4 семестр (2 курс)лала / ЭП (Электронные приборы) / ЭП (Методическое пособие)
.pdfСтатическое сопротивление диода (сопротивление постоянному току) в рабочей точке А определяется как отношение напряжения в рабочей точке к то-
ку R |
0 |
= U |
= |
|
0,45 |
= 45 |
Ом. Приэтомвсегдавыполняетсяусловие R |
0 |
> r . |
|
|||||||||
|
I |
|
10 10−3 |
|
диф |
||||
|
|
|
|
|
|
Задача № 2
Стабилитрон подключен для стабилизации напряжения к резистору нагрузки RH, как показано на рис. 1.2.
Известны параметры стабилитрона Uст ; Iст min ; Iст max и сопротивление нагрузки RН . Необходимо определить сопротивление ограничительного резистора Rогр, если напряжение на входе изменяется от Uвх min до Uвх max . Будет ли
обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения входного напряжения? Выберем средний ток стабилитрона из условия
I = Iстmax + Iстmin .
ст 2
При этом необходимая величина входного напряжения будет равна
Uвх =Uст+Rогр(IН +Iст).
Отсюда можно найти необходимую величину ограничительного резистора:
Rогр = |
Uвх −Uст |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
IН +Iст |
|
|
|
|
|
|
+ |
|
Rогр I0 |
|
|
|
|
|
|
Iст |
|
IH |
|
|
|
|
|
|
||
|
Uвх |
|
VD |
|
RН Uвых = Uст |
–
Рис. 1.2
Границы допустимого диапазона изменения входного напряжения определяем, пользуясь выражениями
Uвх min = Uст +(Iст min +IH ) Rогр; Uвх max = Uст +(Iст max +IH ) Rогр ,
и сравниваем с заданным диапазоном изменения входного напряжения. Пусть, например, сопротивление нагрузки RН = 2,2 кОм; Iст min =1 мА;
Iст max = 20 мА; Uвх min =16 B; Uвх max = 24 B; Uст =13 B.
По вышеприведённым выражениям находим: Iст = (20 +1)/ 2 =10,5 мA.
Необходимая величина входного напряжения
21
Uвх = (24 +16)/ 2 = 20 В.
Ток нагрузки
IH = Uст / R H =13/ 2,2 =5,9 мA.
Тогда
R огр = (20 −13)/(10,5 −5,9)≈ 0,43 кОм.
Диапазон изменения входного напряжения определяется следующими границами
Uвх min =13 +(1+5,9) 0,43 ≈16 В;
Uвх max =13 +(20 +5,9) 0,43 ≈ 24,1 В.
Вывод: стабилизация напряжения осуществляется во всём диапазоне изменения входного напряжения.
Задача № 3
Рассмотрим методику определения h–параметров БТ по статическим ВАХ. Статические ВАХ БТ позволяют определить дифференциальные параметры транзистора. Для описания свойств транзистора по переменному току чаще всего используется система дифференциальных h–параметров, которая
представляется следующими уравнениями: dU1 = h11dI1 + h12dU2;
dI2 = h21dI1 + h22dU2.
Для нахождения h–параметров по статическим характеристикам дифференциалы заменим конечными приращениями и получим выражения, позволяющие определить физический смысл h–параметров
h |
11 |
= |
|
∆U1 |
|
|
|
|
|
– входное сопротивление в режиме короткого замыка- |
|||
|
|
|
∆I |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
U2 =const |
|
|
|
|
|
||||||||||
ния (КЗ) на выходе; |
|||||||||||||
h |
|
= |
|
∆U1 |
|
|
|
|
|
|
– коэффициент обратной связи по напряжению в ре- |
||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
12 |
|
∆U2 |
|
|
|
I =const |
|||||||
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|||||
жиме холостого хода (ХХ) по входу; |
|||||||||||||
h |
21 |
= |
|
∆I2 |
|
|
|
|
|
|
|
– коэффициент передачи по току в режиме КЗ на выходе; |
|
|
|
|
∆I |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
1 |
|
U2 =const |
||||||||
|
|
|
|
||||||||||
h22 |
= |
|
∆I2 |
|
|
|
|
|
– выходная проводимость в режиме ХХ по входу. |
||||
|
∆U2 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
I =const |
||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|||||
Для расчета h-параметров удобно использовать семейства входных и вы- |
ходных характеристик БТ. Рассмотрим порядок графо-аналитического метода расчета h-параметров БТ с ОЭ. Для определения дифференциальных параметров h11э и h12э в заданной рабочей точке А ( UБЭ0 , IБ0 , UКЭ0 ) на линейном
22
