
- •Комп’ютерна електроніка
- •1 Вступ
- •2 Дискретизація аналогових сигналів
- •2.1 Квантування за рівнем
- •2.2 Квантування за часом
- •2.3 Квантування за рівнем і за часом
- •2.3.1 Розмір похибки ацп
- •2.3.2 Вибір величини кроку квантування за часом
- •3 Застосування алгебри логіки (булевої алгебри) при аналізі і синтезі цифрових електронних пристроїв
- •3.1 Визначення і способи задання перемикальних функцій
- •3.4 Базисні логічні функції
- •3.5 Принцип двоїстості булевої алгебри
- •3.6 Основні тотожності булевої алгебри
- •3.7 Основні закони булевої алгебри
- •3.8 Досконала диз’юнктивна нормальна форма (дднф) запису булевих виразів
- •3.9 Диз’юнктивна нормальна форма
- •3.10 Досконала кон’юнктивна нормальна форма (дкнф) запису булевих виразів
- •3.11 Кон’юнктивна нормальна форма (кнф)
- •3.12 Мінімізація логічних функцій
- •3.12.1 Алгебраїчний спосіб мінімізації пф
- •3.12.2 Мінімізація пф із використанням діаграм Вейча (карт Карно)
- •3.12.2.1 Мінімізація пф за допомогою діаграм Вейча
- •3.12.2.1.1 Загальне правило мінімізації
- •3.12.2.1.2 Приклади мінімізації пф за допомогою діаграм Вейча
- •3.12.2.2 Мінімізація пф за допомогою карт Карно
- •4 Логічні елементи
- •4.1 Інвертор (логічний елемент ні)
- •4.2 Кон’юнктор (логічний елемент і)
- •4.3 Диз’юнктор (логічний елемент або)
- •4.4 Повторювач
- •4.7 Виключаюче або
- •4.8 Додавання по модулю два (непарність)
- •4.9 Додавання по модулю два з запереченням (парність)
- •4.10 Еквівалентність
- •4.11 Нееквівалентність
- •4.13 Заборона
- •4.14 Логічні елементи з відкритим колектором
- •4.15 Логічні елементи з третім станом
- •5 Реалізація логічних функцій у різних базисах
- •5.1 Базисні набори ле і їх взаємозв'язок
- •5.2 Реалізація логічних функцій у різноманітних базисах
- •5.2.1 Реалізація елемента “Рівнозначність” (виключаюче або - ні)
- •5.2.2 Реалізація елемента “нерівнозначність” (виключаюче або, сума по модулю два)
- •5.2.3 Реалізація елемента “Заборона”
- •5.2.4 Реалізація багатолітерних логічних функцій на елементах з невеликою кількістю входів
- •6 Параметри і характеристики цифрових інтегральних мікросхем (імс)
- •6.1 Коефіцієнт об'єднання по входу (Коб)
- •6.2 Коефіцієнт розгалуження по виходу (Кроз)
- •6.3 Статичні характеристики
- •6.4 Завадостійкість
- •6.5 Динамічні характеристики і параметри
- •6.6 Вигляд реалізованої логічної функції
- •6.7 Споживані струм і потужність
- •6.8 Вхідні і вихідні струми, напруги
- •6.9 Порогові напруги
- •6.10 Допустимі значення основних параметрів
- •7 Базові логічні елементи
- •7.1 Базовий ттл (ттлш) - елемент і - ні
- •7.2 Базовий езл - елемент або/або-ні
- •7.3 Базовий кмон елемент або-ні
- •8 Генератори тактових імпульсів (гті) на логічних елементах
- •8.1 Гті на двох інверторах
- •8.2 Гті на 3-х інверторах.
7.2 Базовий езл - елемент або/або-ні
У цьому елементі [3,11] логічні операції виконуються емітерно-зв’язаними транзисторами, чим і обумовлена назва типу логіки. Елемент має два виходи, на одному з яких фіксується результат операції АБО над вхідними цифровими сигналами, а на іншому - операції АБО-НІ.
У цій схемі до “землі” приєднана плюсова шина джерела живлення, тому вихідні сигнали мають від`ємну полярність.
Розроблені на основі схем ЕЗЛ ІМС характеризуються високою швидкодією, високою навантажувальною здатністю, низькою завадостійкістю і достатньо великою споживаною потужністю.
7.3 Базовий кмон елемент або-ні
Логічні
схеми на комплементарних (що доповнюють
один одного) МОН (МДН) - транзисторах
містять послідовно включені й керовані
одним сигналом МОН транзистори різних
типів проводимості (рисунок 7.6).
Коли один з послідовно включених транзисторів відкривається, інший - закривається. Тому такий каскад практично не споживає потужності в статичному режимі.
КМОН елемент (рисунок 7.6) являє собою подільник напруги +Ежив. Нижнє плече подільника складає транзистор VT2, що називається комутуючим або управляючим. Верхнє плече утворює транзистор VT1, що називається навантажуючим. Якщо на вхід подається високий рівень напруги (логічна 1), то відкривається транзистор VT2 і закривається VT1. Велика частина напруги живлення виділяється на навантажуючому транзисторі VT1, а з виходу знімається низький рівень напруги (логічний 0).
Якщо на вхід надходить низький рівень сигналу (логічний 0), то відкривається VT1 і закривається VT2. З виходу знімається високий рівень напруги, а відкритий транзистор VT1 виконує функцію стокового резистора Rс.
Розглянута
схема виконує функцію інвертора
.
Нижче показана схема логічного елемента з трьома входами АБО-НІ на КМОН-транзисторах (рисунок 7.7).
-
Рисунок 7.7
Якщо на будь-який з входів, наприклад, С, подається високий рівень (логічна 1), то відкривається транзистор VT1 і шунтує паралельно включені з ним транзистори VT2 і VT3. Опір нижнього плеча дільника, що складається з трьох паралельно увімкнутих управляючих транзисторів VT1, VT2 і VT3, зменшується. Одночасно закривається транзистор VT6 і опір верхнього плеча дільника, що складається з трьох послідовно увімкнутих навантажуючих транзисторів VT4, VT5 і VT6 стає дуже значним. Велика частина напруги живлення +Ежив виділяється на навантажуючих транзисторах, а з виходу знімається низький рівень сигналу (логічний 0).
Тільки коли на усіх входах А, В і С присутній низький рівень сигналу (логічний 0), тоді управляючі транзистори закриті, а навантажуючі - відкриті. Падіння напруги на навантажуючих транзисторах мале і вони виконують функцію стокового резистора Rс для паралельно включених закритих транзисторів VT1...VT3. З виходу знімається високий рівень напруги (логічна 1).
Таким чином, аналізований елемент (рисунок 7.7) виконує логічну функцію АБО-НІ
-
F = А + В + С.
( 7.1 )
Логічні КМОН - елементи мають ряд суттєвих переваг. По-перше, у статичному стані в ланцюзі джерела Ежив знаходиться закритий транзистор, тому споживана елементом потужність дуже мала. Споживання потужності відбувається тільки при перемиканні елемента. По-друге, вхідний опір польового транзистора дуже великий, тому кожний наступний елемент практично не навантажує попередній. По-третє, при виконанні за інтегральною технологією польовий транзистор займає на підложці (основі мікросхеми) меншу площу ніж біполярний. Недоліком елемента є менша швидкодія ніж у ТТЛШ- і ЕЗЛ-елементів.
Під час перевезення і монтажу КМОН схем, потрібно додержуватися визначених запобіжних заходів. Зокрема, монтажник і усі монтажні інструменти повинні бути заземлені, щоб виключити можливість пробою ізоляції між затвором і каналом.