
Матеріалознавство / МКЕ_Залк_роб_2010
.docЗАВДАННЯ НА залікову роботу (для зразка)
з предмету “Матеріали і компоненти електроніки”
Варіант №12
-
Вирахуйте величину температурного коефіцієнту питомого опору міді . Питомий опір міді при Т=300 К 300=0,0170 мкОм•м, при Т=500 К =0,0316 мкОм•м.
-
Формула питомої електропровідності для власного напівпровідника і=
-
Вирахуйте концентрацію дірок в напівпровіднику при даній температурі . Концентрація електронів в напівпровіднику n=4•1018 м–3, власна концентрація nі =2•1015 м–3.
-
Рівняння (формула) п’єзоефекту
-
Вирахуйте величину ширини забороненої зони напівпровідника. Довжина електромагнітної хвилі краю смуги власного поглинання напівпровідника кр=0,930 мкм.
-
Формула питомої електропровідності металів: =
-
Термопару відкалібрували при температурі холодного спаю ТХ=00С і гарячого – ТГ=1000С та отримали термо-ЕРС UT1=6,0 мВ. Вирахуйте величину термо-ЕРС термопари UTп , якщо гарячий спай помістили в піч з температурою Тп =5000С .
-
Формула, що відображає зв'язок діелектричної проникності і поляризованості речовини:
-
Графік температурної залежності питомої електропровідності домішкового напівпровідника.
-
Формула, що відображає зв'язок потужності діелектричних втрат та tg діелектрика Ра Намалюйте і поясніть паралельну схему заміщення діелектрика.
-
Які основні носії заряду створюють струм провідності у твердих діелектриках.
-
Рівняння (правило) Маттиссена про складові питомого опору металів: =
-
Формули інтегральної та диференціальної дф магнітної проникності в речовині:
-
Перерахуйте види зв`язку в твердому тілі.
-
Покажіть на одному малюнку графіки спектральних характеристик фотопровідності для двох напівпровідників з різною шириною забороненої зони: 1З 2З
-
Ґрафіки залежностей питомого опору та температурного коефіцієнту опору від товщини для тонких металевих плівок.
-
Графіки температурної залежності діелектричної проникності (t0C) для електронного пружного видіу поляризації. Що таке поляризованість речовини?
-
Вирахуйте величину питомої електропровідності напівпровідника. Концентрація електронів n=4•1016 м–3, дірок р= 6•1016м–3, рухливість електронів n =0,150 м2•В–1•сек–1, рухливість дірок – в три рази менша, (заряд електрона =0,16 •10–18 Кл).