участке семейства входных характеристик необходимо выполнить построения, как показано на рис. 1.3,а. Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:
h |
= |
∆UБЭ |
|
|
|
|
= |
UБЭ"−UБЭ' |
|
|
, |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
11э |
|
∆IБ |
|
|
UБЭ =const |
|
|
IБ"−IБ' |
|
|
UБЭ =const |
||||
|
|
|
|
||||||||||||
h |
= |
∆UБЭ |
|
|
= |
|
UБЭ"−UБЭ0 |
|
|
|
. |
||||
|
|
|
|
|
|||||||||||
12э |
|
∆UКЭ |
|
IБ=const |
|
UКЭ"−UКЭ' |
|
Iб =const |
|||||||
|
|
|
|
Параметры h21э и h22э определяются по семейству выходных характеристик. В окрестности точки А' ( IК0 , UКЭ0 , IБ0 ), соответствующей точке А на
семействе входных характеристик, выполняют построения как показано на рис. 1.3, б. Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:
h21э = |
∆IК |
|
|
|
|
|
= |
IК''−IК' |
|
|
|
|
|
|
, |
||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
∆IБ |
|
UКЭ =const |
|
|
IБ''−IБ' |
|
UКЭ =const |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||||
h22э = |
∆IК |
|
|
|
= |
|
IКiv −IК''' |
|
|
|
. |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|||||||||||||||
∆UКЭ |
IБ=const |
UКЭ''−UКЭ' |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
IБ=const |
||||||||||||
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Значения приращений входного ∆UБЭ |
и выходного ∆UКЭ напряжения |
должны выбираться таким образом, чтобы вспомогательные точки на графиках находились на их линейных участках, как это показано на рис. 1.3.
Аналогично определяются h-параметры для транзистора с ОБ.
|
а |
б |
|
|
|
Рис. 1.3 |
|
|
|
Коэффициент обратной связи по напряжению h12э имеет очень малую |
||||
величину |
(10−4 K10−3 ), поэтому в |
справочных данных |
приводят |
семейство |
входных |
ВАХ состоящее из двух |
кривых: одну для |
UКЭ = 0 и |
одну для |
UКЭ ≠ 0 . Обычно для UКЭ =5 или 10 В. Это обусловлено тем, что входные ха-
23
рактеристики для UКЭ >1 В практически накладываются друг на друга. Ис-
пользование приведенных характеристик не позволяет точно рассчитать значение h12э. Для вычисления величины коэффициента обратной связи по напряже-
нию необходимо рассчитать параметры Т-образной эквивалентной схемы БТ. Физическая Т-образная эквивалентная схема транзистора со структурой
n-p-n, представленная на рис 1.4, достаточно полно отражает свойства реального транзистора на низких частотах и используется при анализе транзисторных схем. Значения параметров эквивалентной схемы БТ могут быть найдены с ис-
пользованием известных h-параметров |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
r |
= |
h12э |
, r * = |
1 |
, |
β = h |
|
, |
r = h |
|
−(1+h |
|
)r . |
h22э |
|
|
|
|
|||||||||
э |
|
к |
h22э |
|
21э |
|
б |
11э |
|
21э |
э |
Рис. 1.4
Рис. 1.5
Задача № 4
С учетом вышесказанного в первую очередь вычисляется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода rэ = ϕT IЭ0 , где
ϕT = kTq – тепловой потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К; IЭ0 – ток эмиттера БТ в рабочей точке (можно считать IЭ0 ≈ IК0 ). Затем определяются r *к , β и находится коэффициент обратной связи по напряжению h12э = rэ h22э.
Область допустимых режимов на семействе выходных характеристик БТ, представленная на рис. 1.5 определяется его максимально допустимыми параметрами: постоянным током коллектора IКmax ; постоянным напряжением кол-
лектор–эмиттер UКЭmax ; постоянной рассеиваемой мощностью коллектора PКmax = IКUКЭ.
Рабочая точка БТ для работы в малосигнальном усилителе выбирается обычно в центре области допустимых режимов работы БТ на линейных участках ВАХ, соответствующих активному режиму работы.
На высоких частотах возникает фазовый сдвиг между входным и выходным токами БТ, обусловленный конечным временем пролета носителей от эмиттера к коллектору и наличием емкостей переходов БТ. Это приводит к комплексному характеру коэффициентов передачи по току и их частотной зависимости
h&21б(f )= h21б(f )e jϕh21б (f ) и h&21э(f )= h21э(f )e jϕh 21э (f ).
