 1 (касание кристаллом формообразователя). Затем вращение кристалла 6 останавливают, верхняя поверхность расплава полностью кристаллизуется.
На заключительной стадии процесса (рис.1в)) кристаллизация осуществляется без вращения в замкнутом объеме расплава 3. Избыточное количество расплава 7, образующегося при кристаллизации, вытекает через капиллярные отверстия 4 на дно тигля 2. Процесс вытекания избыточного количества расплава 7 будет иметь место, пока не затвердеет весь объем расплава 3 в формообразователе.
Способ Степанова
Способом
получения монокристаллов германия
вытягиванием из расплава является
модифицированный способ Степанова.
Согласно способу, выращивание
монокристаллов производится путем
предварительного плавления исходного
материала в тигле и кристаллизации его
на вращающейся монокристаллической
затравке с использованием погружаемого
в расплав формообразователя (выполненного
в виде кольца или иной формы, отвечающей
профилю выращиваемого слитка), который
жестко крепится на шток затравки. На
первом этапе в процессе роста от
вращающегося вместе с формообразователем
затравочного монокристалла без
вытягивания формируется выращиваемый
кристалл, который достигает формообразователя
и приобретает задаваемую боковую
поверхность. На втором этапе производится
вытягивание монокристалла совместно
с формообразователем в осевом направлении
(то есть формирование слитка по высоте).
Недостатком этого способа является
низкий выход монокристаллов, связанный
с высокими уровнями термических
напряжений в слитках, возникающих в
момент вытягивания их в осевом направлении.
Термические напряжения приводят к
значительной неоднородности показателя
преломления в монокристаллах, используемых
в инфракрасной оптике, снижению
механической прочности слитков -
растрескиванию их при механической
обработке. Вторым существенным недостатком
является сложное технологическое
обеспечение процесса выращивания:
существенная (большая) масса расплава
германия, превышающая массу слитка в
3-4 раза; сложность изготовления и
крепления формообразователей на штоке
затравки.
Наиболее близким к предлагаемому способу является способ получения монокристаллов германия, заключающийся в том, что кристаллизацию ведут сверху вниз от неподвижной затравки, причем в стенках формы (тигля) имеются очень мелкие отверстия, через которые вытекает избыток расплава, образующийся из-за увеличения объема при затвердевании. Согласно способу тигель является непосредственно формообразователем, придающим заданную форму выращиваемым слиткам. Отверстия в тигле сделаны для удаления излишнего количества расплава, образующегося из-за разницы плотностей жидкой и твердой фаз кристаллизующегося материала. При плотности жидкой фазы, большей, чем твердой фазы, кристаллизация идет с увеличением объема примерно на 5,3%.
Указанный способ выращивания монокристаллов имеет существенные недостатки. Способ технически трудно реализуем в промышленном масштабе - для выращивания кристаллов каждого заданного размера необходим свой тигель достаточно сложной конфигурации. Не определено ни количество отверстий, ни их размер - в конечном итоге это может привести либо к вытеканию исходного расплава, либо к разрыву тигля в момент кристаллизации. Извлечение выращенного кристалла из тигля связано с возможностью механического разлома тигля и растрескивания кристалла. Выращивание кристалла - формирование его основной верхней поверхности - без вращения практически всегда приводит к появлению дефектов структуры - к поликристаллизации и к неоднородному распределению примесей. Указанные недостатки значительно снижают выход годной продукции, приводят к повышенному расходу материала (графита германия) и делают применение метода практически невозможным в промышленных масштабах.