- •Морозова н.К.
- •Введение
- •Глава I Основные понятия кристаллографии
- •1.1. Структура и структурный тип
- •1.2. Внешняя симметрия кристаллов
- •1.3. Внутренняя симметрия кристаллов
- •1.4. Сочетание элементов симметрии
- •1.5. Пространственная решетка
- •1.6. Кристаллические системы
- •1.7. Ячейки Бравэ
- •1.8. Условные обозначения и классификация кристаллов
- •1.9. Кристаллографические индексы
- •1.10. Некоторые формулы структурной кристаллографии
- •1.11. Понятие обратной решетки
- •1.12. Кристаллографическая зона
- •1.13. Кристаллографические проекции
- •1.14. Сетки Вульфа и Закса
- •Глава II Явление дифракции в кристаллах как основа методов структурного анализа
- •2.1. Спектральный состав рентгеновского излучения
- •2.2. Взаимодействие рентгеновского излучения с веществом
- •2.3. Поглощение и рассеяние рентгеновских лучей
- •2.4. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах
- •2.5. Общее интерференционное уравнение трехмерной решетки
- •2.6. Дифракция как отражение
- •2.7. Уравнение Вульфа - Брегга
- •2.8. Отражение рентгеновских лучей сложной элементарной ячейкой
- •2.9. Базис ячейки
- •2.10. Анализ интенсивностей дифракционных максимумов Атомный фактор и структурная амплитуда
- •2.11. Влияние тепловых колебаний решетки на интенсивность дифракционных пятен
- •Глава III Основные методы рентгеноструктурного анализа
- •3.1. Исследование поликристаллических веществ методом Дебая-Шеррера
- •3.2. Фазовый анализ вещества
- •3.3. Определение параметров кристаллической решетки по дебаеграмме
- •3.4. Точность определения параметров кристаллической решетки Систематические ошибки при оценке углов отражения
- •3.5. Съемки для целей прецизионного определения периодов
- •3.6. Метод Лауэ
- •3.6.1. Постоение дифракционной картины
- •3.6.2. Ориентация монокристалла по методу Лауэ
- •3.6.3. Применение метода Лауэ для изучения симметрии кристалла
- •3.7. Метод вращения кристалла
- •3.7.1. Принципы построения дифракционной картины
- •3.7.2. Определение периода идентичности вдоль оси вращения кристалла
- •3.7.3. Индицирование рентгенограммы вращения
- •3.8. Метод качания и развертки слоевой линии
2.11. Влияние тепловых колебаний решетки на интенсивность дифракционных пятен
Структурная амплитуда существенно зависит от температурных колебаний решетки. Тепловое движение атомов в кристалле заключается в колебаниях с амплитудами, сравнимыми с величиной межплоскостных расстояний, поэтому тепловые колебания сильно влияют на дифракционную картину. Это влияние тем больше, чем меньше межплоскостные расстояния d, т.е. чем больше индексы интерференции HKL данной системы плоскостей.
Например, при комнатной температуре в решетке NaCl среднеквадратичное отклонение от положения равновесия ионов Na+и Cl-равно 0,24 и 0,21Å. Межплоскостное расстояние для системы параллельных плоскостей (155) равно:
d155=
=
0,8Å
(2.53)
Таким образом, межплоскостное расстояние всего в три раза больше амплитуды колебаний, и плоскости (155) подобны волнистой поверхности.
При еще больших индексах HKL и меньших d – фазовые соотношения, дающие уравнение Вульфа-Брегга, сойдут на нет, и дифракция исчезнет. Тепловое движение кладет предел появлению на рентгенограммах отражений от плоскостей с большими индексами. Практически нет возможности уловить отражения от плоскостей, у которых d0,4Å.
Влияние теплового движения сводится к двум явлениям: уменьшению интенсивности отраженных лучей и созданию своей собственной дифракционной картины, накладывающейся на первую.
Тепловое движение атомов в кристалле может по-разному сказываться для различных плоскостей с одинаковым d. Дело в том, что тепловые колебания анизотропны. Если тепловые колебания происходят преимущественно вдоль одной и перпендикулярно другой системе плоскостей, то тепловое движение будет очень мало менять интенсивность лучей, отраженных первой системой плоскостей и сильно - для второй.
Кроме этого, тепловые колебания решетки приводят к появлению на рентгенограмме:
1) ореола за счет размытия дифракционных пятен; интенсивность ореола вокруг резкого пятна рентгенограммы возрастает с ростом температуры;
2) добавочных отражений, обычно очень слабых.
Тепловые колебания приводят к изменению fA, поэтому при точном расчете интенсивности отраженных лучей вместо fAвводят атомно-температурный фактор. Мы рассматриваем более простой случай расчета F - без учета тепловых колебаний решетки.
Глава III Основные методы рентгеноструктурного анализа
Ранее, при рассмотрении дифракции рентгеновских лучей в кристаллах, отмечалось, что, если на неподвижный монокристалл направить пучок монохроматических рентгеновских лучей, то в общем случае ни один из узлов обратной решетки может не оказаться на сфере отражения, и, следовательно, дифракционных пятен на рентгенограмме мы не получим. Поэтому для получения отражения необходимо использовать либо сплошной рентгеновский спектр, либо непрерывно менять ориентацию кристалла по отношению к пучку. С этих позиций к основным методам рентгеноструктурного анализа относятся: 1) метод Дебая-Шеррера, 2) метод Лауэ, 3) метод вращения монокристаллов.
Сплошной рентгеновский спектр используется в методе Лауэ, изменение ориентации монокристалла и монохроматическое излучение - в методе вращения. В методе Дебая-Шеррера вместо того, чтобы изменять ориентацию одного единственного монокристалла, направляют пучек монохроматических лучей на поликристаллический образец - конгломерат беспорядочно ориентированных мелких кристалликов. Если кристаллики, из которых состоит образец, достаточно малы (510-5- 210-4 см), то в просвечиваемом объеме их оказываются десятки миллионов. Следовательно, имеются любые их ориентации по отношению к лучу.
Поскольку большинство исследуемых образцов являются поликристаллами (ими являются, например, все металлы, поликристаллические тонкие слои полупроводников и др.), то мы и начнем более подробное рассмотрение рентгеноструктурного анализа с метода Дебая-Шеррера.