24
Необходимо уяснить понятие предельной частоты коэффициента передачи по току БТ для схемы включения с ОБ и ОЭ. Частотные зависимости модуля и фазы коэффициентов передачи по току характеризуются выражениями:
h21б(f ) |
|
= |
α |
; |
ϕh21б |
= arctg(f |
fh21б ); |
||
|
|||||||||
|
fh21б )2 |
||||||||
|
|
||||||||
|
|
|
|
1+(f |
|
|
= arctg(f |
fh21э ), |
|
h21э(f ) |
|
= |
β |
; |
ϕh21э |
||||
|
|||||||||
|
fh21э )2 |
||||||||
|
|
||||||||
|
|
|
|
1+(f |
|
|
|
|
где α, β – статические коэффициенты передачи по току БТ для включения с ОБ и ОЭ, соответственно; fh21б , fh21э – предельные частоты коэффициентов
передачи по току для схемы с ОБ и ОЭ, соответственно.
Причем связь между этими частотами определяется выражением
fh21э = fh21б (1+β).
Пусть, например, fh21б =5 МГц; α = 0,98; f=200 кГц. Определим статический коэффициент передачи по току для включения с ОЭ:
β = |
|
|
α |
|
|
= |
|
|
0,98 |
|
= 49 . |
|||||||
1−α |
1 |
−0,98 |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
ТогдапредельнаячастотакоэффициентапередачипотокудлявключениясОЭ |
||||||||||||||||||
fh |
|
|
|
= |
fh |
21б |
|
= |
5 |
106 |
=100 кГц, |
|||||||
21э |
1 |
+β |
|
1 |
+ |
49 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
модуль коэффициента передачи по току в схеме с ОЭ |
||||||||||||||||||
|
h21э |
|
= |
|
|
|
|
|
|
49 |
|
|
≈ 22 , |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
1+(200 100)2 |
||||||||||||
и фаза коэффициента передачи по току в схеме с ОЭ |
||||||||||||||||||
ϕh21э |
= arctg(f fh21э )= arctg(2)= 63,4°. |
Задача № 5
Усилительный каскад на ПТ, схема которого приведена на рис. 1.6, выполнен по схеме с общим истоком (ОИ). Напряжение смещения задаётся автоматически за счёт включения в цепь истока резистора RИ , падение напряжения
на котором определяет напряжение UЗИ = UЗ −UИ = −IСRИ. Уравнение нагрузочной прямой описывается выражением:
UИП = UСИ +IС(RС +RИ)= UСИ +IСRС + UЗИ , тогда IС = (UИП −UСИ − UЗИ )RС .
Нагрузочная прямая на семействе выходных характеристик ПТ проводится через две точки, лежащие на осях координат: точку UИП на оси напряжений
и точку IС = (UИП − UЗИ )RС на оси токов, как показано на рис. 1.7.
25
Точка пересечения нагрузочной прямой с характеристикой, соответствующей заданному значению UЗИ = UЗИ0 , дает положение рабочей точки «O»,
которой соответствует ток стока IС = IС0 и напряжение UСИ = UСИ0 .
Рис. 1.6 |
Рис. 1.7 |
Сопротивление резистора в цепи истока находим из формулы
RИ = UЗИIС .
Малосигнальные параметры S, Ri и µ определяются выражениями
S = |
dIс |
|
|
|
; Ri = |
dUси |
|
|
|
; µ = |
dUси |
|
|
=S Ri . |
|
dUзи |
dIс |
dUзи |
|||||||||||||
|
|
Uси=const |
|
|
Uзu =const |
|
|
|
Ic =const |
||||||
|
|
|
|
При определении графическим методом крутизны S в рабочей точке необходимо найти изменение тока стока ∆IС соответствующее изменению на-
пряжения ∆UЗИ = U''ЗИ−U'ЗИ при постоянном UСИ, как показано на рис. 1.7, и воспользоваться следующим выражением
|
∆IС |
|
S = |
|
. |
U''ЗИ−U'ЗИ |
Коэффициент усиления по напряжению и выходная мощность находится из выражений
K |
u |
= |
Uсиm |
, |
P = 0,5 U |
сиm |
I |
сm |
. |
|
|||||||||
|
|
Uзиm |
|
вых |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Задача № 6
Конструкция электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) с электростатическим отклонением луча, показанная на рис. 1.8, имеет длину отклоняющих пластин L1,
расстояние между пластинами d , расстояние от экрана до ближайшего к нему края пластин L2 . Напряжение на втором аноде равно Uа2 , а напряжение, при-
ложенное к отклоняющим пластинам, равно Uоткл.
26
Необходимо определить: а) чувствительность ЭЛТ;
б) отклонение электронного луча на экране от оси трубки; в) угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин. Решение проводим в следующей последовательности.
1. Полное отклонение пятна на экране определяется выражением
|
|
|
|
U |
откл |
L2 |
|
|
|
U |
откл |
L |
|
L |
|
|
|
h = h |
+h |
|
= |
|
+L |
|
tgα или h = |
|
1 |
|
1 |
+L |
2 |
. |
|||
|
4Ua2 d |
|
|
|
|
||||||||||||
|
1 |
2 |
|
1 |
|
2 |
|
2Ua2 d 2 |
|
|
2. Основным параметром электростатической отклоняющей системы является чувствительность к отклонению, показывающая, на сколько миллиметров отклонится луч на экране при изменении напряжения на 1 В
|
|
|
|
h |
|
|
|
L |
|
L |
|
|
|
|
|
||
h'= |
|
|
|
|
= |
|
1 |
|
|
|
1 |
+L2 |
. |
|
|
|
|
Uоткл |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
2Ua2 d |
2 |
|
|
|
|
|
|||||||
3. Угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин определяется |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Uоткл |
L1 |
|
|
|
Uоткл L1 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
выражением tgα = |
|
|
|
|
; тогда α = arctg |
|
. |
|
|||||||||
2Ua2 d |
|
2Ua2 d |
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Экран |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
Y |
|
|
|
|
|
+Uоткл |
|
|
|
|
|
h2 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
α |
|
h |
|
|
V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
h1 |
|||
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
d |
|
|
|
|
|
|
Eоткл |
|
|
|
|
|
|
|
|
X |
|
|
|
|
|
|
L1 |
|
–Uоткл |
|
|
|
L2 |
|
|
|
Рис. 1.8
Задача № 7 Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов:
1)без внешнего источника электрической энергии (вентильный, фотогенераторный или фотогальванический режим);
2)с внешним источником электрической энергии (фотодиодный или фотопреобразовательный режим) (рис. 1.9).
Ток, протекающий через фотодиод, можно представить в виде:
I= I0 eqUkT −1 −IΦ ,
27
где IΦ – фототок; I0 – тепловой ток p-n–перехода; U – напряжение на диоде.
|
|
При разомкнутой внешней цепи |
|||
|
|
RН = ∞, I = 0 |
легко выразить напряжение |
||
I |
|
холостого хода или фото-ЭДС |
|||
R |
|
= kT |
|
|
|
|
Uxx |
|
+ IΦ |
||
|
|
q |
ln 1 |
. |
|
Uвн |
|
|
|
I0 |
|
|
Статическая |
интегральная токовая |
|||
|
VD |
||||
|
чувствительность при монохроматическом |
||||
|
U |
световом потоке определяется отношением |
|||
|
|
SI = IΦ Φ (мкА/лм). Для фотодиода, рабо- |
|||
|
|
тающего в фотодиодном режиме удобно |
|||
|
|
использовать вольтовую чувствительность |
|||
Рис. 1.9 |
|
SU =SI R , (В/лм). |
|
1.7. Контрольная работа № 1
Задача № 1
Рассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от – 5 до + 0,7 В при Т=300 К и обратном токе насыщения, равном I0 . Значение теплового потенциала ϕT = kTq при Т=300 К
принять равным 0,026 В. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Определить |
дифференциальное r |
|
и статическое |
сопротивление R |
0 |
||||||||
|
|
|
|
|
диф |
|
|
|
|
|
|
||
диода для заданного значения Uпр. Величины I0 , Uпр приведены в табл.1.3. |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
Таблица 1.3 |
||
Последняя |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
5 |
7 |
8 |
9 |
0 |
|
|
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
0,8 |
|
|
|
|
|
I0 , нА |
|
0,15 |
0,2 |
0,25 |
0,3 |
0,5 |
0,4 |
0,6 |
0,7 |
1,0 |
|
||
Предпоследняя |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
0 |
|
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
0,55 |
|
|
|
|
|
Uпр, В |
|
0,2 |
0,3 |
0,45 |
0,5 |
0,35 |
0,6 |
0,25 |
0,4 |
0,35 |
|
Задача № 2
Cтабилитрон подключён для стабилизации напряжения параллельно резистору нагрузки RН . Параметры стабилитрона Uст ; Iст min ; Iст max и сопро-
тивление нагрузки RН приведены в табл. 1.4. Определите величину сопротив-
ления ограничительного резистора Rогр, если входное напряжение Uвх изменяется от Uвх min = 20 B до Uвх max =30 В. Будет ли обеспечена стабилизация во всём диапазоне изменения входного напряжения Uвх ?
28
Таблица 1.4
Последняя |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iст min , мА |
1 |
1 |
3 |
3 |
5 |
5 |
5 |
5 |
1 |
5 |
Iст max , мА |
20 |
20 |
25 |
25 |
25 |
25 |
30 |
30 |
20 |
30 |
Предпоследняя |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RН , кОм |
1 |
1 |
1,5 |
1,5 |
2 |
2 |
2,5 |
2,5 |
3 |
4 |
Uст , В |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
8 |
9 |
7 |
Задача № 3
Пользуясь справочными данными, приведите семейство входных и выходных характеристик БТ с ОЭ. В качестве независимых переменных используйте входное и выходное напряжение. Тип транзистора выберите согласно табл. 1.5 в соответствии с шифром. Поясните поведение входных и выходных характеристик транзистора.
Таблица 1.5
Последняя |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
цифра |
|
|
|
|
|
КТ |
|
|
|
|
Тип |
КТ |
КТ |
КТ |
КТ |
КТ |
КТ |
КТ |
КТ |
КТ |
|
транзистора |
603В |
325А |
301Б |
340А |
342А |
351А |
368А |
3127А |
608А |
646А |
По справочнику установите максимально допустимые параметры БТ: постоянный ток коллектора IКmax ; напряжение коллектор–эмиттер UКЭmax ; мощ-
ность рассеиваемую коллектором транзистора PКmax . На семейство выходных
характеристик нанесите границы области допустимых режимов работы. Задайтесь положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками,
рассчитайте для нее значения h-параметров БТ. На основании полученных чи-
словых значений параметров рассчитайте параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора и изобразите ее.
Задача № 4
Рассчитайте модуль h21э и фазу ϕh21э коэффициента передачи по току БТ в
схеме с ОЭ на частоте f . В качестве исходных данных используйте заданные в табл. 1.6 значения предельной частоты коэффициента передачи по току в схеме с ОБ fh21б , статическийкоэффициентпередачипотокувсхемесОБ α ичастоты f .
29
Таблица 1.6
Предпоследняя |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
fh21б , МГц |
13 |
14 |
15 |
16 |
17 |
18 |
19 |
20 |
21 |
22 |
f , кГц |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
90 |
100 |
110 |
120 |
130 |
Последняя |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
α |
0,98 |
0,975 |
0,973 |
0,978 |
0,95 |
0,965 |
0,959 |
0,983 |
0,976 |
0,985 |
Задача № 5
Усилительный каскад выполнен на ПТ 2П302Б в схеме с ОИ (рис. 1.6). Рабочая точка ПТ задается напряжением источника питания UИП =10 В
ипараметрами приведенными в табл. 1.7.
1.Нарисуйте принципиальную схему усилителя.
2.На семействе статических ВАХ транзистора постройте нагрузочную
прямую и определите положение рабочей точки.
3.Для найденной рабочей точки определите сопротивление резистора в
цепи истока RИ и малосигнальные параметры |
S, Ri и µ. |
|
|
|
|
|
||||||||
|
4. Графоаналитическим методом определите параметры режима усиления |
|||||||||||||
KU и Pвых при амплитуде входного сигнала Uзи m = 0,25 B. |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 1.7 |
|||
|
Предпоследняя |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
7 |
|
8 |
9 |
|
|
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RС, кОм |
0,3 |
0,35 |
0,4 |
0,45 |
0,5 |
0,55 |
0,6 |
|
0,65 |
|
0,8 |
0,9 |
|
|
Последняя |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
7 |
|
8 |
9 |
|
|
цифра шифра |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ0 , В |
–1,0 |
–1,1 |
–1,2 |
–1,3 |
–1,4 |
–1,5 |
–1,6 |
|
–1,7 |
|
–1,8 |
–1,9 |
|
Задача № 6
Электронно-лучевая трубка с электростатическим отклонением луча имеет длину отклоняющих пластин L1, расстояние между пластинами d , расстояние от
экрана до ближайшего к нему края пластин L2 . Напряжение на втором аноде равно Ua2 , а постоянное напряжение между отклоняющими пластинами равно
Uоткл. Значения параметров приведены в табл. 1.8. Необходимо определить:
а) чувствительность ЭЛТ; б) отклонение электронного луча на экране от оси трубки;
в) угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин.
30