Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лаба #1 / лаба 1

.doc
Скачиваний:
12
Добавлен:
04.04.2013
Размер:
136.19 Кб
Скачать

tiМОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

(технический университет)

Лабораторная работа

по электронике

Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов.

Выполнил:

группа С-41

Преподаватель:

Рябов Никита Иванович

Москва 2003.

Цели лабораторной работы:

  • Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора;

  • Изучение способов и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов;

  • Приобретение навыков работы с полупроводниковыми приборами;

  • Приобретение навыков расчета схем с помощью программы схемотехнического анализа РSPICE.

Схемы измерений характеристик схемы:

Снятие входных вольт-амперных характеристик транзистора.

Определение порогового напряжения Vto и крутизны kp.

Снятие выходных вольт-амперных характеристик транзистора.

Определение параметра lambda по выходным характеристикам.

Таблицы экспериментальных данных и графики.

  1. Определение порогового напряжения “Vto” и крутизны “kp”. Снимаются входные ВАХ транзистора Ic=f(Vзи) при нарпряжении на стоке -0.5 В.

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Vзи

-3,07

-3,3

-3,6

-3,9

-4,2

-4,5

-4,8

-5,1

-5,4

-5,7

-5,8

-10

-41

-103

-189

-280

-367

-464

-539

-613

-678

-724

Пороговое напряжение Vto=3.07 В.

Определеним крутизну транзистора - kp. Для этого воспользуемся формулой:

  1. Снятие выходных вольт-амперных характеристик транзистора IС=f(VСИ) при напряжении на затворе ‑4, -4.5, -5 Вольта. Снимаются зависимости IС от напряжения VСИ.

Vзи = - 4 В

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Vси

-5,4

-5

-4,6

-4,2

-3,8

-3,4

-3,0

-2,6

-2,2

-1,8

-1,4

-368

-363

-357

-352

-346

-340

-333

-326

-319

-310

-301

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

Vси

-1,2

-1,1

-1,0

-0,9

-0,8

-0,7

-0,6

-0,5

-0,4

-0,3

-0,2

-296

-290

-287

-280

-272

-258

-233

-208

-164

-128

-63

Vзи = - 4,5 В

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Vси

-5,25

-4,8

-4,2

-3,8

-3,4

-3,0

-2,6

-2,2

-1,8

-1,5

-1,4

-681

-670

-655

-644

-634

-621

-610

-595

-583

-570

-566

12

13

14

15

16

17

18

19

Vси

-1,3

-1,2

-1,1

-1

-0,8

-0,6

-0,4

-0,2

-555

-547

-539

-525

-480

-419

-315

-172

Vзи = - 5 В

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Vси

-5,1

-4,6

-4,0

-3,5

-3,0

-2,5

-2

-1,8

-1,7

-1,6

-1,5

-1117

-1095

-1074

-1050

-1027

-999

-965

-956

-944

-935

-920

12

13

14

15

16

17

18

19

Vси

-1,4

-1,3

-1,2

-1

-0,8

-0,6

-0,4

-0,2

-902

-885

-857

-792

-700

-582

-437

-225

Определим параметр lambda, воспользовавшись формулой:

Описание схем на входном языке программы PSPICE и графики входной и выходной характеристик, расчитанных в данной программе.

Исходя из ранее рассчитанных параметров, составим входной файл для расчета входных ВАХ:

laba1_input

vc 2 0 -0.5

v1 1 0 -1

m1 2 1 0 0 mos

.model mos pmos(level=1 vto=-3.07 kp=-55u w=10u l=1u lambda=0.054)

.dc v1 -2.5 -6.5 -0.1

.probe

.end

Входная ВАХ:

Исходя из ранее рассчитанных параметров, составим входной файл для расчета выходных ВАХ:

laba2_output

vc 2 0 -0.5

v1 1 0 -1

m1 2 1 0 0 mos

.model mos pmos(level=1 vto=-3.07 kp=55u w=10u l=1u lambda=0.054

.dc vc 0 -5 -0.05 v1 -4 -5 -0.5

.probe

.end

Выходная ВАХ: